東芝與西部數據的合資閃存代工廠已經開始制造96層3D NAND芯片,而兩家合作伙伴正在此基礎上積極生產四級單元(簡稱QLC)產品。其中仍在使用TLC的東芝公司發布一款三級單元的1 TB SSD,而率先邁入QLC時代的西部數據則擁有一款四級單元的1.33 Tb芯片。
東芝公司的XG6為一款單面M.2“口香糖”(22 x 80毫米)外形尺寸的產品,其屬于XG5 M.2驅動器的換代方案。這款驅動器采用64層3D NAND芯片,容量選項分別為256 GB、512 GB以及1 TB。前后兩代產品皆配備有一個NVMe接口。
盡管采用其512 Gb晶圓的96層TLC芯片在單位容量方面較64層方案提升了40%,但XG6驅動器的容量水平卻仍與XG5保持一致。
與XG5相比,XG6的另一個奇怪之處在于其性能表現。XG5的隨機讀取IOPS高達14萬4千次,隨機寫入IOPS則高達11萬9250次——這屬于典型的隨機讀取速度高于寫入速度的模式。而XG6的參數分別為隨機寫入IOPS為35萬5千次,隨機讀取IOPS為36萬5千次。
XG5的連續讀取與連續寫入傳輸帶寬分別為每秒3 GB與每秒2.1 GB,XG6則分別為每秒3.18 GB與每秒2.96 GB——這又重新回歸了讀取快于寫入的典型模式。
東芝公司還擁有一款XG5-P,即高端M.2 2 TB驅動器,其中采用64層TLC 3D NAND芯片。因此,我們希望能夠看到未來推出采用96層TLC芯片的XG6-P,其容量或將達到3 TB水平。
XG6提供五年質保與150萬小時平均故障前運行時長。具體使用壽命信息目前尚不明確。東芝公司正在向OEM廠商提供樣品,這款驅動器將主要用于PC/移動端、嵌入式設備以及數據中心場景。
東芝公司表示,其正在開發一款QLC(四級單元)芯片,這將把現有TLC芯片的容量進一步提升三分之一。
西部數據與東芝的QLC芯片
西部數據公司目前擁有一款采用同一晶圓廠出產芯片的1.33 Tb QLC芯片,其表示這是目前業界內存在的存儲容量最高的單一3D NAND芯片。
這款芯片現已開始提供樣品,并計劃于今年年底之前批量出貨以用于SanDisk品牌的消費級產品。西部數據方面表示,預計這些芯片將出現在零售、移動、嵌入、客戶以及企業級產品線當中。SanDisk Ultra目前提供的最高容量水平為2 TB,我們預計新芯片的推出可能將其容量提升至3 TB。
作為東芝存儲器集團下轄的子公司,東芝美國有限公司亦擁有一套96層QLC芯片的原型設計方案。該公司表示其單芯片容量為1.33 Tb,與西部數據保持一致。東芝方面將這些芯片每16個一組堆疊在同一封裝之內,從而生產容量達2.66 TB的“超級芯片”。
相關樣品將于今年9月向SSD及控制器供應商交付,全面量產時間預計為2019年。
本月早些時候,三星公司表示其正在生產90層以上3D NAND芯片,并著手開發QLC方案。美光公司剛剛進入96層領域,目前擁有2.5英寸ION 5210 QLC SSD,其采用64層技術且容量為7.68 TB。我們預計未來推出的96層版本可能將容量提升至10 TB水平。
英特爾公司發布推文表示,其目前正在生產數據中心級QLC SSD,且目標是開發出容量達20 TB的2.5英寸SSD。更多細節預計將在8月6日至9日召開的Flash Memory峰會上公布。
可以看到,我們正全面進入96層與QLC閃存時代,由SATA與SAS到NVMe的過渡也在持續進行當中。感謝閃存的蓬勃發展為我們帶來一系列振奮人心的好消息。
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原文標題:3D NAND閃存技術全面進入96層和QLC時代
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