Texas Instruments bq25756E降壓-升壓電池充電控制器是一款寬輸入電壓范圍、開關模式降壓-升壓充電控制器,適用于鋰離子、鋰聚合物或LiFePO4 電池,具有雙向功率流支持。該器件不僅能提供精確的充電電流和充電電壓調節,還能在寬電壓范圍內實現電池高效充電,提供充電終止和充電狀態指示以及自動充電預調節。該器件集成了降壓-升壓轉換器的所有環路補償,因此可提供易于使用的高密度解決方案。在反向模式下,該器件從電池獲取電力。它通過添加的恒定電流限制來調節輸入端子電壓來實現行保護,從而支持USB-PD EPR功率配置。
數據手冊:*附件:Texas Instruments bq25756E降壓-升壓電池充電控制器數據手冊.pdf
除I^2^C主機控制充電模式外,Texas Instruments bq25756E還通過電阻器可編程限制支持獨立充電模式。輸入電流、充電電壓調節和充電電流目標可分別通過 ILIM_HIZ、ICHG和FB引腳設置。
特性
- 寬輸入電壓工作范圍:4.2V至36V
- 電池電壓工作范圍高達36V,具有多種化學物質支持
- 1至7節鋰離子電池充電曲線
- 1至9節LiFePO
4電池充電曲線
- 具有NFET驅動器的同步降壓-升壓充電控制器
- 用于太陽能充電的自動最大功率點跟蹤 (MPPT)
- 雙向轉換器運行(反向模式),支持USB-PD擴展功率范圍 (EPR)
- 高準確率
- ±0.5%充電電壓調節
- ±3%充電電流調節
- ±3%輸入電流調節
- 采用I^2^C控制,可通過電阻可編程選項實現最佳系統性能
- 硬件可調輸入和輸出電流限制
- 集成16位ADC,用于電壓、電流和溫度監控
- 高度安全集成
- 可調輸入過壓和欠壓保護
- 電池過壓和過流保護
- 充電安全計時器
- 電池短路保護
- 熱關斷
- 狀態輸出
- 適配器當前狀態 (PG)
- 充電器運行狀態(STAT1,STAT2)
- 36引腳5mm×6mm QFN封裝
簡化示意圖

BQ25756E降壓-升壓電池充電控制器技術解析
一、產品概述
Texas Instruments的BQ25756E是一款獨立/I2C控制的雙向降壓-升壓電池充電控制器,支持1-7節鋰離子電池或1-9節LiFePO4電池的充電管理。該器件具有寬輸入電壓工作范圍(4.2V至36V)和寬電池電壓工作范圍(最高36V),適用于多種便攜式和工業應用場景。
主要特性
- ?寬電壓范圍?:輸入4.2V-36V,電池最高36V
- ?多化學支持?:鋰離子(1-7節)、LiFePO4(1-9節)
- ?同步降壓-升壓架構?:200kHz-600kHz可調開關頻率
- ?高精度調節?:±0.5%充電電壓,±3%充/放電電流
- ?MPPT功能?:太陽能充電自動最大功率點跟蹤
- ?雙向操作?:支持USB-PD EPR標準的反向供電模式
- ?集成保護?:輸入/輸出過壓/欠壓、電池短路、熱關斷等
二、關鍵功能詳解
1. 降壓-升壓拓撲架構
BQ25756E采用同步四開關Buck-Boost拓撲,可在輸入電壓高于、低于或等于電池電壓時高效工作。其特點包括:
- 無縫過渡三種工作模式(Buck、Buck-Boost、Boost)
- 集成環路補償,簡化設計
- 可選PFM模式提高輕載效率
- 支持外部時鐘同步(200-600kHz)
2. 充電管理功能
?多階段充電控制?:
- 涓流充電(VBAT < VBAT_SHORT)
- 預充電(VBAT_SHORT < VBAT < VBAT_LOWV)
- 恒流充電(CC模式)
- 恒壓充電(CV模式)
- 自動終止(電流低于ITERM閾值)
?JEITA溫度監控?:
- 通過外部NTC熱敏電阻監測電池溫度
- 根據溫度自動調整充電參數(T1-T5區域)
- 可編程的冷/熱區電流/電壓降額
3. 電源管理特性
? 動態功率管理(DPM) ?:
- 輸入電流限制(硬件/軟件可編程)
- 輸入電壓調節(防止源過載)
- 最大功率點跟蹤(太陽能應用)
?反向模式操作?:
- 電池向輸入端口供電(USB-PD EPR兼容)
- 可編程輸出電壓(3.3V-36V,20mV/步進)
- 輸出電流限制(400mA-20A)
三、典型應用設計
1. 太陽能充電系統設計
?關鍵參數?:
- 輸入:12-36V太陽能板
- 輸出:4S鋰離子電池(12V-16.8V)
- 充電電流:最大15A
?設計要點?:
2. USB-PD EPR應用
?實現功能?:
- 支持5-36V輸入充電
- 雙向功率流(充電/供電模式切換)
- 與TPS26750 PD控制器配合使用
?布局建議?:
- 功率路徑最小化環路面積
- 電流檢測電阻采用開爾文連接
- 門極驅動走線寬度≥20mil
- 熱焊盤充分散熱設計
四、性能參數與選型指南
電氣特性比較
| 參數 | BQ25756E | BQ25750 | BQ25756 |
|---|---|---|---|
| 輸入范圍 | 4.2-36V | 4.2-70V | 4.2-70V |
| I2C地址 | 0x6A | 0x6B | 0x6B |
| 封裝 | 36-QFN | 36-QFN | 36-QFN |
外圍元件選型建議
- ?電感選擇?:
- 值:2.2-15μH(典型10μH)
- 飽和電流:≥最大電感電流+1/2紋波電流
- DCR:影響效率,建議<15mΩ
- ?MOSFET選擇?:
- 建議FOM值(RDS(on)×Qg):<100mΩ·nC
- 電壓等級:≥1.5×最大工作電壓
- 推薦型號:AONS66614(60V/3.1mΩ)
- ?檢測電阻?:
- 電池電流檢測:固定5mΩ
- 輸入電流檢測:2-10mΩ(精度與損耗權衡)
五、PCB布局指南
- ?功率路徑布局優先級?:
- 降壓輸入環路(HSFET-LSFET-輸入電容)
- 升壓輸出環路(LSFET-HSFET-輸出電容)
- 保持高di/dt路徑最短
- ?信號完整性要點?:
- 電流檢測差分走線(遠離開關節點)
- 門極驅動成對布線(減少寄生電感)
- 小值旁路電容靠近IC放置
- ?熱管理設計?:
- 功率器件充分銅面積
- 多過孔連接各層銅皮
- 熱焊盤100%焊接
六、開發資源與調試建議
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