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AMC21C12隔離式窗口比較器技術解析

科技觀察員 ? 2025-09-04 15:19 ? 次閱讀
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Texas Instruments AMC21C12隔離式窗口比較器是一款隔離式窗口比較器,具有開漏輸出和可選的鎖存功能。開漏輸出通過抗磁干擾能力強的隔離柵與輸入電路進行電隔離。隔離柵支持高達200VRMS 或280VDC 的工作電壓和高達570VRMS 或800VDC 的瞬態過電壓。

數據手冊:*附件:Texas Instruments AMC21C12隔離式窗口比較器數據手冊.pdf

比較窗口以0V為中心,這意味著如果輸入電壓的絕對值超過跳閘閾值,則比較器跳閘。單個外部電阻器可在20mV至300mV范圍內調節跳閘閾值。比較窗口范圍為±20mV至±300mV。當REF引腳上的電壓大于550mV時,負比較器被禁用,只有正比較器能夠正常工作。該模式下的基準電壓可高達2.7V。該模式對于監控電壓電源特別有用。

該器件上的開漏輸出支持透明模式(鎖存輸入綁定到GND2),其中輸出遵循輸入狀態,或鎖存模式(其中,輸出在鎖存輸入信號的下降沿被清除)。Texas Instruments AMC21C12采用8引腳、0.65mm腳距VSON封裝,額定擴展工業溫度范圍為-40°C至+125°C。

特性

  • 使工程師能夠通過以下特性創建更小、更精確的電機控制設計:
    • 高測量分辨率:12-14有效位數(ENOB)
    • 小封裝尺寸:3.5mmx2.7mm
    • 高CMTI性能:150 V/ns(最小值)
    • 以小尺寸實現更精確的電機控制
  • 寬高側電源電壓范圍:3 V至27 V
  • 低側電源電壓范圍:2.7V至5.5V
  • 可調節閾值:
    • 窗口比較器模式:±20mV至±300mV
    • 正比較器模式:600mV至2.7V
  • 100μA、±1%基準,用于閾值調整
  • 跳閘閾值誤差:250mV時為±1%(最大值)
  • 開漏輸出,帶可選鎖存模式
  • 傳播延遲:280ns(典型值)
  • 高CMTI:55V/ns(最小值)
  • 功能隔離
    • 工作電壓:200V RMS ,280VDC
    • 瞬態過電壓(60s):570V RMS ,800VDC
  • 小型、0.65mm腳距、無引線封裝,爬電距離和電氣間隙為1mm
  • 額定擴展工業溫度范圍(-40°C至+125°C)

功能框圖

1.png

AMC21C12隔離式窗口比較器技術解析

一、產品概述

AMC21C12是德州儀器(TI)推出的一款高速響應、功能隔離的窗口比較器,具有可調閾值和鎖存功能。該器件專為需要快速檢測過流或過壓條件的工業應用而設計,主要特點包括:

  • 高邊供電范圍:3V至27V
  • 低邊供電范圍:2.7V至5.5V
  • 可調閾值范圍:±20mV至±300mV(窗口模式)或600mV至2.7V(正比較器模式)
  • 280ns典型傳播延遲
  • 高CMTI性能:55V/ns(最小值)

二、關鍵特性與技術參數

1. 隔離性能

  • 工作電壓:200VRMS/280VDC
  • 瞬態過電壓:570VRMS/800VDC(60秒)
  • 1mm爬電距離和間隙
  • 高共模瞬態抗擾度(CMTI)

2. 比較器特性

  • 精密100μA參考電流(±1%精度)
  • 可配置為窗口比較器或正比較器模式
  • 兩種輸出模式:
    • 透明模式(輸出實時響應輸入)
    • 鎖存模式(需外部信號清除)

3. 電氣參數

參數條件最小值典型值最大值單位
傳播延遲VREF=250mV-280410ns
參考電流20mV

三、功能原理

1. 窗口比較器模式

當REF引腳電壓低于550mV時,器件工作在窗口比較器模式:

  • 正比較器(Cmp0)閾值:VREF + VHYS
  • 負比較器(Cmp1)閾值:-VREF - VHYS
  • 典型遲滯電壓:4mV

2. 正比較器模式

當REF引腳電壓超過550mV時:

  • 負比較器被禁用
  • 僅正比較器工作
  • 遲滯電壓增至25mV
  • 支持最高2.7V的參考電壓

3. 輸出模式配置

  • ?透明模式?:LATCH=低電平,輸出實時反映比較結果
  • ?鎖存模式?:LATCH=高電平,輸出保持鎖定狀態直到LATCH信號下降沿

四、典型應用設計

1. 過流檢測電路

典型設計參數:

  • 分流電阻:10mΩ
  • 過流閾值:20A→200mV
  • 參考電阻計算:(200mV-4mV)/100μA=1.96kΩ
  • 輸入RC濾波:10Ω+1nF(增加10ns延遲)

2. 電源電壓監測

48V電源監測設計示例:

  • 分壓電阻:R5=88.7kΩ, R6=4.99kΩ
  • 監測閾值:38V→2.025V
  • 參考電阻:20kΩ(對應2V閾值)

五、設計要點

  1. ?PCB布局建議?:
    • 保持GND1連接短而低阻抗
    • REF引腳電容盡量靠近器件放置
    • 使用<10kΩ的上拉電阻優化CMTI性能
  2. ?電源設計?:
    • 高邊供電:100nF+1μF去耦組合
    • VDD1>5.5V時建議串聯10Ω電阻濾波
    • 注意參考電壓建立時間(典型470μs)
  3. ?保護功能?:
    • 內置高低邊電源監控
    • 高邊故障檢測延遲時間:45μs(典型值)

六、應用領域

AMC21C12特別適用于:

  • 電信電源的過流/過壓檢測
  • 電機驅動保護電路
  • 工業模擬I/O模塊
  • 變頻器系統
  • 其他需要快速響應和電氣隔離的監測應用
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