Texas Instrument TPS536C9T降壓數字多相D-CAP+控制器是一款符合VR14標準的降壓控制器，具有跨電感穩(wěn)壓器（TLVR）拓撲支持。該器件包括一個內置非易失性存儲器（NVM）、雙通道以及一個與TI智能功率級完全兼容的PMBus? 接口。D-CAP+架構等高級控制功能可提供低輸出電容、快速瞬態(tài)響應和良好的動態(tài)電流共享。還本地支持自適應電壓定位和輸出電壓轉換速率的可調控制。此外，該器件還支持PMBus通信接口，可向主機系統(tǒng)報告遙測的電流、電壓、功率、溫度和故障狀況。所有可編程參數均可通過PMBus接口進行配置，而且可作為新的默認值存儲在NVM中，以盡可能減少外部元件數量。

數據手冊：*附件：Texas Instruments TPS536C9T降壓多相D-CAP+控制器數據手冊.pdf

特性

• 4.5 V 到 17 V 的輸入電壓范圍
• 輸出電壓范圍：0.25 V至5.5 V
• 雙輸出支持N+M相配置（N+M≤12，M≤6）
• 本機跨電感電壓調節(jié)器 (TLVR) 拓撲支持，具有LC開路和短路保護
• 與TI智能功率級完全兼容
• 支持電壓源和電流源IMON功率級，具有內部1kΩ電阻器
• 支持傳統(tǒng)模式和跛行模式功率級故障識別
• 支持布線長度大于12英寸的雙側電力輸送
• 符合Intel VR14 SVID標準且支持PSYS
• 向后兼容VR13.HC/VR13.0 SVID
• 自動NVM故障狀態(tài)記錄
• 增強型D-CAP+控制，具有優(yōu)異的瞬態(tài)性能和出色的動態(tài)電流共享
• 動態(tài)切相，可編程閾值，優(yōu)化輕重負載時的效率
• 可通過非易失性存儲器（NVM）進行配置，從而減少外部元件數量
• 單獨的每相位IMON校準，具有多斜率增益校準以提高系統(tǒng)精度
• 二極管制動，具有可編程超時功能，可減少瞬態(tài)過沖
• 可編程每相谷值電流限制 (OCL)
• PMBus? v1.3.1系統(tǒng)界面，用于遙測電壓、電流、功率、溫度和故障狀況
• 可通過PMBus對環(huán)路補償進行編程
• 6.00 mm × 6.00 mm、48引腳、QFN封裝

簡化的應用程序（交錯TLVR）

?TPS536C9T多相降壓控制器技術解析與應用指南

一、核心特性與技術亮點?

1. ?寬范圍電源管理?
   • 輸入電壓：4.5V至17V
   • 輸出電壓：0.25V至5.5V（支持Intel VR14 SVID協議，兼容VR13.HC/VR13.0）
   • 雙通道設計支持動態(tài)相位調整，優(yōu)化輕載/重載效率
2. ?先進控制架構?
   • ?D-CAP+?技術?：提供超快瞬態(tài)響應，減少輸出電容需求
   • ?TLVR支持?：通過電感耦合（Lc1/Lc2）實現雙端供電，降低傳輸損耗
   • ?多斜率IMON校準?：提升系統(tǒng)電流監(jiān)測精度，支持每相獨立校準
3. ?智能化功能?
   • PMBus v1.3.1接口：實時監(jiān)控電壓、電流、功率及溫度參數
   • NVM存儲配置：減少外部元件數量，簡化設計
   • 二極管制動功能：可編程超時控制，抑制瞬態(tài)過沖

?二、典型應用場景?

• ?數據中心服務器?：通過動態(tài)相位脫落（Dynamic Phase Shedding）實現能效優(yōu)化
• ? 網絡接口卡（NIC） ?：利用TLVR拓撲解決12英寸長走線的電壓調節(jié)問題
• ?ASIC供電?：軟關斷選項（新增于2025年7月修訂版）增強OVP故障保護

?三、設計要點與參考方案?

1. ?布局建議?
   • 熱焊盤必須焊接至PCB以確保散熱性能（參考TI文檔SLUA271）
   • 采用71%焊膏覆蓋率的鋼網設計（0.1mm厚度）
2. ?調試工具鏈?
   • 通過TI E2E?論壇獲取實時技術支持
   • 使用PMBus命令配置環(huán)路補償及電壓擺率

?四、版本迭代與選型?

• 2025年7月更新（Rev.A）新增OVP軟關斷功能
• 可選型號：TPS536C9TRSLR（標準版）、TPS536C9TRSLR.A（支持新關斷邏輯）