Texas Instruments TPSM82830x降壓電源模塊是一款易于使用的同步降壓DC/DC模塊，具有集成式電感器和片上噪聲過濾電容器。該器件基于DCS控制拓撲結(jié)構(gòu)，可提供快速瞬態(tài)響應(yīng)和小輸出電容。得益于內(nèi)部基準，該器件可在-40°C至125°C的結(jié)溫范圍內(nèi)將輸出電壓調(diào)節(jié)到低至0.5V，反饋電壓精度達1%。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments TPSM82830x降壓電源模塊數(shù)據(jù)手冊.pdf

Texas Instruments TPSM82830x擁有一個MODE引腳，用于控制器件的工作模式。省電模式可在極輕負載下保持高效率，從而延長系統(tǒng)電池的運行時間。強制PWM模式可維持連續(xù)導(dǎo)通模式，從而確保超低的輸出電壓紋波和準固定開關(guān)頻率。該器件具有電源正常信號和受控良好的內(nèi)部軟啟動電路。此系列器件能夠以100%模式運行。該器件集成有斷續(xù)短路保護和熱關(guān)斷功能，用于故障保護。該系列產(chǎn)品采用3.0mm×3.0mm×2.0mm QFN封裝。

特性

• 2.25 V 到 5.5 V 的輸入電壓范圍
• 可調(diào)輸出電壓：0.5V至4.5V
• FB電壓精度：1%（TJ范圍為-40°C至125°C）
• 優(yōu)化EMI性能
• 有助于符合CISPR 11/32標準
  • 集成片上噪聲濾波電容器
  • 可根據(jù)CISPR進行測量
• 卓越的瞬態(tài)響應(yīng)
• 7 μA 運行靜態(tài)電流
• 開關(guān)頻率：2.0MHz
• 35 mΩ和18 mΩ內(nèi)部功率MOSFET
• DCS控制拓撲結(jié)構(gòu)
• MODE引腳，用于選擇導(dǎo)通模式
• 支持1.2V GPIO
• 100%占空比，以實現(xiàn)最低壓差
• 有源輸出放電
• 電源良好輸出
• 熱關(guān)斷保護
• 實現(xiàn)跳閘或閉鎖的OCP/OVP
• 可提供SIMPLIS模型

應(yīng)用

• 工業(yè)PC
• 工廠自動化和控制
• 醫(yī)用病人監(jiān)護儀
• ASIC、SoC和MCU供應(yīng)
• 通用負載點

功能框圖