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200萬尼特紅光!鴻石智能QDPR+混合堆疊破局,MicroLED全彩化加速

Monika觀察 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:莫婷婷 ? 2025-09-18 09:44 ? 次閱讀
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電子發燒友網報道(文/莫婷婷)隨著材料工程、巨量轉移、色彩轉換與驅動集成等關鍵技術的協同突破,MicroLED顯示正跨越單色階段,邁入高色域、高效率、高良率的全彩化可量產時代。就在近日,國內MicroLED微顯示企業——鴻石智能發布了革命性新品“極光耀影XC6”全彩色光機,及其此前展示的單片全彩微顯示光芯片AC3,共同構建了全彩MicroLED完整生態。

新品XC6具備250萬nit的超高合光亮度、109.89% NTSC的極致色域表現,鴻石智能憑借量子點光刻色轉換(QDPR)技術路徑這一破局之選,一舉攻克困擾MicroLED產業多年的“全彩化”核心瓶頸——紅光效率與穩定性難題,為下一代AR眼鏡的大規模商業化鋪平了道路。
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圖:鴻石智能極光耀影XC6

QDPR技術破局紅光之困,單紅光亮度達200萬尼特
合光是實現MicroLED全彩化的顯示方案之一,該技術主要是光學棱鏡將R、G、B三色 Micro LED 合成全彩顯示。鴻石智能的極光耀影XC6正是采用合光發方案。但在MicroLED的全彩化過程中還面臨著“三色之困”,特別是紅色。

為了解決紅色的問題,業內主要有兩種技術路線:AlGaInP (磷化鋁鎵銦)和彩色轉換。但AlGaInP 線由于其材料體系與常用襯底之間存在顯著的晶格失配,其內量子效率普遍不足2%。彩色轉換方案雖可規避晶格失配問題,但其本質是“光子降頻”過程——高能量藍光光子被吸收后轉換為低能量紅光光子,整體光效大幅下降,最終會出現“亮度不足、色彩不艷”的缺陷。

無論是原生紅光芯片AlGaInP方案還是彩色轉換方案,這兩種方案在實現高效率、高亮度、高色純度且熱穩定的紅光輸出方面均面臨瓶頸,亟須從材料創新、器件架構等維度尋求突破。

面對這一行業共性難題,鴻石智能并未沿襲傳統改良思路,而是以開拓者的姿態,創新性地應用 QDPR技術路徑。鴻石智能介紹,QDPR技術將量子點材料與半導體光刻工藝深度融合,在藍綠MicroLED 晶圓像素點上實現納米級精準沉積紅光量子點。

基于QDPR技術路徑,單紅光亮度峰值可以達到200萬尼特。受益于量子點材料的窄半峰寬特性,極光耀影XC6達成了109.89% NTSC、114.37% DCI-P3和155.15% sRGB的覆蓋率,確保了虛擬影像與現實世界的融合。

極光耀影XC6還具備微型化、卓越能效比等特點。其體積僅為0.35cc,具備超過250萬nits的合光亮度。在實現超高亮度的同時,其光效達到8lm/w,有效平衡了亮度與功耗。
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圖:極光耀影XC6全彩效果

三色合光、單片全彩雙輪驅動
在MicroLED全彩化上,鴻石智能并非是“單點突破”,鴻石智能采取了“雙路徑并行”的戰略布局。在推出基于合光方案的極光耀影XC6的同時,其采用混合堆疊結構(Hybrid Stack Structure, HSS) 的單片全彩微顯示光芯片AC3同樣備受矚目。

AC3采用了鴻石智能的第三代技術平臺混合堆疊結構。該技術融合了兩次晶圓鍵合與一次量子點色轉換技術,實現了藍綠外延片的集成及紅光的精準呈現,最終實現了120萬尼特的白光亮度。

鴻石智能新市場開發副總經理劉懌在公開演講時提到,在混合堆疊結構技術平臺下,可以把像素間距做到2.5微米,像素點(發光體)直徑達到1.9微米。此外,兩個像素之間的溝槽寬度縮小到0.6微米,相比上一代這個平臺的1.55微米,實現單位面積排列更多的像素點。

基于混合堆疊結構,AC3微顯示芯片尺寸縮小至0.12英寸,分辨率為320*240,像素尺寸為7.5*7.5微米,像素密度3400PPI,適用于對體積和光路有極致要求的特定場景。


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寫在最后
鴻石智能極光耀影XC6的發布,及其背后QDPR技術的成功,標志著MicroLED全彩化邁出了從“技術可行”到“商業可行”的關鍵一步。它在保留MicroLED核心優勢的前提下,以創新的材料與工藝,解決了最棘手的紅光瓶頸,實現了亮度、色彩、穩定性、良率的全面突破。同時,AC3采用混合堆疊結構,提升像素密度與集成度,二者互補布局。

通過XC6全彩色光機(合光方案)與微顯示光芯片AC3(單片全彩方案)協同,鴻石智能覆蓋了從三色合光方案到單片全彩的多種技術路徑,同時實現從底層核心器件到終端顯示模組的完整技術鏈條的布局。

當前,鴻石智能正在加速推進MicroLED全彩化技術,據了解公司的莫干山項目預計在2026年下半年開始進行200萬尼特亮度的單片全彩微顯示芯片的量產調試,助力MicroLED全彩顯示方案走向市場。













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