隨著市場的發展，5G已經呼之欲出，基礎設施市場的機會也在逐年增加，其中MIMO PA年復合增長率將達到135%，射頻前端模塊的年復合增長率將達到119%。

面對巨大的市場潛力，Qorvo在IDP（Infrastructure & Defense Products）領域一直秉承著推動可持續發展的戰略，提供最新的產品和技術，與客戶建立一種互惠互利的關系，以達到共贏。近日，Qorvo IDP 高性能解決方案事業部總經理Roger Hall便與諸多媒體共聚一堂，分享了Qorvo在基礎設施領域最新的產品與技術動態。

全線射頻技術布局，提供更高整合度解決方案

Roger指出，5G時代的技術發展其中很大部分是由Qorvo所推動，在現有基站基礎上發展起來的，能夠幫助消費者實現更高效的設備使用。此外，Qorvo還可以給無線電提供新的RF產品，希望能和客戶共同開發集成式/系統級的解決方案，降低他們的成本，包括移動設備解決方案。

同時，RF產品還需要盡可能的綠色環保，因為降低功耗也是消費者的需求之一。目前，硅基技術已經很成熟了，但Qorvo希望能夠選擇更綠色低能耗的解決方案，如何把RF元件整合于一個系統十分關鍵，Roger在分享中也一直在強調“系統解決方案”的重要性。他認為Qorvo不僅只是提供產品，更重要的是要幫助客戶找到最好的解決方案。因為射頻系統非常復雜，尤其是那些需要使用高載波頻率和寬頻帶的新技術，包括載波聚合，massive MIMO以及5G。為了讓RF器件更好地工作在一個系統中，Qorvo在先進封裝技術上投入很大，同時也在提高芯片的集成度以幫助客戶在一塊芯片上集成更多器件，如此一來，客戶在使用這些器件時就會簡單許多。

作為全球技術領先的IDM大廠，Qorvo確實有實力為客戶提供完整的解決方案。目前，Qorvo的產品種類已經全面覆蓋使用多種工藝（GaN，GaAs等）實現的功放，收發器，LNA，射頻開關，以及BAW和SAW濾波器。每一個產品種類下都有豐富的產品型號，并在射頻鏈路中占據重要地位。除了有先進的技術研發外，Qorvo還擁有獨立的封裝廠和制造廠，有利于控制成本和穩定質量，加快高集成度產品的研發進度。

5G來臨，GaN將在射頻應用中脫穎而出？

談及5G應用，Roger指出了三大不同領域：提升了的移動寬帶、大規模物聯網與關鍵業務服務，每一個領域都會有不同的應用方向，會使用不同的部署方案。他舉例說到，在中國消費者會更關注如何來提升自己的效率和生產率，而美國可能會更關注如何提升用戶體驗。正是由于不同國家有不同的需求，Qorvo在全球的產品與方案部署上也會有所側重。

不過，毋庸置疑的無論是在中國還是美國，運營商們都在緊鑼密鼓加速部署5G，在這個領域也有許多不同的技術與解決方案。據Roger介紹，未來5G基站的天線口等效功率（EIRP）為65dBm，那我們則可以通過PA功率—天線陣列有源元件圖曲線了解不同技術方案所需要的元件數量，推測在什么條件下使用氮化鎵，砷化鎵，鍺化硅等，也可以看到在哪種解決方案可以得到最低的功耗，然后選擇出合適的技術。

如果利用不同材料的MIMO天線圖進行對比更加直觀：SiGe基MIMO天線有1024個元件，裸片面積為4096平方毫米，輻射功率是65dbm；如果利用GaN基MIMO天線，功耗能夠減少40%，裸片面積減少94%，而成本也能減少80%。實際上，Qorvo一直在為幫助消費者選擇合適的技術解決方案而不斷努力。

Q：目前市場上的GaN功率組件以GaN-on-SiC及GaN-on-Si兩種晶圓進行制造，兩者如何選擇？Qorvo是如何布局的？

Roger：Qorvo沒有反對碳基、硅基氮化鎵，但是現在會更傾向于碳化硅基氮化鎵作為將來發展的方向，如果生產量上去的話，成本應該能夠降下來。Qorvo也始終把自己當做一個很好的中間商，希望找到最低的成本，最高效的技術，并把它整合為集成式的系統解決方案，為用戶帶來最好性能的整合以及技術核心。

此前，Qorvo推出了業界首款適用于 39GHz 5G 頻段的碳化硅基氮化鎵 （GaN-on-SiC） 前端模塊 （FEM） 。這款 FEM 設計獨特，在小尺寸里集成了兩個強大的多功能 GaN MMIC，解決了電信設備制造商在設計 5G 基站時面臨的復雜挑戰。

現在，Qorvo也在積極向市場推出28GHz的前端模塊。據Roger介紹，該前端模塊更大可能應用于基站，因為GaN所要求的工作電壓遠大于手機電壓，所以不太可能用作手機功放，但Qorvo也正在積極思考是否能夠找到合適的技術并且將GaN運用至更廣泛的領域。