安森美 (onsemi) CAT93C86 16Kb Microwire串行EEPROM是一款配置為16位（VCC的ORG引腳）或8位（GND的ORG引腳）寄存器的存儲器件。每個寄存器都可以通過DI（或DO）引腳串行寫入（或讀?。０采繡AT93C86采用先進的CMOS EEPROM浮柵技術制造而成。該器件設計耐100萬次編程/擦除周期，數據保留期限為100年。該器件采用8引腳DIP和8引腳SOIC封裝。

數據手冊：*附件：onsemi CAT93C86 16Kb Microwire串行EEPROM數據手冊.pdf

特性

• 3MHz/VCC =5V高速運行
• 低功耗CMOS技術
• 1.8 V 至 5.5 V 操作
• 可選擇x8或x16內存組織
• 帶自動清除功能的自定時寫入周期
• 硬件和軟件寫保護
• 開機無意寫入保護
• 順序讀取
• 編程使能 (PE) 引腳
• 100萬次編程/擦除周期
• 100年數據保留期
• 工業和擴展溫度范圍
• 8引線PDIP和SOIC封裝
• 無鉛、無鹵/無BFR，符合RoHS指令

功能圖

封裝尺寸

深度解析onsemi CAT93C86：16Kb Microwire串行EEPROM的技術特性與應用

產品概述

?CAT93C86?是安森美半導體推出的一款16Kb串行EEPROM存儲器，采用先進的CMOS EEPROM浮柵技術制造。該器件可配置為16位寄存器（ORG引腳接VCC）或8位寄存器（ORG引腳接GND），通過DI引腳進行串行寫入，通過DO引腳進行串行讀取。

核心特性

?卓越的性能參數?：

• 高速操作：3 MHz（VCC = 5 V時）
• 寬電壓工作范圍：1.8 V至5.5 V
• 出色的耐用性：1,000,000次編程/擦除周期
• 超長數據保持時間：100年
• 低功耗CMOS技術

引腳功能詳解

關鍵電氣特性

?直流工作特性?（VCC = +1.8 V至+5.5 V）：

• 寫入時電源電流（ICC1）：最大3 mA（fSK = 1 MHz; VCC = 5.0 V）
• 讀取時電源電流（ICC2）：最大500 μA（fSK = 1 MHz; VCC = 5.0 V）
• 待機電流（x16模式）：最大10 μA

存儲器組織架構

器件支持兩種存儲器組織模式：

• ?x16模式?：當ORG引腳連接到VCC時選擇，配置為1024個16位寄存器
• ?x8模式?：當ORG引腳連接到GND時選擇，配置為2048個8位寄存器

指令集功能

CAT93C86提供完整的七指令集控制：

?基本操作指令?：

• ?READ?：讀取指定地址數據
• ?ERASE?：擦除指定地址內容
• ?WRITE?：寫入數據到指定地址

?控制指令?：

• ?EWEN?：寫使能指令
• ?EWDS?：寫禁止指令
• ?ERAL?：擦除所有地址
• ?WRAL?：寫入所有地址

先進保護機制

?硬件與軟件寫保護?：

• 上電時無意寫入保護
• 通過PE引腳實現編程使能控制
• 自定時寫入周期帶自動清零功能

時序特性

?關鍵時序參數?（VCC = 4.5 V - 5.5 V）：

• CS建立時間（tCSS）：最小50 ns
• DI建立時間（tDIS）：最小50 ns
• 輸出延遲（tPD0, tPD1）：最大0.5 μs

封裝選項

提供多種8引腳SOIC封裝選擇：

• ?SOIC-8 V, W后綴?（CASE 751BD）
• ?SOIC-8 X后綴?（CASE 751BE）

應用優勢

1. ?高可靠性?：符合工業級溫度范圍（-40°C至+85°C）
2. ?環保合規?：無鉛、無鹵素/BFR、符合RoHS標準
3. ?設計靈活性?：支持多種存儲器組織模式
4. ?易用性?：具備順序讀取和狀態輪詢功能