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技術背景：深部腦刺激的困境與突破

現(xiàn)有神經調控技術的局限性：

深部腦刺激（DBS）雖能精準靶向病理腦區(qū)（如帕金森病的丘腦底核），但需手術植入電極，存在顱內出血（5-10%）和感染（4-10%）風險。而傳統(tǒng)非侵入技術如經顱電刺激（TES）和經顱磁刺激（TMS），因電場隨深度呈指數(shù)衰減（穿透深度< 2 cm），難以有效調制海馬、丘腦等深部結構。例如，TES 在皮層產生0.8 V/m 電場時，海馬區(qū)電場僅0.1–0.3 V/m，不足調制神經元活動（閾值需> 0.2 V/m）。

TES電場在皮層強（紅色），深部弱（藍色）；

tTIS則在深部形成高峰值包絡（黃色）

2017年，Grossman團隊受干涉電流療法（IFC）啟發(fā)，首次提出時間相干刺激（temporal interfering stimulation, tTIS）。其核心突破在于：通過兩路高頻電流干涉，在深部腦區(qū)產生低頻包絡電場，實現(xiàn)無創(chuàng)靶向調制。小鼠實驗證實，tTIS成功激活海馬神經元而不影響皮層，為深部腦疾病治療開辟新途徑。

時間干擾（TI）刺激的概念及在完整小鼠大腦中神經元激活的驗證

tTIS通過兩路高頻電流（f1,f2）在深部產生低頻包絡（Δf）

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技術原理：物理基礎與神經機制

物理基礎：電場干涉與包絡生成

tTIS依賴兩路高頻正弦電流（f1, f2，通常為2 kHz與2.01 kHz），通過頭皮電極注入。當兩路電流在深部腦區(qū)交匯時，因頻率差（Δf = |f1-f2|）產生低頻包絡電場（頻率為Δf）。

差異為△f的高頻正弦電流，在深部腦區(qū)形成包絡電場

神經響應機制：雙時間常數(shù)理論

敏感性機制：軸突膜的時間常數(shù)匹配，神經元對高頻電場的響應依賴膜時間常數(shù)（τ?≈1 ms）與載波頻率（kHz級）的匹配。

實驗證據(jù)：大鼠海馬切片中，伽馬振蕩調制閾值隨載波頻率升高而增大：

大鼠海馬體外實驗中γ功率的調制

選擇性機制：網(wǎng)絡適應快于包絡頻率

GABA能抑制網(wǎng)絡是深部靶向選擇性的關鍵：

動態(tài)調制vs靜態(tài)增益：

深部腦區(qū)：AM波形引起伽馬振蕩功率隨包絡相位周期性變化（動態(tài)調制比達1.68）

皮層區(qū)：未調制kHz電場僅導致穩(wěn)態(tài)增益（靜態(tài)調制比≈1.1）

GABA?的核心作用：移除GABA?抑制后，深部動態(tài)調制消失，皮層靜態(tài)增益增強；網(wǎng)絡適應時間常數(shù)決定包絡相位敏感性。

振蕩的時間干擾刺激的通用網(wǎng)絡模型：膜時間常數(shù)和GABA能抑制的影響

爭議機制：整流假說vs低通濾波假說

離子通道整流假說

依據(jù)：霍奇金-赫胥黎軸突模型表明，tTIS需Na?通道介導的信號整流解調出包絡。

證據(jù)：高頻載波（>1 kHz）在非靶區(qū)引發(fā)軸突傳導阻滯，抑制動作電位傳播。

低通濾波假說

依據(jù)：神經元膜等效RC電路衰減高頻輸入，僅響應低頻包絡。

矛盾點：包絡波形本質仍是高頻分量（無低頻成分），單純低通濾波無法解釋神經激活。

場分布特性與個性化優(yōu)化

電場強度深度衰減的突破

傳統(tǒng)tACS局限：皮層電場（0.8 V/m）衰減至海馬區(qū)僅0.24 V/m。

tTIS優(yōu)勢：通過干涉疊加，海馬區(qū)包絡電場可達0.38 V/m，克服深度衰減。

四種條件下，右側海馬頭部和大腦皮層中10Hz峰值振幅的對比

個性化優(yōu)化的必要性

解剖結構影響：顱骨厚度、腦脊液分布等導致個體間電場差異>30%。

優(yōu)化案例：電極對PO7-FC3/T8-F8組合使海馬電場達0.20 V/m，皮層僅0.18 V/m（PR=1.1未優(yōu)化時），PR值僅0.67。

四種條件下右側海馬頭部10Hz峰值振幅比率的PR值對比

優(yōu)化后海馬區(qū)電場（黃色）顯著聚焦，皮層分布（藍色）減弱

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研究成果：從基礎到應用

運動功能調控

動物層面：小鼠運動皮層tTIS引發(fā)前爪節(jié)律運動；電流比I1:I2 = 1:8時前爪運動幅度最大（1.24 ± 0.36 mm, p < 0.00001）。

時間干擾（TI）技術在小鼠運動皮層功能可調控探測中的應用

人體試驗：健康受試者左側M1區(qū)施加70 Hz包絡tTIS，隨機反應時任務（RRTT）反應時間縮短；20 Hz包絡tTIS提升序列學習能力（SRTT）。

針對左側M1運動區(qū)的tTIS和tACS的電場模擬結果對比

研究表明，針對運動皮層70 Hz tTIS縮短反應時間，20 Hz tTIS增強運動誘發(fā)電位

神經精神疾病治療探索

癲癇灶定位：SEEG電極間施加tTIS（10 kHz/10.01 kHz, 1 mA）成功誘發(fā)患者典型癇樣放電。

膀胱控制：大鼠模型tTIS降低膀胱收縮頻率40%，增加排尿量（論文2表1）。

呼吸恢復：藥物過量大鼠經椎骨硬膜外tTIS，膈肌收縮恢復自主呼吸（論文2）。

優(yōu)化策略提升效能

TI電刺激的各種優(yōu)化策略

（A）多電極刺激（B）刺激參數(shù)的算法優(yōu)化（C）多點時間干擾（MTI）（D）硬件：精確地定位目標并實時測量生物阻抗

多電極陣列：6通道tTIS比單通道聚焦性提升70.2%，強度降低28.5%。

個性化算法：基于頭模型的窮舉法優(yōu)化電極對（如PO7-FC3/T8-F8），使海馬區(qū)PR值（深部/皮層場強比）達1.2。

個體差異與聚焦性優(yōu)勢：相同電極方案下，個體海馬電場強度變異系數(shù)達25.33%。相比tACS，tTIS在丘腦刺激中灰質整體>0.1 V/m的體素比例顯著更低（1.68% vs 39.53%），證明其聚焦性。

硬件創(chuàng)新：

實時阻抗監(jiān)測刺激器：抗相位電流驅動技術減少通道串擾至<0.1%（論文?2?圖?S3）。GHz?天線陣列：顱內植入天線實現(xiàn)深部靶向（3.6 cm?聚焦性），場強?12 V/m（論文?2）。

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應用領域與未來方向

TIS核心應用場景

運動功能調節(jié)

改善健康受試者的運動反應時間和學習能力（如20 Hz促進運動學習，70 Hz縮短反應時間）。增強初級與次級運動皮層間的功能連接（類似tDCS效果）。

神經系統(tǒng)疾病治療

癲癇：通過微創(chuàng)電極定位致癇灶（如小鼠海馬CA3區(qū)），誘發(fā)癲癇樣事件（SLEs）。結合立體腦電圖（SEEG）在患者腦中精準刺激致癇區(qū)。

脊髓損傷與呼吸障礙：刺激大鼠脊柱硬膜外區(qū)域，可恢復藥物過量導致的呼吸抑制（Sunshine et al., 2021）。激活脊髓運動神經元，為脊髓損傷提供干預新策略。

膀胱功能障礙：

研究證明可抑制大鼠膀胱過度活動，增加排尿量

視網(wǎng)膜選擇性刺激

計算模型顯示TIS可靶向刺激視網(wǎng)膜特定區(qū)域（如中央?yún)^(qū)），優(yōu)于傳統(tǒng)角膜刺激。

認知功能調控

可能影響感知、學習與工作記憶（類比tACS/tDCS）

神經退行性疾病：

帕金森病、阿爾茨海默病的深部腦區(qū)刺激。

精神疾病：

難治性抑郁癥、強迫癥的病理環(huán)路調控。

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結論：深部腦刺激的新紀元

tTIS通過高頻電場干涉生成深部低頻包絡，首次實現(xiàn)無創(chuàng)、靶向深部腦區(qū)的神經調控。其效能依賴于軸突膜時間常數(shù)（kHz匹配）與GABA能網(wǎng)絡適應（Δf匹配）的雙重機制。盡管在聚焦性（PR ≈ 1.2）和個體電場強度（海馬區(qū)變異系數(shù)25.33%）上仍需優(yōu)化，但已在運動康復、癲癇定位等領域展現(xiàn)潛力。未來需結合個性化計算模型與多電極陣列，推動tTIS邁向臨床轉化。

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回映產品

產品1：便攜式TI時域干涉經顱電刺激儀

該設備通過緊密接觸于頭皮的電極傳導兩路不同頻率的高頻脈沖電流(如：2000Hz和2010Hz),高頻電流流經大腦表層和深部區(qū)域，并在腦深部干涉產生低頻包絡(如：10Hz),由于大腦神經元對高頻(>1000Hz)電刺激不響應，所以位于大腦表層的高頻電流并沒有對大腦產生刺激效應位于腦深部的低頻包絡刺激大腦，實現(xiàn)無創(chuàng)地刺激大腦深部而不影響大腦皮層，即無創(chuàng)腦深部電刺激。

適用范圍：

能夠應用于對老年癡呆、癲癇、帕金森、抑郁癥等多種神經系統(tǒng)疾病治療和神經科學研究的多個領域。

回映便攜式TI時域干涉經顱電刺激儀設備示意圖

基本參數(shù)

刺激波形：正弦波

頻率：0-100KHz，調節(jié)步進0.1Hz，頻率誤差為±1%

強度：±4mA，調節(jié)步進0.01mA，電流輸出誤差為±1%

淡入淡出時間：0-120s，調節(jié)步進1s，時間輸出誤差為±1%

阻抗采集：0-30KΩ，誤差10%

產品2：便攜式經顱強交流電刺激儀(Hi-tACS)該設備采用非侵入性的10-30mA刺激電流直接刺激大腦區(qū)域，進而刺激大腦深部的神經核團、改變神經遞質水平，影響腦電節(jié)律、改善腦區(qū)間的聯(lián)絡，從而增強腦功能，治愈疾病。

回映便攜式經顱強交流電刺激儀設備示意圖

基本參數(shù)

刺激強度：10mA~30mA 連續(xù)可調，調節(jié)分辨率0.01mA，輸出電流誤差<=±10%；

刺激頻率：1Hz~99Hz 范圍內可調，頻率步進為1HZ，輸出頻率誤差<=±5%；

載波頻率：2KHz~100KHz 范圍內可調，頻率步進為 1KHz，輸出頻率誤差<=±1%；

淡入淡出時間：0~120s 可調，確保刺激的安全性；

刺激時間：0~60min 可調；

脫落檢測：通過實時阻抗檢測分析電極脫落狀態(tài)確保刺激有效性。

參考文獻

Interindividual variability of electric fields during transcranial temporal interference stimulation（tTIS）.

Temporal interference stimulation targets deep brain regions by modulating neural oscillations.

Noninvasive Deep Brain Stimulation via Temporally Interfering Electric Fields.

A novel non-invasive brain stimulation technique:“Temporally interfering electrical stimulation”.

Individually customized transcranial temporal interference stimulation for focused modulation of deep brain structures: a simulation study with different head models.