8 月 9 日是中國半導體產業極具里程碑的日子，這天，禁錮數十年的高端生產技術被中芯國際一紙財報公開書文末，“14 納米 FinFET 技術已導入客戶”短短幾行字給徹底解放，正式宣示中芯 14 納米制程研發成功，這也是中國目前最高端的芯片制造工藝技術的正式落地。

而這一天，是中芯聯合首席執行官梁孟松加入中芯后第 298 天。而中芯口中這位神秘的“客戶”，業界推測，中國第一大 IC 設計公司海思半導體的呼聲極高。

臺積電、三星拼 7 納米肉搏戰，中芯 14 納米將快速追上

對比臺積電、三星電子今年進入 7 納米技術肉搏戰，中芯國際從 28 納米走到 14 納米 FinFET 技術節點的進展看似是順水行舟，但這一步也走了許多年，直到 2017 年 10 月 16 日延攬前三星、臺積電研發高層梁孟松加入，中國的高端技術工藝突破口才曙光乍現。

中芯國際在 8 月 9 日發布最新一季度財務報告明確宣布，14 納米 FinFET 技術獲得重大進展，第一代 14 納米 FinFET 技術已經進入客戶導入生產階段，而在 28 納米工藝節點上，除了 PolySiON 技術和 HKC 技術外，28 納米 HKC + 技術也完成開發，同時 HKC 技術持續上量且良率顯著提升。

雖然中芯國際沒有透露這位“客戶”的身份，但根據行業內人士判斷，第一個捧場中芯 14 納米 FinFET 技術的客戶由海思出線的機率極高，另外，也傳出高通和博通兩大 IC 設計公司也是中芯亟欲網羅進入“14 納米家族”的兩大目標群。

中芯國際成功研發 14 納米并進入生產后，將成為中國自主研發的最高端工藝技術，追平臺積電位于南京采用 16 納米 FinFET 技術生產的 12 寸廠。再者，以全球半導體技術陣營的角度來看，中芯在 14 納米 FinFET 技術上的成功，將會開始用力追趕聯電，給對方不小壓力，加上聯電也計劃到上海 A 股進行上市，未來彼此交鋒的機率只會多、不會少。

2015 年時，中芯國際曾與高通、比利時微電子 imec 合作開發 14 納米技術工藝，計劃以跨國合作的方式來打造中國最先進的集成電路研發平臺，不過，這樣的合作模式并沒有成功，直到網羅梁孟松加入中芯后，成為突破中國半導體制造技術藩籬的關鍵轉折。

梁孟松讓成立 18 年的中芯進入“轉骨期”，業界認為“神乎其技”

8 月 9 日是梁孟松加入中芯國際的第 298 天，他用了不到一年的時間，讓停滯將近 4 年的技術工藝往前大步跨進。他究竟是如何辦到的？如何以 298 天的時間，讓已經成立 18 年的中芯國際進入脫胎換骨的“轉骨期”，有業界人士以“神乎其技”來形容這項得來不易的成就。

而就在同一天，上海市市委書記李強也進行半導體產業發展情況的調研，實地視察半導體制造商中芯國際、華虹集團旗下的 12 寸晶圓廠上海華力微，以及半導體關鍵設備商供應商中微半導體，還有中國電子信息產業集團旗下生產智能卡和安全芯片的華大半導體。

圖 | 上海市市委書記李強調研中芯國際，梁孟松（左）和中芯董事長周子學陪同介紹

中芯國際身為國內半導體生產制造的領頭羊，經歷上一任首席執行官邱慈云協助公司將營運結構大改造后，現在的聯合首席執行官梁孟松和趙海軍，一人負責高端技術研發，另一人負責生產制造的管理，協力讓中芯國際突破高端技術的研發和生產瓶頸。

梁孟松和趙海軍雙雙表示，中芯正處于過渡時期，在推進技術，建立平臺和構筑合作關系上已經看到令人鼓舞的初步進展，同時，中芯今年會朝著高個位數的營收成長邁進。

如今，梁孟松領軍的研發團隊已經成功將 14 納米 FinFET 導入客戶端應用，下一階段目標是將該技術導入量產，希望 2019 年進入量產并且擴大客戶群。

中芯國際在14納米 FinFET奠定基石后，公司指出下一步是推進第二代的 FinFET 工藝技術，以追求更好的 PPAC（power-performance-area-cost）。

業界期待，梁孟松加入后的中芯國際在高端技術上會快速推進，14 納米 FinFET 只是第一步，極可能在2019年就會緊接著推出第二代的 FinFET 技術，且因為臺積電、三星都已進入 7 納米工藝，為此，第二代 FinFET 可能會定調為一個全新的制程技術，例如“8 納米”或是“9 納米”工藝節點，跳過傳統業界“10 納米”的命名，也作為和7 納米工藝之間的區隔。

FinFET 技術延續摩爾定律，可一路做到 7 納米工藝

這次讓國內半導體生產工藝技術曙光乍現的 14 納米 FinFET 為什么很重要？這也是中國第一個自主研發的 FinFET 技術。

細數全球量產 FinFET 架構技術的半導體大廠包括英特爾、臺積電、三星、 GlobalFoundries、聯電等，上一代傳統的 2D 電晶體架構發展至 28 納米工藝節點后，因其物理限制導致很難再將該技術往下微縮，現在所謂的 22 納米工藝也都是 28 納米工藝的延續，因此，28 納米也常被稱為是依循傳統摩爾定律的最后一個技術節點。

全新的 FinFET 技術是 3D 鰭式電晶體架構，是目前半導體的主流技術，也憑借該技術架構延續摩爾定律的壽命。

英特爾從 22 納米開始發展 FinFET 技術工藝，三星在 14 納米工藝世代、臺積電在 16 納米工藝開始導入 FinFET 架構，聯電在 14 納米導入，GlobalFoundries 的 14 納米 FinFET 技術則是與三星做技術授權，放眼全球半導體產業，無論是 10 納米或是 7 納米工藝，也都是采用 FinFET 技術架構。

中芯國際的技術突破，無疑是為國內芯片產業發展注入全新動能，這不只是心理層面上的激勵作用，更具有大步向前的實質性意義，凸顯國內半導體產業的一次關鍵性跨步躍進。

延伸閱讀：

中芯國際Q2總收入8.907億美元

日前，中芯國際帶來了2018年第二季度財報，并且表示自主的“14nm”工藝已取得重大進展，而“28nm”工藝也在穩定前進。

通過第二季度財報來看，中芯國際第二季度總收入8.907億美元，同比增長18.6％，環比增長7.2％；毛利潤2.178億美元，同比增長12.2％，環比下降1.1％；毛利率24.5％，同比下降1.3個百分點，環比下降2.0個百分點。

中芯國際的產能利用率為94.1％，比去年同期提高了8.4個百分點，比前一季度也提高了5.8個百分點。當季出后晶圓125.8萬塊，同比增長24％，環比增長16％。

另外據中芯國際聯席CEO趙海軍博士和梁孟松博士透露，中芯國際已經在14nm FinFET技術開發上獲得重大進展，第一代FinFET技術研發已進入客戶導入階段。

在28nm工藝方面，現在28nm的HKC版本產量正在持續上升，良率已達業界水準，并且新一代HKC+技術開發也已完成，加上“PolySiON”，形成了先進的平臺。

目前28nm工藝在中芯國際總收入的占比可達到8.6％，相比去年同期提升2.0個百分點，相比第一季度提高了6.4個百分點。

中芯國際預期：

季度收入下降4%至6%。不含授權收入影響，季度收入持平至增加2%。

毛利率介于19%至21%的范圍內。

中芯國際聯席首席執行官，趙海軍和梁孟松評論說，中芯處于蓄勢過渡時期。在推進技術，建立平臺和構筑合作關系上我們看見令人鼓舞的初步進展。同時，我們向今年高個位數的收入成長目標邁進。隨著需求和產能利用率在二季度回升，不包含技術授權收入的中國區收入環比和同比成長了14%和38%。作為中國首選晶圓代工伙伴，我們相信必將受惠于中國晶片市場的成長機遇。

中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”，紐交所代號：SMI，港交所股份代號：981），是一家集成電路晶圓代工企業，提供0.35微米到28納米不同技術節點的晶圓代工與技術服務。中芯國際總部位于上海，擁有全球化的制造和服務基地。 在上海建有一座300mm晶圓廠和一座200mm晶圓廠；在北京建有一座300mm晶圓廠和一座控股的300mm先進制程晶圓廠；在天津和深圳各建有一座200mm晶圓廠；在江陰有一座控股的300mm凸塊加工合資廠；在意大利有一座控股的200mm晶圓廠。中芯國際還在美國、歐洲、日本和***地區設立行銷辦事處、提供客戶服務，同時在香港設立了代表處。