在人工智能、元宇宙、云計算與自動駕駛等前沿技術加速迭代的驅動下，市場對CPU、GPU、DPU及ASIC等核心處理器的算力需求呈指數級增長。此趨勢使得上述關鍵芯片的供電系統設計面臨功率密度、能效和穩定性的嚴峻考驗。

為應對持續增長的算力需求，晶豐明源正式推出第二代Smart DrMOS及配套Vcore電源解決方案。該產品通過工藝與封裝的全面升級，在質量、效率和功率密度方面實現顯著提升，不僅增強了系統運行穩定性，更實現了整體成本的大幅優化。晶豐明源Smart DrMOS可廣泛應用于筆記本電腦、顯卡及主板等消費類場景，助力客戶打造高性能、高效率且具備更強成本競爭力的終端產品。

第二代Smart DrMOS技術升級

自研BCD工藝BPS-G2，已成功量產

依托首代自研BCD工藝(BPS-G1)的成熟基礎，晶豐明源成功研發并量產了第二代BCD工藝(BPS-G2)，其關鍵性能指標實現跨越，已達國際一流水平。與此同時，公司正積極研發第三代工藝(BPS-G3)，旨在為下一代產品提供更卓越的性能支撐。

以BV 28V為例，BPS-G2的Rsp從第一代的4.7mΩ降至3.5mΩ。這意味著，實現相同的Rds(on)時，芯片所需的晶圓面積可縮小25%，并直接驅動25%的成本下降。

全新Co-pack封裝，兼具性能與成本

晶豐明源第一代DrMOS采用單晶+基板(Substrate)封裝設計，雖具備封裝成本低和設計靈活的優勢，但受限于晶圓制造成本高，并且由于功率部分和控制驅動電路集成于同一晶圓，限制了整體性能的提升;

行業普遍采用的多晶圓+框架(Leadframe)的傳統封裝，雖通過功率部分單獨設計優化了晶圓成本與性能，但其復雜的銅皮打線工藝抬高了封裝成本。

晶豐明源第二代DrMOS采用全新Co-pack封裝，多晶圓+基板(Substrate)設計，融合了前兩種設計的優勢，在實現更優性能的同時，達成了更佳的綜合成本效益。

核心優勢

質量提升：制造工藝流程簡化，有效降低缺陷率，提升產品質量

效率提升：功率部分單獨優化，實現效率突破

成本降低：功率部分光照次數減少，顯著降低晶圓制造成本

功率密度提升：頻率提升，更小尺寸，更大功率密度

Co-pack封裝結合第二代自研BCD工藝對Rsp的優化，最終實現了相比第一代產品整體成本下降30%以上的卓越成效。

效率全面提升

采用同樣的封裝和耐壓條件下，第二代DrMOS的電流能力提升5~10A，帶來效率提升與溫升降低的雙重優勢。

對比在不同開關頻率下的效率，第二代5x5 DrMOS BPC86355的效率全面領先于第一代BPD80350E。其中，在高頻與重載工況下，其效率提升幅度尤為顯著。

溫升更低，減輕散熱壓力

同樣應用條件下，第二代5x5 DrMOS BPC86355的溫升比第一代5x5 DrMOS BPD80350E降低7℃，有效緩解散熱壓力，提升系統壽命與可靠性。

終端筆記本GPU Vcore電源方案

晶豐明源為某全球頭部GPU廠商提供了完整的高端顯卡Vcore電源解決方案，該方案采用晶豐明源16相2路控制器BPD93136+4相單路控制器BPD93204，搭配第二代4x6 Smart DrMOS BPC87860，滿足顯卡三路電源性能需求的同時，實現小型化設計與高電流輸出，以應對游戲本緊湊布局。

01、16相數字控制器 BPD93136

雙路輸出，16+0/15+1靈活相數配置

PWMVID/PMBUS調壓

200kHz~2MHz開關頻率可調

支持DrMOS IMON/DCR/LS Ron三種電流檢測方式

快速動態響應

支持SSC(展頻)功能，降低EMI

支持10套不同寄存器配置

TQFN 7x7封裝

02、4相數字控制器 BPD93204

單路輸出，4相

PWMVID調壓

300kHz~1MHz開關頻率可調

支持DrMOS IMON/DCR/LS Ron三種電流檢測方式

快速動態響應

支持SSC(展頻)功能，降低EMI

支持8套不同寄存器配置

TQFN 4x4封裝

03、第二代DrMOS BPC87860

寬輸入范圍：3V~24V

60A輸出電流能力

低靜態電流IQ=100uA

兼容3.3V/5V PWM電平

可支持高達2MHz開關頻率

精確的電流/溫度匯報和報警指示

OCP/OTP/BOOT UV/PWM高電平超時保護功能

TLGA 4x6封裝

高效率：峰值效率可達87%

BPC87860是基于晶豐明源第二代自研BCD工藝和Co-Pack封裝開發的Smart DrMOS，在筆記本Vcore常見應用條件下，峰值效率高達87%，為游戲本重載應用提供高能效、低發熱的電源系統，有利于系統發揮性能，獲得更好的游戲體驗。在輕負載(10mA)也能達到75%的效率，可以讓筆記本電腦在輕度應用獲得更長的續航。

高可靠：尖峰電壓低至23.2V

BPC87860開關時的尖峰電壓抑制的非常好，在20V輸入，拉載60A的條件下，SW尖峰電壓最大只有23.2V，而競品在同樣條件下，尖峰電壓達到33V。更低的尖峰電壓帶來更高的可靠性和更低的EMI。

總結

晶豐明源第二代Smart DrMOS，憑借第二代自研BCD工藝和全新Co-Pack封裝，實現了效率、寄生參數、溫升、功率密度與成本的多維優化，為客戶提供更有競爭力的電源解決方案，助力人工智能、元宇宙、云計算及自動駕駛的技術迭代。

晶豐明源

上海晶豐明源半導體股份有限公司(股票代碼:688368)成立于2008年10月，是專業的電源管理和控制驅動芯片供應商。公司總部位于上海，在杭州、成都、南京、上海、海南和香港設有子公司，在深圳、廈門、中山、東莞、蘇州等13個城市設有客戶支持中心，為客戶提供全方位服務。

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*本文提及的測試結果是在實驗室條件下真實測試下得出，實際產品視應用環境和批次差異，可能會存在不同，晶豐明源保留最終解釋權