這款具有奇偶校驗的 1:2 或 26 位 1:2 和 4 位 1:1 寄存時鐘驅動器設計用于在 VDD1.5 V,在 VDD1.35 V 和 V 的 DDR3U 寄存器 DIMMDD的 1.25 V。
所有輸入均兼容 1.5 V、1.35 V 和 1.25 V CMOS。所有輸出都是經過優化的 CMOS 驅動器,可在 DDR3 RDIMM 應用中驅動端接走線上的 DRAM 信號。時鐘輸出 Yn 和 Yn 以及控制網絡輸出 DxCKEn、DxCSn 和 DxODTn 可以以不同的強度和偏斜驅動,以優化信號完整性、補償不同的負載并均衡信號傳輸速度。
*附件:sn74ssqec32882.pdf
該SN74SSQEC32882具有與四芯片選擇使能 (QCSEN) 輸入相關的兩種基本作模式。當QCSEN輸入引腳開路(或拉高)時,該元件有兩個芯片選擇輸入DCS0和DCS1,以及每個芯片選擇輸出的兩個拷貝,QACS0、QACS1、QBCS0和QBCS1。這是“禁用 QuadCS”模式。當QCSEN輸入引腳拉低時,該元件有四個芯片選擇輸入DCS[3:0]和四個芯片選擇輸出QCS[3:0]。這是“啟用 QuadCS”模式。在本規范的其余部分,DCS[n:0]將指示所有芯片選擇輸入,其中n=1表示禁用QuadCS,n=3表示啟用QuadCS。QxCS[n:0] 將指示所有芯片選擇輸出。
該器件還支持將單個器件安裝在 DIMM 背面的模式。如果 MIRROR=HIGH,則輸入總線終端 (IBT) 必須對此中的所有輸入信號保持啟用狀態 箱。
SN74SSQEC32882采用差分時鐘(CK和CK)工作。數據記錄在 CK 變高和 CK 變低的交叉點處。該數據可以重新驅動到輸出端,也可用于訪問設備內部控制寄存器。
輸入總線數據完整性由奇偶校驗功能保護。將所有地址和命令輸入信號相加,并將總和的最后一位與系統在一個時鐘周期后PAR_IN輸入端提供的奇偶校驗信號進行比較。如果它們不匹配,器件將拉開漏輸出 ERROUT LOW。控制信號(DCKE0、DCKE1、DODT0、DODT1、DCS[n:0])不屬于此計算的一部分。
該SN74SSQEC32882實現了不同的省電機制,以減少熱功耗并支持系統斷電狀態。通過禁用未使用的輸出,功耗進一步降低。
該封裝經過優化,可支持高密度 DIMM。通過將輸入和輸出位置對齊 DIMM 手指信號排序和 SDRAM 球出,該器件可以對 DIMM 走線進行去擾亂,從而實現低串擾設計和低互連延遲。
邊沿控制輸出可減少振鈴并改善SDRAM輸入端的信號眼圖開度。
特性
- JEDEC SSTE32882
- 1 對 2 寄存器輸出和 1 對 4 時鐘對輸出支持
堆疊式 DDR3 RDIMM - CKE 掉電模式可優化系統功耗
- 1.5V/1.35V/1.25V鎖相環時鐘驅動器,用于緩沖
一個差分時鐘對(CK和CK)
并分配到四個差分輸出 - 1.5V/1.35V/1.25V CMOS輸入
- 檢查命令和地址(CS 門控)數據輸入的奇偶校驗
- 可配置的驅動器強度
- 使用內部反饋回路
- 優化功耗
參數
?1. 產品概述?
SN74SSQEC32882是德州儀器(TI)推出的28位轉56位寄存緩沖器,專為DDR3/DDR3L/DDR3U寄存式雙列直插內存模塊(RDIMM)設計,支持單/雙/四通道配置。核心特性包括:
- ?工作電壓?:兼容1.5V/1.35V/1.25V CMOS輸入
- ?時鐘驅動?:1對差分時鐘輸入可擴展至4對輸出
- ?奇偶校驗?:支持地址與命令輸入的實時奇偶校驗,錯誤時觸發ERROUT信號
- ?節能模式?:CKE電源管理模式優化系統功耗
?2. 關鍵功能?
- ?雙工作模式?:通過QCSEN引腳選擇
- QuadCS禁用 :2個片選輸入→4個輸出
- QuadCS啟用 :4個片選輸入→4個輸出
- ?鏡像模式?:支持DIMM背面安裝(需MIRROR=HIGH)
- ?可調驅動強度?:優化信號完整性,適應不同負載
?3. 應用場景?
- DDR3 RDIMM(最高1866 Mbps)
- DDR3L RDIMM(最高1600 Mbps)
- DDR3U RDIMM(最高1333 Mbps)
?4. 封裝與規格?
- ?封裝?:176引腳BGA(8mm×13.5mm,0.65mm間距)
- ?溫度范圍?:| 速度等級 | 最大殼體溫度 |
| ----------- | -------------- |
| DDR3-800 | +109°C |
| DDR3-1866 | +101°C |
?5. 附加信息?
?文檔版本?:SCAS920-PUB(2011年11月)
?生產狀態?:當前可訂購型號SN74SSQEC32882ZALR(符合RoHS標準)
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