仁懋電子（MOT）推出的MOT4633G是一款N+P 互補增強型 MOSFET，集成 N 溝道與 P 溝道單元，憑借先進溝槽設計、低導通電阻及低熱阻特性，適用于電機驅動、DC-DC 轉換器等場景。

一、產品基本信息

• 器件類型：N+P 互補增強型 MOSFET（同時集成 N 溝道與 P 溝道單元）
• 核心參數：
  • N 溝道：
    • 漏源耐壓（\(BV_{DSS}\)）：40V；
    • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時小于 12mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時小于 17mΩ；
  • P 溝道：
    • 漏源耐壓（\(BV_{DSS}\)）：-40V；
    • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)時小于 29mΩ，\(V_{GS}=-4.5V\)時小于 34mΩ。

二、核心特性

• 先進溝槽單元設計：通過優化的溝槽結構，實現超低導通電阻，提升電流密度與功率轉換效率；
• 低熱阻特性：結 - 殼熱阻（\(R_{thJC}\)）僅 3.6℃/W，大電流工況下結溫控制更穩定；
• 互補拓撲適配：N+P 溝道集成，可直接應用于推挽、橋式等互補對稱電路，簡化系統設計。

三、關鍵電氣參數（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

• N 溝道：
  • 漏源極電壓（\(V_{DS}\)）：40V；
  • 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：±20V；
  • 連續漏極電流：\(T_c=25^\circ\text{C}\)時 28A，\(T_c=100^\circ\text{C}\)時 19.8A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：70A；
  • 最大功率耗散（\(P_D\)）：36W；
  • 結 - 殼熱阻（\(R_{thJC}\)）：3.6℃/W；
  • 工作 / 存儲結溫（\(T_J, T_{STG}\)）：-55~+150℃。
• P 溝道：
  • 漏源極電壓（\(V_{DS}\)）：-40V；
  • 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：±20V；
  • 連續漏極電流：\(T_c=25^\circ\text{C}\)時 -15A，\(T_c=100^\circ\text{C}\)時 -10.6A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：-60A；
  • 最大功率耗散（\(P_D\)）：36W；
  • 結 - 殼熱阻（\(R_{thJC}\)）：3.6℃/W；
  • 工作 / 存儲結溫（\(T_J, T_{STG}\)）：-55~+150℃。

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：PDFN5X6-8L 表面貼裝封裝，每卷 5000 片，適配高密度電路板的空間約束；
• 典型應用：
  • 電機驅動：在小型電機的橋驅電路中作為互補開關，低損耗特性保障電機動力與效率；
  • DC-DC 轉換器：在同步整流、降壓 / 升壓拓撲中作為互補開關管，簡化電路設計并提升電源轉換效率。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數據為準。）