在功率半導體飛速迭代的進程中，碳化硅（SiC）功率器件憑借高頻、高壓、低損耗、耐高溫等優異性能，成為高效功率轉換的核心器件。而要將這些晶圓級的性能優勢完美轉化成系統級價值，先進封裝技術的支撐不可或缺——它如同一座橋梁，直接影響著器件的散熱、穩定性、功率密度及可靠性。特別是在追求極致空間利用率的磚塊電源、服務器電源、新能源車載充電器（OBC）等場景下，傳統封裝正逐漸暴露瓶頸。

在這樣的背景下，森國科（Gokeic）近期推出的1200V/50A SiC二極管KS50120-K2為何選擇采用TOLL封裝？

TOLL封裝：為高功率密度應用而生

TOLL（TO-Leadless）封裝是專為表面貼裝（SMT）優化設計的新興封裝形式，在物理結構和性能層面都超越了傳統主力TO-263（D2PAK）和TO-247：

01空間革命

TOLL的典型厚度僅約為2.3mm，相較同等性能等級厚度超5mm的TO-247有著顯著的身材優勢，TOLL通過獨特的“翼型+底部大面積開窗”設計，同時實現了極其緊湊的占板面積與絕佳的雙面散熱能力，這對寸土寸金的高密度電源設計至關重要；

02高效散熱

TOLL封裝的靈魂在于底部開有大面積散熱片（熱焊盤），熱阻較TO-263平均降低約30%，允許芯片熱量通過回流焊PCB底部銅箔與散熱器高效傳導。這種“雙面散熱”結構配合2.3mm的低厚度，在大電流工況下能顯著降低結溫，提升穩定性和長期壽命；

03穩固可靠

無曲折、短平的粗壯引腳結構（TOLL名稱來源），搭配優化的“翼型”結構設計，大幅提升貼裝后的機械強度和抗熱應力能力，尤其適合在汽車等振動與嚴苛溫度循環的應用場景下使用，保證系統長期運行的穩健性；

04SMT便捷性

TOLL采用全表面貼裝結構，與傳統插件型TO-247相比消除了波峰焊的瓶頸和人工成本，尤其在高集成化、緊湊型模組設計中更易實現自動化回流焊，提升批量制造效率及良品率。

為滿足電力電子產品小型化、高功率密度的需求，森國科首家推出了TOLL封裝SiC二極管，成為行業領跑者。其推出的1200V/50A SiC JBS器件KS50120-K2，正是這一封裝技術的首秀載體。這款高效續流二極管專為PFC電路、變頻驅動或OBC中的橋臂應用深度優化。TOLL封裝的引入顯著縮小了系統占用空間，通過更優的低熱阻路徑和更高電流密度提升了系統的整體功率密度，同時兼顧了高頻工況下的可靠性與散熱需求。

隨著SiC器件快速滲透入服務器電源、快充系統、新能源汽車等關鍵場景，系統的高功率密度和極端可靠性要求成為核心突破點。以森國科KS50120-K2為標志性代表的新一代TOLL封裝SiC二極管，正在通過薄型化優化、熱管理躍升與制造增效，為功率模塊的小型化、自動化與集成化探索一條更優路徑——封裝不僅是芯片的“外衣”，更是解鎖未來高效能源轉換系統的物理鑰匙。

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深圳市森國科科技股份有限公司是一家專業從事功率器件、模塊，功率IC的高新科技企業。功率器件主要包括碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT，功率芯片主要包括功率器件驅動芯片、無刷電機驅動芯片兩大類。公司總部在深圳市南山區，在深圳、成都設有研發及運營中心。公司研發人員占比超過70%，研究生以上學歷占比50%，來自聯發科、海思、比亞迪微電子、羅姆、華潤上華等機構，囊括清華大學、電子科技大學、西安電子科技大學、西北工業大學等微電子專業知名院校。

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