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隨著信息化智能化應(yīng)用的飛速發(fā)展，智能筆的應(yīng)用領(lǐng)域也日趨廣泛。在智能筆的喚醒和續(xù)航時(shí)長(zhǎng)功能設(shè)計(jì)中，使用開(kāi)關(guān)觸發(fā)低功耗模式是核心需求，傳統(tǒng)的垂直場(chǎng)感應(yīng)芯片會(huì)因磁場(chǎng)方向偏移導(dǎo)致觸發(fā)盲區(qū)（如圖1所示），影響產(chǎn)品使用。因此，對(duì)芯片的低功耗性能和能夠消除旋轉(zhuǎn)盲區(qū)，360°可靠觸發(fā)的特性要求顯得尤為重要。

圖1 垂直場(chǎng)芯片：磁場(chǎng)分布圖（左）磁鐵旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)磁場(chǎng)分布曲線圖（右）

江蘇多維科技推出的全極型TMR13Nx系列磁開(kāi)關(guān)傳感器芯片，基于隧道磁阻（TMR）技術(shù)，為智能筆提供全極型開(kāi)關(guān)磁觸發(fā)解決方案。

圖2 智能筆應(yīng)用原理圖

產(chǎn)品特性

納安級(jí)功耗實(shí)現(xiàn)超長(zhǎng)待機(jī)：在分時(shí)供電模式下，TMR13Nx靜態(tài)電流低至200nA。

水平場(chǎng)感應(yīng)消除旋轉(zhuǎn)盲區(qū)：敏感方向平行于PCB，磁通線始終垂直穿透感應(yīng)面，無(wú)角度依賴(lài)性，全向無(wú)盲區(qū)觸發(fā)（如圖3所示）。

圖3 水平場(chǎng)芯片：磁場(chǎng)分布圖（左）磁鐵旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)磁場(chǎng)分布曲線圖（右）

全極型觸發(fā)簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝：N/S極磁鐵都可以直接觸發(fā)開(kāi)關(guān)，簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝步驟，提高量產(chǎn)效率。

圖4 TMR13Nx開(kāi)關(guān)傳感器芯片應(yīng)用原理圖

磁信號(hào)響應(yīng)頻率高：在實(shí)低功耗功能的同時(shí)，TMR13Nx磁開(kāi)關(guān)傳感器芯片磁信號(hào)響應(yīng)頻率可達(dá)50Hz，高出Hall傳感器數(shù)倍。

TMR13Nx產(chǎn)品選型表

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