電子發燒友網綜合報道 隨著汽車電動化的演進，BCD工藝在汽車半導體領域正在變得越來越關鍵。

BCD即Bipolar-CMOS-DMOS，顧名思義這種工藝是將雙極晶體管（Bipolar）、互補金屬氧化物半導體（CMOS）、雙擴散金屬氧化物半導體（DMOS）三種器件集成在同一芯片上。結合雙極晶體管的高驅動能力、CMOS的高集成度與低功耗，以及DMOS的高壓大電流特性，能夠降低芯片面積，提高性能。

BCD工藝由意法半導體于1985年首次推出，當時的工藝節點為4微米，電壓能力為20V。主要為了滿足電子應用中對高性能模擬、電源管理和高電壓能力的需求。到2010年，工藝節點達到0.11微米，電壓能力擴展到1200V，滿足高壓應用需求。目前意法半導體已經推出90nm，集成eNVM存儲器，支持3D堆疊技術的BCD工藝。

另外還有更多的廠商正在推動BCD工藝的發展，比如芯聯集成的 BCD+SOI 技術通過深溝槽隔離消除閂鎖效應，在新能源逆變器中實現 1200V 耐壓與 10MHz 高頻驅動，較傳統方案體積縮小 60%。

在BCD工藝的發展過程中，除了eNVM的加入，還引入了一些無源器件，包括高精度電阻、電容和電感等，持續提升模擬電路的性能。DMOS結構也進行了多次改進迭代，實現更高的電流密度和更低的導通電阻，從而提高功率轉換效率。

另外，SOI技術也正在更多地與BCD工藝結合，BCD-SOI通過深溝槽隔離（DTI）提升抗干擾能力，適用于高可靠性場景。

因此，從集成高電壓、大電流、高級程度、高驅動能力等特性來看，BCD工藝與汽車電動化需求尤為契合。實際上在傳統的燃油車上，BCD工藝就被用于ECU中的功率驅動和信號處理部分，支持燃油噴射、點火時機等功能，能夠處理發動機運行所需的高電壓和大電流需求。

以及在變速箱控制單元中，BCD工藝用于驅動變速器中的電磁閥和執行器芯片，負責管理自動變速器的換擋邏輯，提供高電壓和大電流的支持。

在電動汽車中，BMS是電池系統的核心之一，BCD工藝應用于BMS芯片，處理電池組的高電壓和大電流需求，監控和管理電池狀態。

OBC車載充電機上主要功能是交直流轉換，同樣需要高電壓、大電流的轉換和控制，OBC上的功率驅動芯片、PMIC等都會用到BCD工藝。

未來隨著汽車電動化的趨勢，BCD工藝節點進一步縮小，將支持更高的電壓和更大的電流，滿足未來高壓應用的需求。為了提高集成度，BCD工業也將集成更多的功能，如傳感器接口、通信模塊和智能控制單元，實現更高級別的系統集成，尤其在汽車電子和工業自動化領域。

BCD 工藝憑借其高壓集成、低功耗與高可靠性，已成為汽車芯片的核心制造技術。隨著 800V 高壓平臺、智能底盤等新技術的普及，BCD 工藝將在車規級功率器件、嵌入式存儲與多域控制器領域持續突破，推動汽車電子向更高集成度、更低成本方向發展。