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PCB過孔STUB對DDRX地址信號的影響

edadoc ? 來源:edadoc ? 作者:edadoc ? 2025-09-04 10:48 ? 次閱讀
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高速先生成員--周偉

之前高速先生發表過一篇《過孔STUB長,DDR信號“強”?》的文章,最近大家也都在問DDR4或DDR5長stub是否有影響,是否要背鉆等,然后正好有個項目在仿真DDR4地址信號的時候我們讓設計人員將走線移到stub較長的層面,信號居然變好了,到底怎么回事呢,下面我們就來看看吧。

這個項目共16層,板厚2.9mm,主控芯片拖了3片DDR4顆粒,這些器件都分布在底層,數據速率(下文簡稱數率)需要運行到2400Mbps。如下圖所示為對應的疊層信息。

wKgZO2i4_eCAblnJAAFDm9kPYuE272.jpg

采用同樣的模型進行仿真,發現主干在L14層的(Stub較長)信號質量居然比L5層(Stub較短)的信號質量更好,可見如下圖所示的第一個顆粒信號眼圖的對比。

wKgZPGi4_eCAQ4JOAANK86vZeg0373.jpg

圖1 數率2400Mbps時第一個顆粒處地址信號眼圖

上圖所示L5層的走線眼圖基本快閉合了,眼寬也比較小,這種眼圖的質量可能會影響到信號的正常工作,會導致速率跑不上去或者會數據出錯,而L14層的走線眼圖就好很多,再優化一下就會有一定的裕量,看起來過孔stub長居然對DDR4的信號質量有一定的改善作用。

這個原理其實在上篇文章中講到過,我們再來重溫一下:過孔stub本質是一種能量泄放的通道,越是高頻的能量受到的影響越大,因此,高速串行需要控制過孔stub盡量短,以避免能量損耗。但是,對于主控芯片的驅動較強,加上一驅多拓撲的反射更容易在近端顆粒處積累,所以近端顆粒的信號質量就成了通道的瓶頸,增加近端顆粒的過孔stub長度能夠很好的衰減高頻分量,使主芯片輸出的強度減弱,上升沿變緩,最終達到減少反射的目的,相應的,信號質量也得到了改善。這也印證了我們一直說的:大部分信號完整性問題歸根到底就是信號的上升沿太快造成的。

我們接下來看當數據速率上升到3200Mbps時地址信號的眼圖會怎么樣,其他都不變,直接改變地址信號的速率到1600Mbps,如下是對應的眼圖:

wKgZO2i4_eGAOKq-AAKU6Pol-G4792.jpg

圖2 數率3200Mbps時第一個顆粒處地址信號眼圖

可以看到速率上升后整體的眼高反而變好了,同時趨勢還是一樣,比較長的stub孔 L14層的走線比短stub孔L5層的走線信號質量好。看起來在模型上升沿比較快(驅動強)的時候,地址信號保留一定的過孔stub確實會對信號質量有一定的改善作用,接下來我們再用Xilinx的fast slew rate模型來驗證一下,保持同樣的拓撲,將驅動模型換成Xilinx的driver48_fast,其他不變的情況下,地址信號還是按照1600Mbps的速率仿真的結果如下所示。

wKgZPGi4_eGAAbS2AAPeJLWIChY603.jpg

圖3 數率3200Mbps時第一個顆粒處地址信號眼圖(xilinx_driver48_fast驅動)

此時還是比較強的驅動,可以看到比較長的stub孔 L14層的走線比短stub孔L5層的走線信號質量好。如果換成不是那么快的比較正常的驅動結果會怎么樣呢?下面我們把驅動改成Xilinx的driver48_typical,其他條件不變,仿真出來的眼圖如下圖所示。

wKgZO2i4_eKAO07VAAPc1oE83z4955.jpg

圖4 數率3200Mbps時第一個顆粒處地址信號眼圖(xilinx_driver48_typical驅動)

兩個眼圖肉眼看起來其實差不多,量測下來短stub孔的眼高稍微好點,但長stub孔的信號質量也還不錯,可以滿足要求,這么看來在3200Mbps數據速率下,不管驅動正常還是比較強,長stub過孔都有比較好的表現,這樣是否就能說明過孔stub比較長其實對3200Mbps速率下的地址信號反而更好呢?大部分情況下看起來是這樣的,那如果這個信號本身的驅動比較弱,此時長stub過孔會將信號上升沿變得更緩,這樣對信號質量是否有影響呢?接下來我們也通過仿真來驗證下。

其他都不變的情況下將驅動模型換成比較弱一點的ron80,再比較兩種情況在數據速率3200Mbps時的眼圖如下圖所示。

wKgZPGi4_eOAXHJWAALhFxWy4GU078.jpg

圖5 數率3200Mbps時第一個顆粒處地址信號眼圖(本案例_ron80驅動)

可以看到結論還是和上面差不多,這是由于此時這個模型的沿也不是很緩,相對于普通的弱驅其實也并不弱,那我們再來看看Xilinx的slow模式,這個可能更有代表性一點,直接將驅動模型換成Xilinx的driver48_slow,其他不變還是在3200Mbps數率下的仿真結果如下圖所示。

wKgZPGi4_eOAE1QsAALX8qkpCM4215.jpg

圖6 數率3200Mbps時第一個顆粒處地址信號眼圖(xilinx_driver48_slow驅動)

從仿真結果來看,還是過孔stub較長的信號眼圖會好點,看起來結論已經比較明顯了,那就是3200Mbps數率下,過孔stub對地址信號的影響比較小,甚至會吸收掉一部分反射信號使得信號質量更好。再拓展一下,如果到了DDR5地址信號也有ODT了,結論還是不是這樣呢?都到門口了,我們接下來就最后再仿真看看如果地址按照3200Mbps結果會怎么樣。

拓撲還是不變,驅動改為之前比較強一點的Ron48,顆粒模型換成DDR5,外部上拉端接去掉,地址信號按照3200Mbps速率仿真,結果如下圖所示。

wKgZO2i4_eSAXSxcAANyDh0juqM213.jpg

圖7 數率6400Mbps時第一個顆粒處地址信號眼圖(Ron48驅動)

可以看到當地址信號速率到3200Mbps時(數據率6400Mbps),長過孔stub對地址信號的影響也還不是很大,這樣我們以后DDR4設計的時候就不用想著stub的影響了,也不用考慮地址信號長stub要不要做背鉆了,甚至有時候還可以特意把地址信號走在長過孔stub的層面。

按照這個思路,我們正好把這個結論用在了一個一拖五的錯位正反貼的DDR4項目上,而且最終驗證也成功了。該項目板厚也是3mm共18層板,一開始設計的時候采用常規的做法,盡量避開長過孔stub的層面,后面仿真的時候發現信號質量整體不太好,尤其是第一片顆粒的眼圖比較小,信號反射嚴重,如下圖所示。

wKgZPGi4_eSAEXhyAACNOSn72aA879.jpg

后面我們建議引入一定的過孔stub,把TOP層的顆粒,前面的走線換到L3層;BOT層的顆粒,前面的走線換到L16層,這樣顆粒前面的換層孔stub就比較長,然后再仿真得到如下比較好的眼圖。

wKgZO2i4_eSAaR8_AAGPK7aQtrE940.jpg

有時候不得不覺得,這個世界就是這么神奇!尤其是DDRx的設計套路太多了,設計難度越來越大,不仿真還真不好保證能跑到那么高的速率。

關于一博:

一博科技成立于2003年3月,深圳創業板上市公司,股票代碼: 301366,專注于高速PCB設計、SI/PI仿真分析等技術服務,并為研發樣機及批量生產提供高品質、短交期的PCB制板與PCBA生產服務。致力于打造一流的硬件創新平臺,加快電子產品的硬件創新進程,提升產品質量。

審核編輯 黃宇

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