三星這兩年把半導體代工業(yè)務作為重點來抓，今年率先推出了7nm EUV工藝，搶在了臺積電、GlobalFoundries及英特爾前面。如今這幾家半導體制造公司都要依賴FinFET晶體管工藝，除了英特爾之外，三星是最早進入FinFET工藝的廠商之一，但是他們的FinFET工藝也惹上了麻煩，上周末被美國法院判決侵犯了韓國科學技術院的專利，需要賠償4億美元，三星表示不服。

三星與韓國科學技術院（KAIST）在FinFET工藝上的爭論由來已久，KAIST在訴訟中表示當時還在KAIST工作的教授Lee Jong-ho在2001年向三星展示過FinFET技術，三星起初對FinFET工藝并不上心，但是后來看到英特爾的FinFET量產(chǎn)之后也加快了FinFET工藝開發(fā)，三星使用了Lee Jong-ho教授的FinFET工藝為基礎改進FinFET工藝，最終在2011年推出了跟Lee Jong-ho教授研發(fā)的FinFET工藝相近的FinFET技術。

KAIST就這樣跟三星結(jié)下了梁子，2016年KAIST在美國德州的知識產(chǎn)權局起訴了三星，宣稱三星的FinFET工藝侵犯了他們的專利權。三星回應稱他們是跟KAIST合作開發(fā)的FinFET工藝，并質(zhì)疑后者的FinFET專利有效性，不過陪審團沒有認可三星的辯護，最終在上周判決三星侵犯KAIST的FinFET專利權成立，需要賠償KAIST大概4億美元。

陪審團認為三星侵權是“故意的”，所以這個4億美元的賠償還不是最終的，有可能被重罰到12億美元。

三星這邊對判決表示不服，表示將會考慮所有可能的選擇來獲得合理的結(jié)果，包括上訴。

此外，這起侵權案中還涉及到了高通及GlobalFoundries，他們也被判侵權成立，不過法院沒有要求他們賠償任何損失。