Texas Instruments TPS7H2211EVM電子保險(xiǎn)絲評(píng)估模塊 (EVM) 可以演示單個(gè)TPS7H2211電子保險(xiǎn)絲空間增強(qiáng)型產(chǎn)品的運(yùn)行情況。Texas Instruments TPS7H2211EVM的占位面積可填充其他元件,用于測(cè)試并行或冗余電子保險(xiǎn)絲等定制配置。
數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:Texas Instruments TPS7H2211EVM電子保險(xiǎn)絲評(píng)估模塊 (EVM)數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
特性
- 靈活的配置選項(xiàng),包括單器件和并聯(lián)器件電路
- 可定制軟啟動(dòng)、使能閾值、欠壓閾值和電容
板布局

TPS7H2211EVM電子保險(xiǎn)絲評(píng)估模塊技術(shù)解析
一、核心特性
- ?靈活配置選項(xiàng)?:支持單器件和并聯(lián)器件電路配置
- ?可編程保護(hù)功能?:可配置軟啟動(dòng)、使能閾值、欠壓閾值和電容
- ?輻射耐受設(shè)計(jì)?:符合太空和輻射環(huán)境應(yīng)用要求
- ?全面的保護(hù)機(jī)制?:集成反向電流保護(hù)、過壓保護(hù)和可配置浪涌電流限制
二、硬件設(shè)計(jì)分析
2.1 默認(rèn)配置參數(shù)
| 參數(shù) | 值 | 說明 |
|---|---|---|
| 輸入電壓(VIN) | 12V | 在器件推薦的4.5V至14V輸入電壓范圍內(nèi) |
| 輸出電流(IOUT) | 0-3.5A | 不超過器件最大連續(xù)電流 |
| EN開啟電壓(VINEN_RISE) | 7.4V | 由R3(100kΩ)和R4(9.31kΩ)設(shè)置 |
| EN關(guān)閉電壓(VINEN_FALL) | 6.1V | 由R3(100kΩ)和R4(9.31kΩ)設(shè)置 |
| OVP觸發(fā)電壓(VINOVP_RISE) | 13.5V | 由R2(100kΩ)和R5(9.31kΩ)設(shè)置 |
| OVP釋放電壓(VINOVP_FALL) | 13.4V | 由R2(100kΩ)和R5(9.31kΩ)設(shè)置 |
| 軟啟動(dòng)時(shí)間(tSS) | ≈10ms | 由C13(68nF)設(shè)置 |
2.2 關(guān)鍵接口說明
- ?電源接口?:
- J3/J5:VIN1輸入和GND
- J12/J14:VIN2輸入和GND
- J4/J13:VOUT輸出和GND
- ?控制信號(hào)測(cè)試點(diǎn)?:
- TP7/TP18:EN1/EN2使能信號(hào)
- TP8/TP19:SS1/SS2軟啟動(dòng)
- TP9/TP20:OVP1/OVP2過壓保護(hù)
三、典型應(yīng)用配置
3.1 單器件配置
評(píng)估模塊默認(rèn)配置為單器件工作模式,適用于大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用場(chǎng)景。關(guān)鍵配置元件包括:
- U1:TPS7H2211MDAPTSEP主芯片
- R2/R3:100kΩ電阻(設(shè)置OVP和EN閾值)
- R4/R5:9.31kΩ電阻(設(shè)置OVP和EN閾值)
- C13:68nF電容(設(shè)置軟啟動(dòng)時(shí)間)
3.2 并聯(lián)配置
通過配置底部未焊接元件可實(shí)現(xiàn)并聯(lián)工作模式,電流能力提升至7A。關(guān)鍵修改包括:
- 安裝U2芯片
- 焊接R15/R16/R17(0Ω電阻)實(shí)現(xiàn)信號(hào)并聯(lián)
- 安裝C28(68nF)匹配軟啟動(dòng)特性
?并聯(lián)配置參數(shù)對(duì)比?:
| 參數(shù) | 單器件 | 并聯(lián) |
|---|---|---|
| 最大電流 | 3.5A | 7A |
| 軟啟動(dòng)時(shí)間 | ≈10ms | ≈10.9ms |
| 輸入電壓 | 12V | 13V |
四、測(cè)試方案設(shè)計(jì)
4.1 推薦測(cè)試設(shè)備
- 可調(diào)電源:0-15V/10A×2臺(tái)
- 電子負(fù)載:0-10A可編程
- 示波器:帶寬≥100MHz
- 溫度記錄儀(評(píng)估熱性能)
4.2 關(guān)鍵測(cè)試項(xiàng)目
- ?啟動(dòng)特性測(cè)試?:
- 測(cè)量軟啟動(dòng)波形(TP8/TP19)
- 記錄輸出電壓上升時(shí)間
- ?保護(hù)功能驗(yàn)證?:
- OVP觸發(fā)/釋放閾值測(cè)試
- 反向電流保護(hù)測(cè)試
- ?穩(wěn)態(tài)性能測(cè)試?:
- 不同負(fù)載下的效率曲線
- 熱成像分析(滿負(fù)載條件)
五、設(shè)計(jì)指導(dǎo)
5.1 布局建議
- 功率路徑使用≥2mm走線寬度
- 輸入輸出電容盡量靠近器件引腳
- 敏感信號(hào)(EN/OVP/SS)遠(yuǎn)離高頻噪聲源
5.2 元件選型
- 輸入電容:≥150μF鉭聚合物電容(如T521D157M020ATE050)
- 輸出電容:10μF陶瓷電容(如CL31A106KBHNNNE)
- 分壓電阻:1%精度薄膜電阻(如CRCW08059K31FKEA)
六、應(yīng)用場(chǎng)景
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