該電源邏輯 8 位可尋址鎖存器控制漏極開路 DMOS 晶體管輸出，專為數字系統中的通用存儲應用而設計。具體用途包括工作寄存器、串行保持寄存器以及解碼器或解復用器。這是一款
多功能器件，能夠將單線數據存儲在八個可尋址鎖存器和具有低電平有效DMOS輸出的3到8個解碼器或解復用器中。
*附件：tpic6b259.pdf

通過控制函數表中列舉的清除 （CLR） 和啟用 （G） 輸入，可以選擇四種不同的作模式。在可尋址鎖存器模式下，數據輸入 （D） 端子上的數據被寫入尋址鎖存器。尋址的DMOS晶體管輸出反轉數據輸入，所有未尋址的DMOS晶體管輸出仍保持在之前的狀態。在存儲器模式下，所有DMOS晶體管輸出都保持在之前的狀態，不受數據或地址輸入的影響。為了消除在鎖存器中輸入錯誤數據的可能性，在地址行更改時，啟用 G 應保持高電平（非活動狀態）。在 3 到 8 解碼或解復用模式下，尋址輸出相對于 D 輸入和所有其他輸入反相

輸出關閉。在清除模式下，所有輸出均關閉，不受地址和數據輸入的影響。當給定輸出的數據為低電平時，DMOS晶體管輸出關斷。當數據為高電平時，DMOS晶體管輸出具有灌電流能力。

輸出為低側漏極開路DMOS晶體管，具有50 V的輸出額定值和150 mA的連續灌電流能力。每個輸出在 T 時提供 500 mA 的典型電流限制 C = 25°C。 電流限制隨著結溫的升高而降低，以提供額外的器件保護。

該TPIC6B259的特點是在 -40°C 至 125°C 的工作外殼溫度范圍內工作。

特性

• 低 r DS（開） ...5 典型
• 雪崩能源...30 毫焦
• 八個功率 DMOS 晶體管輸出，連續電流為
  150mA
• 500mA典型限流能力
• 輸出箝位電壓...50伏
• 四種不同的功能模式
• 低功耗

參數

?1. 核心功能特性?

• ?器件類型?：功率邏輯8位可尋址鎖存器，集成開漏DMOS晶體管輸出，專為數字系統通用存儲應用設計。
• ?關鍵參數?：
  • 低導通電阻（典型值5Ω）
  • 單脈沖雪崩能量30mJ
  • 8路功率DMOS輸出，連續電流150mA/路，典型限流能力500mA
  • 輸出鉗位電壓50V
  • 四種工作模式（可尋址鎖存、存儲器、3-8解碼/解復用、清除）

?2. 封裝與引腳配置?

• ?封裝選項?：DW（SOIC-20）、N（PDIP-20）
• ?引腳功能?：
  • 控制信號：S0-S2（地址選擇）、D（數據輸入）、G（使能）、CLR（清除）
  • 輸出端：DRAIN0-DRAIN7（低側開漏輸出）
  • 電源：VCC（4.5-5.5V）、GND

?3. 工作模式詳解?

?4. 電氣特性?

• ?絕對最大額定值?：
  • 邏輯電源電壓：7V
  • DMOS漏源電壓：50V
  • 工作溫度：-40°C至125°C
• ?典型性能?：
  • 靜態導通電阻：5Ω（ID=100mA時）
  • 傳播延遲：150ns（低到高電平）

?5. 應用場景?

• 工作寄存器、串行保持寄存器、解碼器/解復用器
• 需注意：地址線變化期間應保持G為高電平以避免誤寫入

?6. 生產與封裝信息?

• 制造商：德州儀器（TI）
• 文檔版本：SLIS030（1994年4月發布，1995年7月修訂）
• 符合ANSI/IEEE Std 91-1984和IEC 617-12標準

?附加說明?：器件提供溫度保護機制，電流限值隨結溫升高而降低，確保可靠性。