國際微波研討會(IMS)是RF、微波和毫米波(mmWave)行業內規模最大、最重要的活動之一，將所有關心RF的人與最新話題、技術、趨勢和新產品聯系起來。今年的IMS上，Qorvo以琳瑯滿目的新品展示，領先世界的RF技術“C位出道”！不信就一起隨著Qorvo基礎設施和國防部戰略營銷經理Katie Caballero的記錄來看看吧。

1面向GaN和5G的新產品

關于GaN最令人激動的地方是它不再是新興技術，它已經問世并且在國防和商業領域有了廣泛應用。最值得注意的是5G和下一代基站部署，因為業界已開始推廣5G基礎設施，以在2020年支持首批5G手機。

Qorvo已進入穩速位置并掌握數十個客戶的現場測試，同時宣布5G FEM (39 GHz)且擁有最豐富的產品組合。

2面向6 GHz以下頻段的大規模MIMO和5G無線基礎設施解決方案

Qorvo一直處于新型小基站、大規模MIMO、5G和毫米波基站技術的前沿。展會第一天，我們宣布了五個新型放大器和開關LNA模塊，它們將為客戶提供更多面向5G應用的RF產品組合選項：

適合6 GHz以下5G應用的：QPA4501、QPA3506

Doherty放大器：QPA4501、QPA3506、QPB9329、QPB9319

適合6 GHz以下5G應用的開關LNA模塊：QPA9120

適合6 GHz以下5G應用的寬帶驅動放大器：QPA9120

3適合AESA雷達系統的GaN X頻段FEM

高功率國防解決方案始終是IMS展會的亮點，且我們的二次產品發布重點介紹了適合高級有源電子掃描陣列(AESA)雷達系統的新產品。

Qorvo的兩款新型超緊湊GaN X頻段前端模塊(FEM)QPM2637和QPM1002符合EAR99出口要求，在緊湊的單封裝中集成了四種功能，包括RF開關、功率放大器、低噪聲放大器和限幅器。典型的GaAs LNA在不到100 mW的輸入功率條件下都會受損，與之相比，GaN FEM有了很大改善，接收端可承受高達4 W的輸入功率，且不會造成永久損壞。

4聚焦QPD1025L，L頻段1800 W GaN晶體管

2018年IMS展會上備受關注的另一款Qorvo產品是QPD1025L 1800 W、雙通道分立式GaN-on-SiC HEMT。在《微波雜志》鉆石周年紀念(60)版中采用的QPD1025L提供出色的信號完整度和更大的范圍，這對L頻段航空電子和敵我識別應用來說至關重要。它還采用無耳式NI-1230封裝，如同QPD1025。

Qorvo 的 QPD1025L 輸入匹配 GaN 晶體管出現在全球渠道合作伙伴 Mouser Electronics 的展位上。

5與Keysight Technologies和National Instruments合作演示5G

由于設備制造商正在構建用于支持5G的無線基礎設施，他們需要測試設備，以確保其設計能夠滿足商用部署要求。我們與兩大測試/測量公司Keysight Technologies和National Instruments合作，演示使用5G FEM實現手機和基站的優勢。

與Keysight Technologies合作演示使用Qorvo QPF4006的5G波束形成測試，業界首款適合39GHz相控陣5G基站的GaN FEM。

National Instruments 使用 Qorvo QM19000 - 適合移動設備的 5G RF FEM 演示移動 5G PA 測試。

經過多年針對5G的探討和規劃，2017年12月發布了非獨立(NSA) 5G規范，今年6月又發布了獨立(SA) 5G規范，雖然開發5G的工作還沒有完成，但現在是基礎設施制造商和運營商實現這一愿景的時候。Qorvo已迫不及待為微波行業做準備，期待在2019年的IMS展會上呈現更多創造性的RF技術了！