Applied Materials表示，20年來首樁晶體管接點與導線的重大金屬材料變革，能解除7nm及以下晶圓制程主要的效能瓶頸，由于鎢（W）在晶體管接點的電性表現與銅（Cu）的局部終端金屬導線制程都已經逼近物理極限，成為FinFET無法完全發揮效能的瓶頸，因此芯片設計者在7nm以下能以鈷（Co）金屬取代鎢與銅，借以增進15%的芯片效能。

采用鈷可優化先進制程金屬填充情形，延續7nm以下的制程微縮

鎢和銅是目前先進制程所采用的重要金屬材料，然而鎢和銅與絕緣層附著力差，因此都需要線性層（Liner Layer）增加金屬與絕緣層間的附著力。

此外，為了避免阻止鎢及銅原子擴散至絕緣層而影響芯片電性，必須有阻擋層存在。

如下圖所示，隨著制程微縮至20nm以下，以鎢 contact制程為例，20nm的Contact CD中，Barrier就占了8nm，Contact中實際金屬層為12nm （金屬填充8nm+ 晶核形成 4nm），Contact直徑為10nm時，實際金屬層僅剩2nm，以此估算Contact直徑為8nm時將沒有金屬層的容納空間，此時線性層及阻擋層的厚度成了制程微縮瓶頸。

注：金屬導線及晶體管間的連接通道稱為Contact，由于Contact實際形狀是非常貼近圓柱體的圓錐體。因此Contact CD一般指的是Contact直徑

▲W Contact的金屬填充情形

然而同樣10nm的Contact直徑若采用鈷（如下圖），其Barrier僅4nm，而實際金屬層則有6nm，相較于采用鎢更有潛力在7nm以下制程持續發展。

▲CO Contact的金屬填充情形

金屬材料變革將影響中國半導體設備的研發方向

目前中國半導體設備以蝕刻、薄膜及CMP的發展腳步最快，此部分將以打入主流廠商產線、取得認證并藉此建立量產數據為目標，朝向打入先進制程的前段晶體管制程之遠期目標是相當明確。

然而相較于國際主流半導體設備廠商的技術水平，中國半導體設備廠商仍是追隨者角色，因此鈷取代鎢和銅的趨勢確立，將影響中國半導體設備廠商尤其是蝕刻、薄膜及CMP的研究發展方向。