2025年8月27日，由elexcon2025深圳國際電子展、電子發(fā)燒友網(wǎng)聯(lián)合主辦的“存儲技術(shù)論壇”在深圳會展中心成功舉辦。來自江波龍、馳拓科技、東芯半導(dǎo)體、順絡(luò)電子、康盈半導(dǎo)體、電子發(fā)燒友網(wǎng)的演講嘉賓們就各類存儲芯片以及相關(guān)被動器件在端側(cè)AI應(yīng)用的機(jī)遇和挑戰(zhàn)進(jìn)行了精彩分享。

江波龍王作鵬：自在存儲，駕控隨芯

在存儲技術(shù)論壇上，深圳市江波龍電子股份有限公司汽車市場總監(jiān)王作鵬帶來了《自在存儲，駕控隨芯》的主題分享。王作鵬表示江波龍表示目前正向著UFS、LPDDR存儲方向邁進(jìn)，產(chǎn)品上做到差異化。當(dāng)前在車用存儲上江波龍已經(jīng)實(shí)現(xiàn)大部分覆蓋，并通過了AEC-Q100認(rèn)證，市場增長超過100%，采用的主機(jī)廠超過20家，Tier1超過50家。

圖：江波龍汽車市場總監(jiān)王作鵬

在主控上，江波龍擁有綜合、專業(yè)的主控人才，同時(shí)核心IP都采用自主設(shè)計(jì)研發(fā)，包括嵌入式存儲、移動存儲等都采用自研主控。并且江波龍還擁有20年的固件積累，超過5000項(xiàng)eMMC&UFS 白/黑盒測試用例。

在車規(guī)級LPDDR4x上，江波龍要做到全鏈路可靠，擁有業(yè)界領(lǐng)先的車規(guī)級晶圓顆粒驗(yàn)證技術(shù)；自研高精度寬溫ATE測試技術(shù)保障測試精度和覆蓋率；自有芯片老化篩選方案，進(jìn)一步保障產(chǎn)品可靠性；自研技術(shù)賦能，具備可靠性和FA分析能力。并通過PTM模式來為客戶提供創(chuàng)新服務(wù)，成為車規(guī)存儲優(yōu)選品牌。


馳拓科技楊曉蕾：新型非易失存儲技術(shù)-MRAM技術(shù)

論壇上，浙江馳拓科技有限公司技術(shù)研發(fā)部副總監(jiān)楊曉蕾帶來了《新型非易失存儲技術(shù)-MRAM技術(shù)》的主題分享。楊曉蕾表示MRAM是一種基于磁阻效應(yīng)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲的非易失性存儲技術(shù)，兼具高速、非易失、高耐用性等優(yōu)勢，因此MRAM也被稱為“后摩爾時(shí)代”最具潛力的新型存儲技術(shù)。

圖：馳拓科技研發(fā)部副總監(jiān)楊曉蕾

目前MRAM的應(yīng)用已經(jīng)從傳統(tǒng)逐步拓展，可以應(yīng)用在快速寫入時(shí)間、低功耗可穿戴、斷電數(shù)據(jù)不丟失、存算一體架構(gòu)等領(lǐng)域。其存儲陣列良率水平達(dá)到了95%，亞ppm級失效率表明通過部署常規(guī)的外圍電路，馳拓科技工藝平臺即可支撐高良率的高可靠MRAM芯片規(guī)模制造。

目前，Avalanche、EVERSPIN、馳拓三家在MRAM可靠性上已經(jīng)做到全球領(lǐng)先。當(dāng)前馳拓已從跟隨者跨入并跑者，并且MRAM的抗磁能力優(yōu)秀，馳拓還推出了抗磁封裝技術(shù)，讓MRAM抗磁能力進(jìn)一步提升。馳拓正在聯(lián)合業(yè)界IP合作伙伴、MCU/SoC合作伙伴共同搭載eMRAM生態(tài)合作鏈實(shí)現(xiàn)MCU/SoC內(nèi)部存儲子系統(tǒng)全新解決方案。

順絡(luò)電子：存儲設(shè)備供電用被動器件分析

本次大會，順絡(luò)電子區(qū)域FAE經(jīng)理Edward Li帶來了主題為“存儲設(shè)備供電用被動器件分析”的分享。

圖：順絡(luò)電子區(qū)域FAE經(jīng)理Edward Li

在近年火熱的數(shù)據(jù)中心和AI計(jì)算領(lǐng)域，順絡(luò)可以在關(guān)鍵的AC/DC電源、DC/DC等方面提供各類電感、電容產(chǎn)品，面向DDR5等高速存儲應(yīng)用，還可以提供高端鉭電容、模壓功率電感等產(chǎn)品。

在DDR5領(lǐng)域，順絡(luò)推出了PMIC5000系列的功率電感解決方案，根據(jù)實(shí)測數(shù)據(jù)，順絡(luò)電感在內(nèi)存條廠商中的測試，在SWA/SWB /SWC 通道上均滿足JEDCE標(biāo)準(zhǔn)，

目前順絡(luò)在鉭電容方面主要有TP（聚合物鉭電容）和TM（二氧化錳鉭電容）兩大系列。順絡(luò)推出了創(chuàng)新的設(shè)計(jì)和封裝，將鉭電容的發(fā)展提升到了一個(gè)全新的水平。包括采用無引線框的設(shè)計(jì)將體積利用率提高25%以上，以及采用底面電極設(shè)計(jì)和IC封裝技術(shù)避免了傳統(tǒng)鉭電容的引線框在彎曲過程中的破裂。

采用新的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)后，鉭電容體積利用率提升25%，新結(jié)構(gòu)產(chǎn)品更易實(shí)現(xiàn)小型化、薄型化。以25V33μF為例，傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)尺寸為7.3*4.3*3.1*，而順絡(luò)的新結(jié)構(gòu)鉭電容設(shè)計(jì)可以做到3.5*2.8*2.0的尺寸。

同時(shí)，得益于新結(jié)構(gòu)，在同等大小空間內(nèi)，新結(jié)構(gòu)的鉭電容產(chǎn)品裝粉量更高，因此，產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)高壓大容值。在漏電流方面，新結(jié)構(gòu)的鉭電容采用整板壓合的方式塑封，不存在流道壓力僅為傳統(tǒng)注射式的1/3，極大減少了對膜層的破壞，避免了漏電流的劣化。


康盈半導(dǎo)體：KOWIN存儲點(diǎn)亮AI眼鏡的視界新章

康盈半導(dǎo)體副總經(jīng)理齊開泰在本次大會上帶來主題為“KOWIN存儲點(diǎn)亮AI眼鏡的視界新章”的分享。

圖：康盈半導(dǎo)體副總經(jīng)理齊開泰

智能眼鏡從2010年的初代產(chǎn)品發(fā)展至當(dāng)前AR與VR結(jié)合的高級形態(tài)，行業(yè)關(guān)注度持續(xù)提升，盡管市場增長緩慢，但技術(shù)進(jìn)步推動了更多功能的實(shí)現(xiàn)。其中，存儲芯片在AI眼鏡等產(chǎn)品的發(fā)展中，也遇到了新的挑戰(zhàn)，如需要降低功耗、提高數(shù)據(jù)完整性和環(huán)境適應(yīng)性。

康盈為AI眼鏡提供了整套存儲解決方案，具有小體積、低功耗、高性能的特性。采用高性能閃存，保障系統(tǒng)操作的流暢性、穩(wěn)定性，同時(shí)兼容高通、聯(lián)發(fā)科、展銳、瑞芯微等主流SoC平臺。同時(shí)，產(chǎn)品通過了嚴(yán)苛的測試條件，長時(shí)間的老化測試，可以為客戶提供專業(yè)的產(chǎn)品和服務(wù)支持。
比如eMMC產(chǎn)品上，康盈推出了超小尺寸設(shè)計(jì)的產(chǎn)品，封裝尺寸最低可以到7.2mm×7.2mm×0.8mm，容量支持32GB/64GB/128GB。對比上一代Small PKG，體積更小，容量更大。

另外，康盈還推出了ePOP封裝的新一代LPDDR4X產(chǎn)品，具備32GB+16Gb/32Gb，64GB+16Gb/32Gb多種規(guī)格，封裝尺寸也相比上一代更小，只有8mm×9.5mm×0.75mm，讀寫速度最高可至300/200 MB/s。


東芯半導(dǎo)體：以存儲為基石，協(xié)同創(chuàng)新

東芯半導(dǎo)體股份有限公司副總經(jīng)理陳磊發(fā)表了題為《創(chuàng)新協(xié)同，共謀存儲生態(tài)繁榮發(fā)展》的精彩演講。

作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導(dǎo)體擁有獨(dú)立自主的知識產(chǎn)權(quán)，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售，是目前國內(nèi)少數(shù)可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案的存儲芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司。

圖：東芯半導(dǎo)體股份有限公司副總經(jīng)理陳磊

東芯半導(dǎo)體針對物聯(lián)網(wǎng)、智能硬件應(yīng)用、汽車電子、醫(yī)療健康等新興領(lǐng)域形成多元化市場布局，整合各方資源，優(yōu)化整體制造環(huán)境，形成良好的處理閉環(huán)，推動產(chǎn)品不斷精益求精。

聚焦利基型存儲，構(gòu)建了六大產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。包括，SPI NAND Flash，可提供單顆粒芯片設(shè)計(jì)的串行通信方案，在同一顆粒上集成了存儲陣列和控制器，具有高傳輸速度高可靠性的特點(diǎn)。

PPI NAND Flash，支持工業(yè)+級別105℃，具有高可靠性。SPI NOR Flash聚焦于大容量低功耗，支持Single/Dual/Quad SPl和QPI四種指令模式DTR傳輸模式。

DDR3(L)/DDR4支持低電壓1.5V/1.35V，高傳輸速率800MHz/933MHz/1066MHz。LPDDR1/2/4X產(chǎn)品，其中LPDDR1核心電壓與IO電壓均低至1.8V，LPDDR2的VDDCANVDDQ更低至1.2V，LPDDR4X的VDDQ更低至0.6V。

MCP產(chǎn)品的Flash 和DDR均為低電壓設(shè)計(jì)，核心電壓1.8V將其合二為一封裝，高效集成電路、提高穩(wěn)定性。

在汽車領(lǐng)域，東芯半導(dǎo)體SLC NAND Flash、NOR Flash 以及MCP 等產(chǎn)品陸續(xù)有更多料號通過AEC-Q100 的驗(yàn)證，將適用于要求更為嚴(yán)苛的車規(guī)級應(yīng)用環(huán)境。公司積極進(jìn)行車規(guī)客戶的導(dǎo)入和驗(yàn)證，完成國內(nèi)多家整車廠的白名單導(dǎo)入，多家境內(nèi)外一級汽車供應(yīng)商（Tier1）的供應(yīng)商資質(zhì)導(dǎo)入，并已向包括境外知名的一級汽車供應(yīng)商（Tier1）等進(jìn)行車規(guī)產(chǎn)品的銷售。

近年來，東芯半導(dǎo)體的中小容量存儲產(chǎn)品設(shè)計(jì)針對客戶需求更多地可提供定制開發(fā)服務(wù)，從設(shè)計(jì)到產(chǎn)業(yè)化的一站式解決方案。

同時(shí)，積極拓展境內(nèi)外雙代工模式，堅(jiān)持“雙軌并行”的發(fā)展策略，打造了具有“本土深度、全球廣度”的供應(yīng)鏈體系。以存儲為核心，向“存、算、聯(lián)”一體化領(lǐng)域進(jìn)行技術(shù)探索，拓展行業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，優(yōu)化業(yè)務(wù)布局。

電子發(fā)燒友網(wǎng)：端側(cè)AI令存儲百放齊放

電子發(fā)燒友網(wǎng)主編黃晶晶在演講中表示，英偉達(dá)GPU用于AI訓(xùn)練帶動高帶寬存儲HBM技術(shù)和產(chǎn)品快速迭代，國際三大廠商由此受益，而端側(cè)AI芯片真正為存儲產(chǎn)業(yè)打開突破性成長空間。端側(cè)AI芯片走向CPU+GPU+NPU多核架構(gòu)，以及新型計(jì)算架構(gòu)加持，存儲產(chǎn)品一方面是規(guī)格加速升級，另一方面新型存儲不斷涌現(xiàn)。

圖：電子發(fā)燒友網(wǎng)主編黃晶晶

2025年DDR5在服務(wù)器和PC端的滲透率均超過50%，同時(shí)DDR6進(jìn)入平臺驗(yàn)證，預(yù)計(jì)2027年商用。CAMM2標(biāo)準(zhǔn)正逐漸成為DDR6時(shí)代的重要接口方案。LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布，三星下半年量產(chǎn)下一代LPDDR6內(nèi)存，并計(jì)劃向高通等科技巨頭供貨。

不少AI推理芯片、存算一體芯片將SRAM替代DRAM，從而獲得更快的訪問速度、更低的刷新延遲等。

PCIe Gen6標(biāo)準(zhǔn)的企業(yè)級和消費(fèi)級SSD主控芯片已經(jīng)亮相，商用還需三到五年時(shí)間。UFS4.0/4.1之后UFS5.0將持續(xù)迭代。

AI技術(shù)的快速落地為NOR Flash、SLCNAND Flash等存儲芯片帶來全新的市場機(jī)遇。NOR Flash在28nm及以下先進(jìn)邏輯工藝節(jié)點(diǎn)無法實(shí)現(xiàn)的問題，業(yè)界提供MRAM接棒或新的NOR Flash技術(shù)架構(gòu)等方案。

新型存儲技術(shù)快速發(fā)展，例如相變存儲器（PCM）、阻變存儲器（RRAM）、磁變存儲器（MRAM）、鐵電存儲器（FRAM/Feram）等。此外，高帶寬閃存（HBF）、CUBE、存算一體等為AI推理提供新的性價(jià)比體驗(yàn)。

展望未來，新型存儲層出不窮，為端側(cè)AI提供更多解決方案，新興應(yīng)用加入AI元素，刺激存儲需求增長。