Texas Instruments TPSM8S6C24SEVM評估模塊旨在評估TPSM8S6C24器件，并熟悉該器件直至達到對 PmBus^?^ 命令和擴展寫保護的深入了解。 TPSM8S6C24是可配置的單輸出降壓轉換器模塊。該評估模塊可在5V至16V輸入電壓范圍內工作。TPSM8S6C24SEVM評估板使用標稱12V總線在高達 35A的負載電流下產生1.2V穩壓輸出電壓。該評估模塊可通過PmBus接口進行編程和監控。TPSM8S6C24SEVM板用于數據中心、機架服務器、有源天線系統、遠程無線電、基帶單元、自動測試設備、MRI、ASIC、SoC和FPGA。

數據手冊：*附件：Texas Instruments TPSM8S6C24SEVM 驅動評估模塊數據手冊.pdf

特性

• 使用EVM上提供的測試點評估TPSM8S6C24電源模塊
• 使用Fusion GUI評估TPSM8S6C24設備配置和監控
• 1.2V穩壓輸出電壓
• 高達35A直流輸出負載電流
• 用于探測關鍵波形的便捷測試點
• PMBus連接器可輕松連接USB適配器

原理圖

TPSM8S6C24SEVM-1PH評估模塊技術解析與設計指南

一、核心特性與功能架構

1. ?模塊定位?

   • 專為評估TPSM8S6C24單輸出降壓電源模塊設計，支持PMBus?通信及擴展寫保護功能
   • 輸入電壓范圍：5-16V（典型12V），輸出1.2V@35A（最大效率84.7%）
   • 支持4模塊并聯堆疊，集成同步整流與650kHz開關頻率

2. ?關鍵性能指標?

   參數	典型值	測試條件
   輸出紋波	<10mV	35A滿載
   負載調整率	±0.1%	0-35A階躍
   瞬態響應	28mV跌落	17.5A→35A@1A/μs
   工作溫度	96°C	200LFM風冷/35A持續10分鐘

3. ?安全特性?

   • 多重保護機制：輸入欠壓鎖定(UVLO)、過溫關斷(OTP)、過流保護(52A閾值)
   • 符合汽車級EMC標準：通過CISPR 25 Class 5輻射測試

二、硬件設計要點

2.1 外圍電路配置

1. ?輸入/輸出濾波設計?
   • 輸入電容：4×100μF鋁電解+3×22μF陶瓷電容組合（PVIN引腳）
   • 輸出電容：2×330μF鉭聚合物+6×100μF陶瓷電容（VOUT引腳）
   • 電感選型：集成式功率模塊，無需外接電感
2. ?關鍵測試點定義?
   • ?效率測量點?：TP23(PVIN_EFF)與TP20(PGND_EFF)排除PCB銅損影響
   • ?環路分析點?：TP16(CHA)/TP17(CHB)接入網絡分析儀進行波特圖測試
3. ?跳線配置模式?| 跳線 | 功能 | 默認狀態 |
   | ------ | ------------------ | ----------------- |
   | JP3 | AVIN輸入源選擇 | 短接2-3腳(PVIN) |
   | JP4 | 使能信號模式選擇 | 短接3-4腳(UVLO) |

三、軟件控制與PMBus配置

1. ?Fusion GUI核心功能?
   • 實時監控：輸入/輸出電壓/電流、芯片溫度、故障狀態
   • 參數配置：
     • VOUT微調范圍：±10% via VSEL引腳
     • 軟啟動時間：3ms（默認值，可通過TON_RISE調整）
     • 開關頻率：650kHz（MSEL1編程）
2. ?典型配置流程?
   1. 通過USB-to-GPIO適配器連接EVM與PC
   2. 加載Fusion Digital Power Designer軟件
   3. 寫入配置參數后執行"Store Config to NVM"固化設置
3. ?多模塊同步控制?
   • PHASE=0xFF廣播指令實現相位均流
   • BCX_CLK/BCX_DAT引腳支持背板通信

四、實測數據與優化建議

1. ?效率曲線對比?

   輸入電壓	10%負載效率	50%負載效率	滿載效率
   5V	78%	85%	82%
   12V	89%	91%	84.7%

2. ?布局優化關鍵?

   • 高壓路徑：SW節點走線寬度≥3mm，避免直角轉彎
   • 熱設計：推薦在PowerPAD添加4×φ0.3mm散熱過孔

3. ?典型應用場景?

   • 數據中心交換機：12V輸入→1.2V@30A為ASIC供電
   • 醫療成像設備：需配合強制風冷維持溫度<90°C