這款 25 位 1：1 或 14 位 1：2 可配置寄存器緩沖器設(shè)計(jì)用于 1.7V 至 1.9V VCC 工作。在 1：1引腳配置，每個(gè)DIMM只需要一個(gè)器件即可驅(qū)動(dòng)9個(gè)SDRAM負(fù)載。在 1：2 引腳排列中 配置中，每個(gè) DIMM 需要兩個(gè)設(shè)備來(lái)驅(qū)動(dòng) 18 個(gè) SDRAM 負(fù)載。

所有輸入均SSTL_18，但復(fù)位 （RESET） 和控制 （Cn） 輸入除外，它們是 LVCMOS。所有輸出都是 邊沿控制電路針對(duì)未端接的 DIMM 負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化，并滿足SSTL_18規(guī)格，但 漏極開路誤差 （QERR） 輸出。
*附件：sn74sstub32866.pdf

SN74SSTUB32866采用差分時(shí)鐘（CLK和CLK）工作。數(shù)據(jù)在十字路口登記 CLK 走高，CLK 走低。

SN74SSTUB32866在奇偶校驗(yàn)位 （PAR_IN） 輸入端接受來(lái)自內(nèi)存控制器的奇偶校驗(yàn)位， 將其與與DIMM無(wú)關(guān)的D輸入（D2-D3、D5-D6、D8-D25，當(dāng)C0 = 0時(shí)）上接收到的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較 和 C1 = 0;當(dāng) C0 = 0 且 C1 = 1 時(shí)，D2-D3、D5-D6、D8-D14;或 D1-D6、D8-D13 當(dāng) C0 = 1 時(shí)為 1） 并指示漏極開路 QERR 引腳上是否發(fā)生奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤（低電平有效）。約定是 均勻平價(jià);即，有效奇偶校驗(yàn)定義為與DIMM無(wú)關(guān)的數(shù)據(jù)輸入中的偶數(shù)個(gè)奇偶校驗(yàn)， 與奇偶校驗(yàn)輸入位結(jié)合。要計(jì)算奇偶校驗(yàn)，所有與 DIMM 無(wú)關(guān)的數(shù)據(jù)輸入必須與已知的 邏輯狀態(tài)。

當(dāng)用作單個(gè)器件時(shí)，C0 和 C1 輸入連接為低電平。在此配置中，在 PAR_IN輸入信號(hào)，在它所應(yīng)用的輸入數(shù)據(jù)后一個(gè)周期到達(dá)。兩個(gè)時(shí)鐘周期后 數(shù)據(jù)被注冊(cè)，生成相應(yīng)的部分奇偶校驗(yàn)輸出 （PPO） 和 QERR 信號(hào)。

成對(duì)使用時(shí)，第一個(gè)寄存器的C0輸入為低電平，第二個(gè)寄存器的C0輸入為低電平 高。兩個(gè)寄存器的C1輸入都連接為高電平。奇偶校驗(yàn)，在數(shù)據(jù)輸入后一個(gè)周期到達(dá)，該 它適用，在第一設(shè)備的PAR_IN輸入信號(hào)上進(jìn)行檢查。數(shù)據(jù)注冊(cè)后兩個(gè)時(shí)鐘周期， 相應(yīng)的 PPO 和 QERR 信號(hào)在第二設(shè)備上生成。第一個(gè)的 PPO 輸出 寄存器級(jí)聯(lián)到第二個(gè)SN74SSTUB32866的PAR_IN。第一個(gè)的 QERR 輸出 SN74SSTUB32866保持浮動(dòng)狀態(tài)，有效錯(cuò)誤信息鎖存在第二個(gè)的 QERR 輸出上 SN74SSTUB32866。

如果發(fā)生錯(cuò)誤并且 QERR 輸出被驅(qū)動(dòng)為低電平，則它將保持低電平鎖存至少兩個(gè)時(shí)鐘周期或 直到RESET被驅(qū)動(dòng)為低電平。如果發(fā)生兩個(gè)或多個(gè)連續(xù)的奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤，則 QERR 輸出被驅(qū)動(dòng)為低電平，并且 鎖存低電平時(shí)鐘持續(xù)時(shí)間等于奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤持續(xù)時(shí)間，或直到RESET被驅(qū)動(dòng)為低電平。這 與 DIMM 相關(guān)的信號(hào)（DCKE、DCS、DODT 和 CSR）不包括在奇偶校驗(yàn)計(jì)算中。

C0輸入控制1：2引腳排列的引腳配置，從寄存器A配置（低電平時(shí)）到。 register-B 配置（高電平時(shí)）。C1 輸入控制 25 位 1：1 的引腳配置（低電平時(shí)） 到 14 位 1：2（高電平時(shí)）。正常運(yùn)行期間不應(yīng)切換 C0 和 C1。它們應(yīng)該是硬連線的 到有效的低電平或高電平，以將寄存器配置為所需模式。在 25 位 1：1 引腳排列配置中， A6、D6 和 H6 端子被驅(qū)動(dòng)為低電平，是不使用（DNU）引腳。

在DDR2 RDIMM應(yīng)用中，RESET被指定為相對(duì)于CLK和CLK完全異步。因此，無(wú)法保證兩者之間的時(shí)間關(guān)系。進(jìn)入復(fù)位時(shí)，寄存器為 清除，并且數(shù)據(jù)輸出相對(duì)于禁用差分輸入所需的時(shí)間快速驅(qū)動(dòng)為低電平 接收機(jī)。然而，當(dāng)復(fù)位出來(lái)時(shí)，寄存器相對(duì)于所需的時(shí)間會(huì)迅速激活 使能差分輸入接收器。只要數(shù)據(jù)輸入較低，并且時(shí)鐘在 從RESET從低到高轉(zhuǎn)換到輸入接收器完全使能的時(shí)間，設(shè)計(jì) SN74SSTUB32866確保輸出保持低電平，從而確保輸出上不會(huì)出現(xiàn)毛刺。

為確保在提供穩(wěn)定時(shí)鐘之前從寄存器輸出定義，必須將RESET保持在 上電期間的低電平狀態(tài)。

該器件支持低功耗待機(jī)作。當(dāng)RESET為低電平時(shí)，差分輸入接收器為： 禁用和未驅(qū)動(dòng)（浮動(dòng)）數(shù)據(jù)、時(shí)鐘和基準(zhǔn)電壓 （V 裁判 ） 輸入。此外，當(dāng)RESET為低電平時(shí)，所有寄存器都被復(fù)位，所有輸出都強(qiáng)制為低電平，QERR除外。LVCMOS RESET 和 Cn 輸入必須始終保持在有效的邏輯高電平或低電平。

該器件還通過(guò)監(jiān)控系統(tǒng)芯片選擇（DCS 和 CSR）來(lái)支持低功耗有源作 當(dāng)DCS和CSR輸入均為高電平時(shí)，輸入和門控Qn和PPO輸出的狀態(tài)變化。如果 DCS或CSR輸入為低電平，Qn和PPO輸出工作正常。此外，如果內(nèi)部低功耗信號(hào) （LPS1） 為高電平（DCS 和 CSR 變?yōu)楦唠娖胶笠粋€(gè)周期），器件將 QERR 輸出從狀態(tài)變化中門控。 如果 LPS1 為低電平，則 QERR 輸出工作正常。RESET輸入優(yōu)先于DCS和CSR控制 并且，當(dāng)驅(qū)動(dòng)低電平時(shí)，強(qiáng)制 Qn 和 PPO 輸出為低電平，并強(qiáng)制 QERR 輸出為高電平。如果 DCS 控制 不需要功能，CSR 輸入可以硬接線到地，在這種情況下，建立時(shí)間 對(duì) DCS 的要求與其他 D 數(shù)據(jù)輸入的要求相同。要僅使用 DCS 控制低功耗模式， CSR 輸入應(yīng)上拉至 VCC通過(guò)上拉電阻器。

兩個(gè)V裁判引腳（A3 和 T3）在內(nèi)部連接在一起大約 150 個(gè)。但是，只需連接兩個(gè) V 中的一個(gè)裁判引腳連接到外部V裁判電源。未使用的 V裁判引腳應(yīng)以 V 結(jié)尾裁判耦合電容器。

特性

• 德州儀器 （TI） Widebus+ ? 系列成員
• 引腳排列優(yōu)化了 DDR2 DIMM PCB 布局
• 可配置為 25 位 1：1 或 14 位 1：2 寄存器緩沖器
• 芯片選擇輸入可控制數(shù)據(jù)輸出的狀態(tài)變化，并最大限度地降低系統(tǒng)功耗
• 輸出邊沿控制電路可最大限度地降低未端接線路中的開關(guān)噪聲
• 支持SSTL_18數(shù)據(jù)輸入
• 差分時(shí)鐘（CLK和CLK）輸入
• 支持控制和RESET輸入上的LVCMOS開關(guān)電平
• 檢查與 DIMM 無(wú)關(guān)的數(shù)據(jù)輸入上的奇偶校驗(yàn)
• 能夠與第二個(gè)SN74SSTUB32866級(jí)聯(lián)
• 支持工業(yè)溫度范圍（-40°C 至 85°C）

參數(shù)

?1. 產(chǎn)品概述?

• ?型號(hào)?：SN74SSTUB32866，屬于德州儀器（TI）Widebus+?系列。
• ?功能?：25位1:1或14位1:2可配置寄存緩沖器，專為DDR2 DIMM PCB布局優(yōu)化設(shè)計(jì)。
• ?電壓范圍?：1.7V至1.9V VCC操作。
• ?應(yīng)用場(chǎng)景?：支持工業(yè)溫度范圍（-40°C至85°C），適用于高可靠性環(huán)境。

?2. 核心特性?

• ?配置靈活性?：
  • 單設(shè)備模式：25位1:1配置，驅(qū)動(dòng)9個(gè)SDRAM負(fù)載。
  • 雙設(shè)備模式：14位1:2配置（需兩片芯片），驅(qū)動(dòng)18個(gè)SDRAM負(fù)載。
• ?低功耗設(shè)計(jì)?：片選輸入（Chip-Select）可控制數(shù)據(jù)輸出狀態(tài)，降低系統(tǒng)功耗。
• ?噪聲抑制?：輸出邊緣控制電路減少未端接線路的開關(guān)噪聲。
• ?兼容性?：
  • 數(shù)據(jù)輸入支持SSTL_18標(biāo)準(zhǔn)。
  • 控制輸入（RESET、Cn）支持LVCMOS電平。
  • 差分時(shí)鐘輸入（CLK/CLK）實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)同步。

?3. 奇偶校驗(yàn)功能?

• ?校驗(yàn)機(jī)制?：
  • 接收內(nèi)存控制器的奇偶位（PAR_IN），與DIMM獨(dú)立數(shù)據(jù)輸入（D2-D25等）比對(duì)。
  • 采用偶校驗(yàn)規(guī)則，錯(cuò)誤時(shí)通過(guò)開漏輸出引腳QERR（低電平有效）指示。
• ?錯(cuò)誤處理?：
  • QERR低電平至少持續(xù)2個(gè)時(shí)鐘周期，或直至RESET信號(hào)觸發(fā)。
  • 支持級(jí)聯(lián)模式下的多設(shè)備校驗(yàn)（首設(shè)備PPO輸出連接次設(shè)備PAR_IN輸入）。

?4. 關(guān)鍵引腳與控制邏輯?

• ?配置引腳?：
  • ?C0/C1?：控制引腳配置模式（如C0=0/C1=0為25位全校驗(yàn)，C0=1/C1=1為14位校驗(yàn)）。
• ?時(shí)鐘與復(fù)位?：
  • 數(shù)據(jù)在CLK上升沿/CLK下降沿時(shí)寄存。
  • RESET低電平有效，用于清除錯(cuò)誤狀態(tài)。

?5. 封裝與訂購(gòu)信息?

• ?封裝類型?：
  • LFBGA-ZKE（標(biāo)記SB866）、LFBGA-ZWL，均提供卷帶包裝。
• ?型號(hào)示例?：
  • SN74SSTUB32866ZKER（ZKE封裝）、SN74SSTUB32866ZWLR（ZWL封裝）。

?6. 其他注意事項(xiàng)?

• ?ESD防護(hù)?：器件內(nèi)置有限ESD保護(hù)，存儲(chǔ)時(shí)需短接引腳或使用導(dǎo)電泡沫。
• ?生產(chǎn)數(shù)據(jù)?：符合TI標(biāo)準(zhǔn)保修條款，參數(shù)測(cè)試可能未全覆蓋。

?總結(jié)?：SN74SSTUB32866是一款高性能、可靈活配置的DDR2寄存緩沖器，集成奇偶校驗(yàn)和低功耗設(shè)計(jì)，適用于工業(yè)級(jí)內(nèi)存模塊應(yīng)用。