該電源邏輯 8 位可尋址鎖存器控制漏極開路 DMOS 晶體管輸出，專為數(shù)字系統(tǒng)中的通用存儲應(yīng)用而設(shè)計。具體用途包括工作寄存器、串行保持寄存器以及解碼器或解復(fù)用器。這是一款
多功能器件，能夠?qū)尉€數(shù)據(jù)存儲在八個可尋址鎖存器和具有低電平有效DMOS輸出的3到8個解碼器或解復(fù)用器中。
*附件：tpic6b259.pdf

通過控制函數(shù)表中列舉的清除 （CLR） 和啟用 （G） 輸入，可以選擇四種不同的作模式。在可尋址鎖存器模式下，數(shù)據(jù)輸入 （D） 端子上的數(shù)據(jù)被寫入尋址鎖存器。尋址的DMOS晶體管輸出反轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)輸入，所有未尋址的DMOS晶體管輸出仍保持在之前的狀態(tài)。在存儲器模式下，所有DMOS晶體管輸出都保持在之前的狀態(tài)，不受數(shù)據(jù)或地址輸入的影響。為了消除在鎖存器中輸入錯誤數(shù)據(jù)的可能性，在地址行更改時，啟用 G 應(yīng)保持高電平（非活動狀態(tài)）。在 3 到 8 解碼或解復(fù)用模式下，尋址輸出相對于 D 輸入和所有其他輸入反相

輸出關(guān)閉。在清除模式下，所有輸出均關(guān)閉，不受地址和數(shù)據(jù)輸入的影響。當給定輸出的數(shù)據(jù)為低電平時，DMOS晶體管輸出關(guān)斷。當數(shù)據(jù)為高電平時，DMOS晶體管輸出具有灌電流能力。

輸出為低側(cè)漏極開路DMOS晶體管，具有50 V的輸出額定值和150 mA的連續(xù)灌電流能力。每個輸出在 T 時提供 500 mA 的典型電流限制 C = 25°C。 電流限制隨著結(jié)溫的升高而降低，以提供額外的器件保護。

該TPIC6B259的特點是在 -40°C 至 125°C 的工作外殼溫度范圍內(nèi)工作。

特性

• 低 r DS（開） ...5 典型
• 雪崩能源...30 毫焦
• 八個功率 DMOS 晶體管輸出，連續(xù)電流為
  150mA
• 500mA典型限流能力
• 輸出箝位電壓...50伏
• 四種不同的功能模式
• 低功耗

參數(shù)

?1. 核心功能特性?

• ?器件類型?：功率邏輯8位可尋址鎖存器，集成開漏DMOS晶體管輸出，專為數(shù)字系統(tǒng)通用存儲應(yīng)用設(shè)計。
• ?關(guān)鍵參數(shù)?：
  • 低導(dǎo)通電阻（典型值5Ω）
  • 單脈沖雪崩能量30mJ
  • 8路功率DMOS輸出，連續(xù)電流150mA/路，典型限流能力500mA
  • 輸出鉗位電壓50V
  • 四種工作模式（可尋址鎖存、存儲器、3-8解碼/解復(fù)用、清除）

?2. 封裝與引腳配置?

• ?封裝選項?：DW（SOIC-20）、N（PDIP-20）
• ?引腳功能?：
  • 控制信號：S0-S2（地址選擇）、D（數(shù)據(jù)輸入）、G（使能）、CLR（清除）
  • 輸出端：DRAIN0-DRAIN7（低側(cè)開漏輸出）
  • 電源：VCC（4.5-5.5V）、GND

?3. 工作模式詳解?

?4. 電氣特性?

• ?絕對最大額定值?：
  • 邏輯電源電壓：7V
  • DMOS漏源電壓：50V
  • 工作溫度：-40°C至125°C
• ?典型性能?：
  • 靜態(tài)導(dǎo)通電阻：5Ω（ID=100mA時）
  • 傳播延遲：150ns（低到高電平）

?5. 應(yīng)用場景?

• 工作寄存器、串行保持寄存器、解碼器/解復(fù)用器
• 需注意：地址線變化期間應(yīng)保持G為高電平以避免誤寫入

?6. 生產(chǎn)與封裝信息?

• 制造商：德州儀器（TI）
• 文檔版本：SLIS030（1994年4月發(fā)布，1995年7月修訂）
• 符合ANSI/IEEE Std 91-1984和IEC 617-12標準

?附加說明?：器件提供溫度保護機制，電流限值隨結(jié)溫升高而降低，確保可靠性。