Texas Instruments TPSM560R6電源模塊是一款高集成度600mA電源解決方案,將60V輸入、降壓DC/DC轉換器和功率MOSFET、屏蔽電感器和被動元件結合在一個熱增強型QFN封裝中。
數據手冊:*附件:Texas Instruments TPSM560R6電源模塊數據手冊.pdf
特性
- 支持功能安全
- 可提供文檔協助功能安全系統設計
- 5.0mm × 5.5mm × 4.0mm增強型HotRod? QFN
- 出色的散熱性能:在85°C無氣流條件下輸出功率高達18W
- 標準占位面積:單個大導熱墊,可從周邊訪問所有引腳
- 專為可靠和堅固的應用而設計
- 寬輸入電壓范圍:4.2V至60V
- 輸入電壓瞬變保護:高達66V
- 工作結溫范圍:–40°C至+125°C
- EXT后綴結溫范圍:–55°C至+125°C
- 固定切換頻率:400kHz
- 工作模式:FPWM
- 優化用于超低EMI要求
- 集成屏蔽電感器和高頻旁路電容器
- 滿足EN55011 EMI標準
- 擴頻選項可減少排放
- 非開關靜態電流:26μA
- 單調啟動進入預偏置輸出
- 無環路補償或自舉組件
- 遲滯精度使能和輸入UVLO
- 遲滯熱關斷保護
典型原理圖

TPSM560R6:高集成度60V輸入電源模塊,為工業應用提供緊湊高效的電源解決方案
引言
在工業自動化、傳感器網絡、電機驅動和遠程監控等應用中,電源設計往往面臨高輸入電壓、有限空間和嚴苛電磁兼容性要求的挑戰。Texas Instruments推出的TPSM560R6電源模塊,以其高集成度、寬輸入電壓范圍和優異的散熱性能,為工程師提供了一種即插即用的電源解決方案。本文將深入解析TPSM560R6的關鍵特性、工作原理及其在實際應用中的設計考量。
一、TPSM560R6核心特性概覽
TPSM560R6是一款高度集成的降壓型DC/DC電源模塊,具有以下突出特點:
- 寬輸入電壓范圍 :4.2V至60V,支持高達66V的瞬態電壓保護
- 可調輸出電壓 :1.0V至6V,最大輸出電流600mA
- 高集成度 :內置功率MOSFET、屏蔽電感和高頻旁路電容
- 優異的熱性能 :采用Enhanced HotRod? QFN封裝(5.0mm × 5.5mm × 4.0mm),在85°C環境下無需風扇即可提供高達18W輸出功率
- 低EMI設計 :符合EN55011標準,支持擴頻功能以進一步降低輻射
- 功能安全支持 :提供相關文檔助力功能安全系統設計
二、關鍵技術與內部結構
2.1 集成化設計
TPSM560R6將控制器、電感、MOSFET和必要的無源元件集成在一個封裝內,極大簡化了外圍電路設計。用戶僅需添加少量外部元件(如輸入輸出電容和反饋電阻)即可構建完整的電源系統。
2.2 熱管理與封裝
模塊采用15引腳QFN封裝,底部設有大面積散熱焊盤,通過優化PCB布局可有效降低熱阻(自然對流下θJA為20.4°C/W)。圖10-5提供了不同銅面積和氣流條件下的熱阻曲線,幫助工程師進行熱設計。
2.3 控制與保護功能
- 軟啟動與預偏置啟動 :避免啟動時的電流沖擊和輸出電壓過沖
- 精確使能(EN)與欠壓鎖定(UVLO) :支持外部電阻調整啟動閾值
- 功率良好(PGOOD)指示 :開漏輸出,用于系統時序控制與故障監測
- 過流與過熱保護 :具備打嗝模式短路保護和自動恢復的熱關斷功能
三、布局與EMI優化建議
1 PCB布局關鍵點(參見第10節)
- 將輸入輸出電容盡量靠近模塊引腳
- 功率地(PGND)與模擬地(AGND)單點連接
- 反饋電阻盡量靠近FB引腳,走線短且遠離噪聲源
- 散熱焊盤通過多過孔連接至內部地平面
2 EMI性能
TPSM560R6默認滿足EN55011標準。若系統對EMI有更高要求,可啟用擴頻功能進一步降低輻射(見圖10-6至圖10-9)。
四、應用場景推薦
TPSM560R6適用于多種工業與嵌入式場景,包括:
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轉換器
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