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選型手冊:MOT4633G 互補增強型 MOSFET 晶體管

深圳市首質(zhì)誠科技有限公司 ? 2025-11-17 14:43 ? 次閱讀
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仁懋電子(MOT)推出的MOT4633G是一款N+P 互補增強型 MOSFET,集成 N 溝道與 P 溝道單元,憑借先進溝槽設(shè)計、低導(dǎo)通電阻及低熱阻特性,適用于電機驅(qū)動、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等場景。

一、產(chǎn)品基本信息

  • 器件類型:N+P 互補增強型 MOSFET(同時集成 N 溝道與 P 溝道單元)
  • 核心參數(shù)
    • N 溝道
      • 漏源耐壓(\(BV_{DSS}\)):40V;
      • 導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時小于 12mΩ,\(V_{GS}=4.5V\)時小于 17mΩ;
    • P 溝道
      • 漏源耐壓(\(BV_{DSS}\)):-40V;
      • 導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=-10V\)時小于 29mΩ,\(V_{GS}=-4.5V\)時小于 34mΩ。

二、核心特性

  • 先進溝槽單元設(shè)計:通過優(yōu)化的溝槽結(jié)構(gòu),實現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻,提升電流密度與功率轉(zhuǎn)換效率;
  • 低熱阻特性:結(jié) - 殼熱阻(\(R_{thJC}\))僅 3.6℃/W,大電流工況下結(jié)溫控制更穩(wěn)定;
  • 互補拓?fù)溥m配:N+P 溝道集成,可直接應(yīng)用于推挽、橋式等互補對稱電路,簡化系統(tǒng)設(shè)計。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T_c=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)

  • N 溝道
    • 漏源極電壓(\(V_{DS}\)):40V;
    • 柵源極電壓(\(V_{GS}\)):±20V;
    • 連續(xù)漏極電流:\(T_c=25^\circ\text{C}\)時 28A,\(T_c=100^\circ\text{C}\)時 19.8A;
    • 脈沖漏極電流(\(I_{DM}\)):70A;
    • 最大功率耗散(\(P_D\)):36W;
    • 結(jié) - 殼熱阻(\(R_{thJC}\)):3.6℃/W;
    • 工作 / 存儲結(jié)溫(\(T_J, T_{STG}\)):-55~+150℃。
  • P 溝道
    • 漏源極電壓(\(V_{DS}\)):-40V;
    • 柵源極電壓(\(V_{GS}\)):±20V;
    • 連續(xù)漏極電流:\(T_c=25^\circ\text{C}\)時 -15A,\(T_c=100^\circ\text{C}\)時 -10.6A;
    • 脈沖漏極電流(\(I_{DM}\)):-60A;
    • 最大功率耗散(\(P_D\)):36W;
    • 結(jié) - 殼熱阻(\(R_{thJC}\)):3.6℃/W;
    • 工作 / 存儲結(jié)溫(\(T_J, T_{STG}\)):-55~+150℃。

四、封裝與應(yīng)用場景

  • 封裝形式:PDFN5X6-8L 表面貼裝封裝,每卷 5000 片,適配高密度電路板的空間約束;
  • 典型應(yīng)用
    • 電機驅(qū)動:在小型電機的橋驅(qū)電路中作為互補開關(guān),低損耗特性保障電機動力與效率;
    • DC-DC 轉(zhuǎn)換器:在同步整流、降壓 / 升壓拓?fù)渲凶鳛榛パa開關(guān)管,簡化電路設(shè)計并提升電源轉(zhuǎn)換效率。

五、信息來源

仁懋電子(MOT)官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理,實際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。)

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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