最初的TPS82671全集成降壓轉換器模塊為全系列器件打開了銷路。這一系列器件將全部所需無源組件包含在2.3mm x 2.9mm封裝內。你無需添加輸入電容器、輸出電容器、功率電感器或反饋電阻器；這一切都已經包含在內！圖1顯示的是MicroSiP器件。

圖1：MicroSiP器件包括全部所需組件

TI所具備的集成半導體IC和機械基板的共同設計能力使其能夠在1.6A TPS8268180 (435W/cm3) 系列和3A TPS82085 (1370W/cm3) 系列內提供業內領先的功率密度。TPS8268180在最小尺寸封裝內提供最高電流，并且具有針對光模塊等通信設備的低噪聲。特別是在光模塊中，用模塊化的電源節省任一小塊兒的印刷電路板 (PCB) 空間將為整個系統增加額外通道或數據吞吐量—可實現立竿見影的產品銷售優勢。目前，輸入電壓范圍可以適應5V電源，在無數的工業系統中可實現更大的靈活性。

近期，采用3A MicroSiL封裝的TPS82085可實現針對固態硬盤 (SSD) 和測試與測量設備的最高功率密度。這一款工業友好型封裝的安裝方式與四方扁平無引線 (QFN) 封裝相類似，而與之前MicroSiP的焊錫凸塊不同。由于只集成了IC和功率電感器，MicroSiL可以在大約35mm2的總體解決方案尺寸內實現高電流。對于SSD來說，如此小的電源為存儲器騰出了更多的空間，而這也是終端用戶選擇購買SSD的原因所在。

此外，也請不要忘記用于可穿戴和醫療設備應用的創新型TPS82740。雖然它在功率密度方面并未贏得任何獎項（它只是一款200mA器件），不過說它在6.7mm2 內封裝了最關鍵的功能性卻是實至名歸。只需想像一下你可以用所有這些組件為整個電源解決方案實現哪些功能，在10μA以下負載情況下，用360nA IQ 的靜態電流實現高效率，用于消除電池毫安級關鍵泄露的負載開關，一個經RF優化的省電模式，在無需線性穩壓器和其它組件的情況下，直接為射頻供電。