Texas Instruments AMC23C15/AMC23C15-Q1隔離式窗口比較器是一款響應(yīng)時間較短的雙路隔離式窗口比較器。開漏輸出與輸入電路由高度抗電磁干擾性的隔離柵隔開。該隔離柵經(jīng)認證可提供高達5kVRMS 的增強型電流隔離,符合VDE 0884-17和UL1577標(biāo)準(zhǔn),支持高達1kVPK 的工作電壓。
數(shù)據(jù)手冊:
*附件:AMC23C15-Q1數(shù)據(jù)手冊.pdf
兩個比較器的窗口電壓都以0V為中心,這表示如果正向或負向輸入超出閾值,則比較器就會跳變。一個比較器具有±60mV的固定閾值。第二個比較器通過單個外部電阻器具有±5mV至±300mV可調(diào)閾值。
AMC23C15/AMC23C15-Q1還支持只有正比較器模式。當(dāng)REF引腳上的電壓大于550mV時,負極比較器將被禁用,僅正比較器正常運行。該模式下的基準(zhǔn)電壓可高達2.7V。該模式對于監(jiān)控正電壓電源特別有用。
AMC23C15/AMC23C15-Q1采用8引腳寬體SOIC封裝,適用于-40°C至+125°C的擴展工業(yè)溫度范圍。Texas Instruments AMC23C15-Q1器件符合面向汽車應(yīng)用的AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)。
特性
- 寬高側(cè)電源電壓范圍:3V至27V
- 低側(cè)電源電壓范圍:2.7V至5.5V
- 雙路窗口比較器
- 窗口比較器1:±5mV至±300mV可調(diào)閾值
- 窗口比較器2:±60mV固定閾值
- 支持正比較器模式
- Cmp0:600mV至2.7V可調(diào)閾值
- Cmp2:60mV固定閾值
- CMP1和Cmp3:禁用
- 100μA、±1%基準(zhǔn),用于閾值調(diào)整
- 跳變閾值誤差:250mV時為±1%(最大值)
- 開漏輸出
- 傳播延遲:280ns(典型值)
- 高CMTI:15V/ns(分鐘)
- 安全相關(guān)認證
- 7000V
PK強化隔離,符合DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 標(biāo)準(zhǔn) - 符合UL1577標(biāo)準(zhǔn)且長達1分鐘的5000V
RMS隔離
- 7000V
- 額定擴展工業(yè)溫度范圍:-40°C至+125°C
功能框圖

AMC23C15雙通道快速響應(yīng)隔離窗比較器技術(shù)解析
一、產(chǎn)品概述
AMC23C15是德州儀器(TI)推出的雙通道快速響應(yīng)隔離窗比較器,具有以下核心特性:
- ?高壓隔離設(shè)計?:7000VPK增強型隔離(DIN EN IEC 60747-17),5000VRMS隔離等級(UL1577)
- ?雙窗比較器架構(gòu)?:
- 比較器1:±5mV至±300mV可調(diào)閾值
- 比較器2:±60mV固定閾值
- ?超快響應(yīng)?:典型傳播延遲280ns
- ?寬工作電壓?:
- 高壓側(cè):3V至27V
- 低壓側(cè):2.7V至5.5V
- ?高抗擾度?:CMTI達15V/ns(最小)
- ?溫度范圍?:-40°C至+125°C工業(yè)級
二、關(guān)鍵參數(shù)分析
2.1 電氣特性對比
| 參數(shù) | 比較器1(可調(diào)) | 比較器2(固定) | 單位 |
|---|---|---|---|
| 閾值范圍 | ±5mV-±300mV | ±60mV | mV |
| 閾值誤差 | ±1%(max) | ±3.5mV(max) | - |
| 遲滯電壓 | 4mV(典型) | 4mV(典型) | mV |
| 傳播延遲 | 280ns(典型) | 280ns(典型) | ns |
2.2 隔離性能
三、工作原理
3.1 雙模式工作
? 窗比較器模式(VREF<550mV) ?:
- 同時啟用正負比較器
- 輸入信號超出±VREF窗口時觸發(fā)
? 正比較器模式(VREF>550mV) ?:
- 僅啟用正比較器
- 閾值遲滯增至25mV
- 適用于單極性電壓監(jiān)測
3.2 信號傳輸機制
采用基于SiO?電容隔離的OOK調(diào)制技術(shù):
- 高壓側(cè)比較結(jié)果編碼為高頻載波
- 通過電容隔離屏障傳輸
- 低壓側(cè)解調(diào)恢復(fù)信號
- 開漏輸出驅(qū)動
四、典型應(yīng)用設(shè)計
4.1 固態(tài)繼電器過流保護
?設(shè)計要點?:
- 分流電阻選擇:
- 1mΩ電阻產(chǎn)生60mV@60A
- 計算示例:25A保護需210Ω參考電阻
- 輸入濾波:
- RC網(wǎng)絡(luò)(10Ω+1nF)
- 增加10ns延遲但提高抗噪性
- 電源設(shè)計:
- 高壓側(cè)直接連接至27V電源
- 低壓側(cè)3.3V/5V MCU供電
4.2 電機驅(qū)動保護電路
?優(yōu)化建議?:
- 將GND1直接連接至電流檢測點
- 使用<10kΩ上拉電阻提高CMTI
- REF引腳旁路電容(100nF)需緊貼器件
- 避免VREF設(shè)置在450-600mV臨界區(qū)
五、PCB布局指南
- ?關(guān)鍵準(zhǔn)則?:
- 高壓側(cè)與低壓側(cè)保持≥8.5mm爬電距離
- 敏感信號遠離功率走線
- 使用完整地平面分割
- ?熱設(shè)計?:
- PowerPAD焊接至地平面
- 多散熱過孔(推薦直徑0.25mm)
- ?去耦方案?:
- 高壓側(cè):100nF+1μF組合
- 低壓側(cè):100nF+1μF組合
- 所有電容距引腳<3mm
六、選型對比
| 型號 | 隔離等級 | 響應(yīng)時間 | 閾值范圍 | 封裝 |
|---|---|---|---|---|
| AMC23C15 | 增強型 | 280ns | ±5mV-300mV | SOIC-8 |
| AMC1302 | 基本型 | 1.5μs | ±50mV | SOIC-8 |
| TPSI3050 | 增強型 | - | - | SOIC-16 |
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