SM72482 Dual Gate Driver 以改進(jìn)的峰值取代了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的柵極驅(qū)動(dòng)器 輸出電流和效率。每個(gè)“復(fù)合”輸出驅(qū)動(dòng)器級(jí)包括 MOS 和雙極 并聯(lián)工作的晶體管，共同從容性負(fù)載吸收超過(guò) 5A 的峰值電流。 結(jié)合 MOS 和雙極器件的獨(dú)特特性，減少驅(qū)動(dòng)電流變化 電壓和溫度。還提供欠壓鎖定保護(hù)。驅(qū)動(dòng)程序可以是 通過(guò)連接輸入和輸出并聯(lián)運(yùn)行，使驅(qū)動(dòng)電流能力翻倍。這 器件采用 SOIC 封裝。
*附件：sm72482.pdf

特性

• 可再生能源等級(jí)
• 獨(dú)立驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET
• 復(fù)合 CMOS 和雙極輸出可減小輸出電流變化
• 5A 灌電流、3A 拉電流能力
• 兩個(gè)通道可以并聯(lián)，使驅(qū)動(dòng)電流增加一倍
• 獨(dú)立輸入（TTL 兼容）
• 快速傳播時(shí)間（典型值為 25 ns）
• 快速上升和下降時(shí)間（2 nF 負(fù)載時(shí)，上升時(shí)間為 14 ns，下降時(shí)間為 12 ns）
• 提供雙通道同相、雙通道反相和組合配置
• 電源軌欠壓鎖定保護(hù) （UVLO）
• SM72482 UVLO 配置為通過(guò) OUT_A 驅(qū)動(dòng) PFET，通過(guò) OUT_B 驅(qū)動(dòng) NFET
• 引腳與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器兼容
• 包
  • SOIC的
  • 熱增強(qiáng)型 VSSOP

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

• ?型號(hào)?：SM2
• ?類型?：雙5A復(fù)合柵極驅(qū)動(dòng)器
• ?特點(diǎn)?：
  • 替代行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器，提高峰值輸出電流和效率
  • 每個(gè)“復(fù)合”輸出驅(qū)動(dòng)級(jí)包含MOS和雙極晶體管，共同從電容性負(fù)載中吸收超過(guò)5A的峰值電流
  • 獨(dú)立驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET
  • 提供欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)
  • 可選配置：雙非反相、雙反相和組合配置

二、應(yīng)用領(lǐng)域

• 同步整流柵極驅(qū)動(dòng)器
• 開關(guān)模式電源柵極驅(qū)動(dòng)器
• 電磁閥和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

三、引腳描述與功能

• ?IN_A/IN_B?：A/B側(cè)控制輸入，TTL兼容閾值
• ?VEE?：輸入和輸出的地參考，連接到電源地
• ?OUT_A/OUT_B?：A/B側(cè)驅(qū)動(dòng)器輸出，電壓擺幅從VCC到VEE
• ?VCC?：正輸出電源，本地去耦到VEE
• ?NC?：不連接

四、電氣特性

• ?工作電壓范圍?：VCC-VEE為.V至V
• ?UVLO閾值?：VCC-VEE為2.3V至.V
• ?VCC供電電流?：典型值為mA至2mA（根據(jù)型號(hào)和輸入條件）
• ?控制輸入閾值?：高電平閾值1.3V至.V，低電平閾值.V至2.0V
• ?輸出驅(qū)動(dòng)能力?：峰值源電流3A，峰值沉電流5A

五、開關(guān)特性

• ?傳播延遲時(shí)間?：低至高5ns至0ns，高至低ns至ns
• ?上升時(shí)間?：ns至ns
• ?下降時(shí)間?：ns至ns

六、熱特性

• ?結(jié)到環(huán)境熱阻?：SOIC封裝為°C/W，VSSOP封裝為0°C/W

七、詳細(xì)操作描述

• 輸出級(jí)采用MOS和雙極晶體管并聯(lián)結(jié)構(gòu)，優(yōu)化寬輸出電壓和溫度范圍內(nèi)的電流能力
• 控制輸入為高阻抗CMOS緩沖器，具有TTL兼容閾值電壓
• UVLO電路監(jiān)控VCC和VEE之間的電壓差，當(dāng)電壓差低于.V時(shí)禁用驅(qū)動(dòng)器

八、布局考慮

• 需在VCC和VEE引腳之間連接低ESR/ESL電容器，以支持高峰值電流
• 適當(dāng)接地至關(guān)重要，需為電流返回提供低阻抗路徑
• 最小化電流承載導(dǎo)體的長(zhǎng)度，以減少電感和由高di/dt瞬變產(chǎn)生的EMI