LM9061 系列由電荷泵器件組成，可提供 柵極驅動到配置為高側驅動器或開關的任意尺寸的外部功率 MOSFET。這 包括多個并聯連接的 MOSFET，適用于極高電流應用。一個 CMOS 邏輯兼容的 ON 和 OFF 輸入控制輸出柵極驅動電壓。在 ON 狀態下， 電荷泵電壓，遠高于可用的 V抄送supply，是 直接應用于 MOSFET 的柵極。內置 15V 齊納二極管可箝位到源極的最大柵極 MOSFET 的電壓。當命令關閉時，110μA 電流吸收器將 MOSFET 具有逐漸關斷特性，以最大限度地減少感性負載的持續時間 瞬態電壓，并進一步保護功率 MOSFET。
*附件：lm9061.pdf

功率 MOSFET 的無損保護是 LM9061 的一個關鍵特性。電壓降 （V DS 系列 ） 在整個功率器件中受到持續監控并與 外部可編程閾值電壓。一個小型電流感應電阻器，與 負載會導致可用能量損失，因此保護電路不需要。如果 VDS 系列電壓，由于負載電流過大，超過閾值電壓， 輸出以更漸進的方式（通過 10 μA 輸出電流吸收）鎖定 可編程延遲時間間隔。

特性

• 適用于汽車應用
• 符合 AEC-Q100 標準，結果如下：
  • 器件 HBM ESD 分類 2 級
  • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
• 可承受 60V 電源瞬變
• 帶 V 的過壓關斷 抄送 > 30 V
• 無損過流保護閉鎖
  • 不需要電流檢測電阻器
  • 在高電流負載下將功率損耗降至最低
• 保護閉鎖的可編程延遲
• 逐漸關斷以較大限度地降低電感負載瞬態電壓
• CMOS 邏輯兼容的 ON 和 OFF 控制輸入

參數

方框圖

一、產品概述

LM1是一款高側保護控制器，適用于汽車應用，并通過AEC-Q認證。它能夠為外部功率MOSFET提供門極驅動，并具備過壓、過流保護功能。

二、主要特性

• ?汽車級應用?：符合AEC-Q標準，適用于汽車控制單元、繼電器驅動等場景。
• ?無損過流保護?：通過監測MOSFET的漏源電壓（VDS）實現過流保護，無需電流感應電阻，減少功率損失。
• ?可編程延遲關斷?：提供可編程的延遲時間，允許在過流情況下短暫維持輸出，適應啟動電流較大的負載。
• ?逐漸關斷?：關斷時通過逐漸減小門極電流，減少感性負載的瞬態電壓，保護MOSFET。
• ?過壓保護?：當供電電壓VCC超過0V時，自動關斷輸出。
• ?CMOS邏輯兼容?：通過CMOS電平信號控制開關狀態。

三、應用領域

• ? 傳輸控制單元（TCU） ?
• ? 發動機控制單元（ECU） ?
• ?閥門、繼電器和電磁閥驅動?
• ?燈驅動?
• ?DC電機PWM驅動?
• ?邏輯控制的電源分配開關?
• ?電子斷路器?
• ?高功率音頻揚聲器?

四、電氣特性

• ?供電電壓?：7V至6V（標稱），最高可承受0V瞬態電壓。
• ?門極驅動電壓?：最高可達VCC+V，內置5V齊納二極管保護。
• ?靜態電流?：5mA（典型值），在關閉狀態下較低。
• ?過流保護閾值?：通過外部電阻設置，監測VDS電壓實現保護。

五、功能描述

• ?MOSFET門極驅動?：內置電荷泵電路，提供高于VCC的門極驅動電壓。
• ?無損過流保護?：監測MOSFET的VDS電壓，當超過設定閾值時，經過延遲后逐漸關斷輸出。
• ?可編程延遲?：通過外部電容設置關斷前的延遲時間。
• ?過壓保護?：當VCC電壓超過0V時，自動關斷MOSFET以保護負載。
• ?逐漸關斷?：關斷時通過μA電流逐漸放電MOSFET門極電容，減少感性負載的電壓尖峰。

六、應用信息

• ?典型應用電路?：包括驅動單個或多個并聯MOSFET的電路，適用于高電流應用。
• ?設計指南?：提供了關于如何選擇外部電阻、電容以及布局布線的建議。
• ?熱管理?：在高電流應用中，需要注意MOSFET的散熱設計，以防止過熱損壞。

七、封裝與尺寸

• ?封裝類型?：SOIC-封裝。
• ?封裝尺寸?：具體尺寸請參考數據手冊中的封裝圖紙。