傳統封裝與晶圓級封裝的區別
文章來源：半導體與物理
原文作者：jjfly686
本文主要講述芯片制造中的從傳統封裝到晶圓級封裝。
在芯片制造的最后環節，裸片（Die）需要穿上“防護鎧甲”——既要抵抗物理損傷和化學腐蝕，又要連接外部電路，還要解決散熱問題。封裝工藝的進化核心，是如何更高效地將硅片轉化為功能芯片。
一、傳統封裝：先切割，后穿衣
核心流程：Wafer → Dicing → Packaging
晶圓切割（Dicing）
用金剛石刀片或激光將晶圓切成獨立裸片
芯片粘接（Die Attach）
銀膠或DAF薄膜（Die Attach Film）將裸片固定在基板
互聯工藝
金線鍵合（Wire Bonding）：用25μm金線（比頭發細1/3）連接芯片焊盤與基板
模塑封裝（Molding）
環氧樹脂模塑料（EMC）注入模具，高溫固化形成保護殼
晶圓級封裝（WLP）：先穿衣，后切割
核心流程：Wafer → Packaging → Dicing
晶圓級加工
重布線層（RDL）：在整片晶圓上光刻出銅導線，重新排布焊盤位置
植球（Solder Bumping）：通過電鍍在焊盤上制作錫球或銅柱凸塊
整片封裝
整片晶圓涂覆保護層（PI/BCB介電材料）；部分工藝增加硅通孔（TSV）實現3D堆疊
切割分離
完成所有封裝步驟后切割晶圓，單片芯片直接可用
技術對比
| 特性 | 傳統封裝 | 晶圓級封裝（WLP） |
|---|---|---|
| 流程順序 | 先切后封 | 先封后切 |
| 處理對象 | 單個芯片 | 整片晶圓（批量處理） |
| 厚度 | 0.8-1.2mm | 0.3-0.5mm（減薄60%） |
| I/O密度 | ≤500 pin/cm2 | ≥2000 pin/cm2 |
| 生產速度 | 每小時數千顆 | 每小時數萬顆 |
| 典型應用 | 家電MCU、功率器件 | 手機射頻芯片、傳感器、MEMS |
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原文標題：芯片制造：從傳統封裝到晶圓級封裝
文章出處：【微信號：bdtdsj，微信公眾號：中科院半導體所】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
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