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IPAC直播間丨與作者暢聊,解鎖PCIM論文技術深意

英飛凌工業半導體 ? 2025-08-26 17:04 ? 次閱讀
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2025國際電力元件、可再生能源管理展覽會(即 PCIM Asia 2025)將于2025年9月24至26日在上海新國際博覽中心舉辦。英飛凌作為全球功率系統的市場領導者將攜帶廣泛的功率器件產品組合參加此次盛會,并帶來一系列的精彩互動。


IPAC直播間也將配合此次展覽會做PCIM論文深度解讀季。在本季第一期,你將看到英飛凌資深“攻城獅”帶來如下話題的精彩分析:


關于并聯SiC MOSFET電流均衡問題

離網場景下SiC MOSFETs應用于三相四橋臂變流器的優勢

系統寄生參數對 SiC 器件開關的影響分析

直播時間:

2025年9月11日 14:00


本期嘉賓:


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董潔


對于并聯SiC MOSFET,存在電流不平衡、熱性能差異、過電壓等諸多技術難題。本文對不同參數對并聯SiC MOSFET電流分擔的影響進行了理論分析和數學計算。提出了基于SPICE模型的Simetrix仿真,研究了不同參數對電流共享的影響。最后給出了驅動電路的設計建議和柵極電阻的設計方法。


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魏作宇



工商業側儲能正以其經濟性,電網友好性等特點蓬勃發展,其中離網應用場景下,不平衡負載帶載能力,諧波畸變度等都是其PCS的重要指標。三相四橋臂(3P4L)變流器具有最強的不平衡負載能力,但對比三相三線(3P3W)系統,成本增加,諧波畸變度更高。SiC MOSFETs由于其優越的材料特性與器件特性,相較IGBT可大幅提升開關頻率,本文通過理論分析結合仿真結果說明SiC MOSFETs更加適用于三相四橋臂變流器,是更具性價比的方案選擇。


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吳旗斌



本次解讀的論文分析了系統寄生參數對 SIC(碳化硅)器件使用的影響,包括電流過充的原因、系統振蕩機理以及對 SIC 器件開關損耗的影響,主要從各開關管和續流二極管的主要影響角度進行分析。強調在系統設計過程中,除了寄生電感對功率器件電壓應力的影響外,還需要格外注意系統寄生電容的影響。



IPAC直播

PCIM論文深度解讀季第二期預告


直播時間:

9月24日 1500


直播地點:

2025 PCIM Asia展覽會現場

英飛凌展位


直播話題:

本年度英飛凌論文重點解讀


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