ADL8102是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為1 GHz至22 GHz。

數據手冊：*附件：ADL8102 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器，1 GHz至22 GHz技術手冊.pdf

在9 GHz至19 GHz范圍內，ADL8102提供27 dB典型增益、2.5 dB典型噪聲系數，在1 GHz至9 GHz范圍內提供25 dBm典型輸出三階交調截點(OIP3)，以及高達15.5 dBm的飽和輸出功率(P SAT )，采用5 V電源電壓時功耗僅為110 mA。ADL8102還具有內部匹配50 Ω的輸入和輸出。RFIN和RFOUT引腳均內部交流耦合，同時集成了偏置電感，使其非常適合基于表貼技術(SMT)的高容量微波無線電應用。

ADL8102采用符合RoHS標準的3 mm × 3 mm、16引腳LFCSP封裝。

特性

• 單個正電源（自偏置）
• 增益：27 dB（典型值，9 GHz至19 GHz時）
• OP1dB: 13.5 dB（典型值，1 GHz至9 GHz時）
• OIP3: 25 dBm（典型值，1 GHz至9 GHz時）
• 噪聲系數：2.5 dB（典型值，9 GHz至19 GHz時）
• 符合RoHS標準的3 mm x 3 mm、16引腳LFCSP封裝

引腳配置和功能描述

接口示意圖

典型特性

簡易框圖

應用

• 電信
• 衛星通信
• 軍用雷達
• 氣象雷達
• 民用雷達
• 電子戰