Texas Instruments TPS53685雙通道D-CAP+?多相控制器具有跨電感穩(wěn)壓器 (TLVR) 拓撲支持、雙通道、內(nèi)置非易失性存儲器 (NVM) 和PMBus?接口。該器件完全兼容TI NexFET?智能電源級。完全符合AMD SVI3標準的降壓控制器具有D-CAP+?架構(gòu)和下沖衰減 (USR) 等高級控制特性，可提供快速瞬態(tài)響應(yīng)和良好的電流共享，從而最大程度地降低對輸出電容的要求。此外，該器件還提供全新的相位交錯策略和動態(tài)切相功能，可提升不同負載條件下的效率。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments TPS53685雙通道D-CAP+?多相控制器數(shù)據(jù)手冊.pdf

TI TPS53685還支持PMBus通信接口，用于向系統(tǒng)報告遙測電壓、電流、功率、溫度和故障情況。所有可編程參數(shù)均可通過PMBus接口進行配置，而且可作為新的默認值存儲在NVM中，以盡可能減少外部組件數(shù)量。

TPS53685器件采用熱增強型40引腳QFN封裝，額定工作溫度為–40°C至125°C。

特性

• 輸入電壓范圍：4.5V至17V
• 輸出電壓范圍：0.25V至5.5V
• 雙輸出，支持N+M相位配置（N+M≤8，M≤4）
• 支持原生跨電感器穩(wěn)壓器 (TLVR) 拓撲
• 符合AMD? SVI3標準
• 增強型D-CAP+控制，具有優(yōu)異的瞬態(tài)性能和出色的動態(tài)電流共享
• 可編程環(huán)路補償
• 靈活的相位觸發(fā)順序
• 動態(tài)切相，可編程電流閾值，優(yōu)化輕重負載時的效率
• 單獨的相電流校準和報告
• 快速相位添加，用于瞬態(tài)下沖抑制 (USR)
• 無驅(qū)動器配置，實現(xiàn)高效的高頻開關(guān)
• 完全兼容TI NexFET功率級，用于高密度解決方案
• 精確可調(diào)電壓定位
• 獲得專利的AutoBalance?相位電流均衡
• 可選擇的每相電流限制
• PMBus系統(tǒng)界面，用于遙測電壓、電流、功率、溫度和故障狀況
• 5.00 x 5.00mm 40引腳0.4mm間距QFN封裝

簡化示例應(yīng)用

TPS53685雙通道多相控制器技術(shù)解析與應(yīng)用指南?

一、核心特性與創(chuàng)新設(shè)計

1. ?雙通道靈活配置?
   • 支持N+M≤8相（單通道≤4相）的電源拓撲，適用于高密度計算場景，如AMD SVI3兼容的服務(wù)器CPU供電系統(tǒng)。
   • 集成TLVR（Trans-Inductor Voltage Regulator）拓撲原生支持，優(yōu)化高頻瞬態(tài)響應(yīng)能力。
2. ?D-CAP+?增強控制技術(shù)?
   • 通過動態(tài)相位增減（Phase Shedding）實現(xiàn)負載效率優(yōu)化：輕載時自動關(guān)閉冗余相位，重載時快速激活相位抑制電壓跌落（Undershoot Reduction技術(shù)）。
   • 專利AutoBalance?相位電流平衡算法，確保多相間電流分配誤差<±3%。
3. ?智能化監(jiān)控接口?
   • 全功能PMBus?接口支持電壓/電流/功率/溫度的實時遙測，可配置報警閾值并存儲至NVM（非易失存儲器）。
   • 提供每相獨立的電流校準與報告功能，便于系統(tǒng)級能效分析。

二、關(guān)鍵應(yīng)用場景

• ?高性能計算電源?：利用0.25V~5.5V寬輸出范圍及17V輸入耐壓，滿足GPU/FPGA的嚴格供電需求。
• ?5G基站BBU?：多相并聯(lián)設(shè)計（支持8相）可提供>200A的持續(xù)電流輸出，配合可編程電壓定位（Droop Control）降低電容用量。
• ?邊緣服務(wù)器?：Driverless架構(gòu)減少外部元件，5×5mm QFN封裝適應(yīng)緊湊型PCB布局。