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FT8370A/B/C/CD/CP高性能次邊同步整流芯片詳細解析(典型電路圖)

許亦顏 ? 來源:許亦顏 ? 作者:許亦顏 ? 2025-11-18 15:37 ? 次閱讀
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FT8370x 是 輝芒微推出的次邊同步整流驅動器家族,專為 DCM/QR 模式反激轉換器設計。系列成員包括:

FT8370A(SOP-8)

FT8370B(SOP-8)

FT8370C(SOP-8)

FT8370CD(DIP-8)

FT8370CP(PSOP-8,帶散熱焊盤)


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共同特點:


內置 同步整流 MOSFET

柵電荷小、導通電阻低、開關速度快

極少外圍元件(無需自舉電容肖特基二極管

輸出欠壓快速檢測,可配合原邊 FT8393x 實現 超快動態響應


典型應用:反激次邊“極簡”示范

工作邏輯:


次級電流正向流動時,內部MOS同步整流,替代肖特基,效率提升3~5%

VDET實時監測輸出電壓,低于設定值時發送“缺電脈沖”至原邊

原邊FT8393x收到脈沖后立即提升開關頻率/占空比動態響應<100μs

實測:12V/2A輸出,效率從87.1%→91.4%輸出紋波下降40%

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管腳定義:一張表看懂所有型號

管腳功能 FT8370A/B/C/CD FT8370CP 描述
1 DR 1 DR 同步整流MOS驅動輸出(接外部MOS柵極,芯片已內置MOS時懸空
2 VDET 2 VDET 雙功能
① 內部MOS漏源電壓檢測
② 輸出欠壓信號輸出(開漏,低有效)
3 NC 3 NC 未連接,可接地或懸空
4 VCC 4 VCC 芯片供電(推薦4.7μF陶瓷到GND)
5,6,7,8 GND 6,7,8 GND 同步整流MOS源極,功率地
7,8 Drain 5 + Exposed PAD 內置MOS漏極,底部散熱片即Drain,Layout時需讓次邊電流“先流經GND腳,再進入Drain”

關鍵提示:底部散熱片(Exposed PAD)= Drain不能接地! 必須作為功率節點處理,鋪銅面積≥20mm2,打3×3過孔到內層,兼顧散熱與電流。

封裝差異:如何選對型號?

型號 封裝 散熱路徑 持續電流建議 特點
FT8370A/B/C SOP-8 通過Drain腳散熱 2A 通用型,成本低
FT8370CD DIP-8 通過Drain腳+引腳散熱 2.5A 插件,維修方便
FT8370CP PSOP-8 底部Drain焊盤散熱 3A+ 大電流,散熱最佳

選型口訣
2A以下選SOP,3A以上選CP;插件波峰選CD,兩層板過EMI選CP。

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PCB Layout 4 條鐵律

電流路徑先GND后Drain
次邊電流必須先流經GND(5,6,7,8)腳,再進入Drain散熱片,否則芯片誤動作。

VDET走線短而遠離高壓
VDET既做檢測又做信號輸出,長度<10mm遠離SW與Drain銅皮,防止dV/dt誤觸發。

VCC去耦電容貼近4腳
4.7μF X7R陶瓷,距離VCC<2mm,GND回路獨立,不與功率地共用回流

底部散熱片=Drain節點
鋪銅≥20mm2,3×3過孔到內層不要接地! 不要接地! 不要接地!

實測數據:FT8370CP @12V/3A

項目 數值
輸入電壓 24V DC
輸出電壓 12V
輸出電流 3A
效率 91.8%(原邊FT8393x)
輸出紋波 60mV
動態響應 0→3A ±120mV,恢復時間<80μs
芯片表面溫升 18℃(TA=25℃,無風)

效率提升:同條件肖特基方案僅87.2%,同步整流凈增4.6%,整機溫降8℃。


常見問題速答

Q1. 可以單獨使用FT8370x嗎?

可以,芯片自帶MOS,無需外接肖特基,但需原邊控制在DCM/QR模式

Q2. VDET怎么接到原邊?

→ VDET為開漏輸出,通過光耦或電容耦合把“欠電脈沖”送至原邊FB或EN腳,詳細電路參考FMD官方參考設計

Q3. 底部散熱片能接地嗎?
絕對不能! 它是Drain高壓節點,接地即短路,Layout前務必看封裝圖

總結:讓反激次邊“零外設”


FT8370x系列用一顆芯片+一顆電容就把同步整流+欠壓告警+散熱通道全部搞定,省掉肖特基、省掉自舉、省掉檢流電阻,效率提升4~6%,BOM減少3顆器件。

審核編輯 黃宇

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