國產IGBT單管新品，采用飛虹半導體第七代場截止（Trench Field Stop VII ）技術工藝設計，能達到顯著降低導通損耗和開關損耗。使產品具有極低的VCE（sat）和極短的拖尾電流，為終端設計師在優化系統效率時提供有力的幫助。

它就是FHA75T65V1DL型號IGBT單管，它不僅更廣泛適用于太陽能逆變器、UPS、變頻器、電焊機以及所有硬開關。

而且產品擁有良好的短路性能，為電機驅動領域處理突發事件提供充足的裕量。

因此如果要考慮選擇能代換NCE75ED65VT 、IKW75N65ET7、JT075N065WED、CRG75T65AK3HD、SGT75T65SDM1P7這五款型號參數的國產IGBT單管。建議可以了解這一款第七代IGBT單管新品：FHA75T65V1DL型號。

FHA75T65V1DL作為飛虹半導體第七代場截止（Trench Field Stop VII ）技術IGBT，可提供TO-247-3L封裝外形。其參數不僅能達650V電壓、75A電流，具有參數一致性高的特點，而且無鉛，滿足ROHS環保要求。

下述將圍繞FHA75T65V1DLIGBT的產品特點、友商參數對比、推薦應用范圍、部分典型特性曲線來介紹：

產品特點

1、第七代場截止技術產品

2、參數一致性高

3、高速開關，低開關損耗

4、最高結溫Tjmax = 175°C

5、低飽和壓降VCEsat = 1.55V(typ.) @ IC = 75 A

6、擁有正溫度系數

7、合封了快恢復二極管

8、無鉛，滿足ROHS環保要求

友商參數對比

FHA75T65V1DLIGBT與NCE75ED65VT、IKW75N65ET7、JT075N065WED、CRG75T65AK3HD、SGT75T65SDM1P7五款競品相比，其產品具有極低的VCE（sat）和極短的拖尾電流，為終端設計師在優化系統效率時提供有力的幫助。值得作為國產半導體供應鏈的新產品使用。

推薦應用范圍

（1）逆變器

（2）變頻器

（3）電焊機

（4）UPS不間斷電源

（5）戶外儲能電源

部分典型特性曲線

半導體領域在不斷更新迭代，我們可以做好的事情就是不斷強化自身供應鏈的穩定性。讓中國產品更具備競爭力，對于不知道如何選擇IGBT單管的問題。建議工程師們可以看看飛虹半導體的這一款FHA75T65V1DL型號參數。

試樣才能驗證是否如文章所說的數據效果，國產IGBT單管給您驚喜。

飛虹半導體致力于大功率分立器件、集成電路、功率器件的研發、生產及銷售，給廠家提供可持續穩定供貨。至今已經有35年半導體行業經驗以及20年研發、制造經驗。除可提供免費試樣外，更可根據客戶需求進行量身定制IGBT單管產品。