TPSM63610E 源自同步降壓模塊系列,是一種高度集成的 36V、8A DC/DC 解決方案,將功率 MOSFET、屏蔽式電感器和無源器件組合在一個增強型 HotRod? QFN 封裝中。該模塊在封裝的角落有 VIN 和 VOUT 引腳,用于優化輸入和輸出電容器的布局。模塊下方的四個較大的導熱墊可實現簡單的布局和制造中的輕松處理。
*附件:tpsm63610e.pdf
該 TPSM63610E 的輸出電壓范圍為 1 V 至 20 V,旨在快速輕松地在小型 PCB 中實現低 EMI 設計。整個解決方案只需要四個外部元件,并且無需在設計過程中選擇磁性元件和補償部件。
雖然 TPSM63610E 模塊專為空間受限的應用而設計,但其設計尺寸小、作簡單,但提供了許多功能以實現穩健的性能:帶滯后的精密使能,用于可調節的輸入電壓 UVLO,電阻器可編程開關節點轉換速率和擴頻,以改善 EMI。以及集成的 VCC、自舉和輸入電容器,以提高可靠性和密度。該模塊可配置為在整個負載電流范圍 (FPWM) 內保持恒定開關頻率,或配置為可變頻率 (PFM) 以實現更高的輕負載效率。包括一個用于排序、故障保護和輸出電壓監控的 PGOOD 指示器。
特性
- 功能安全
- 多功能 36V IN、8A OUT 同步降壓模塊
- 集成 MOSFET、電感器和控制器
- 1 V 至 20 V 的可調輸出電壓
- 6.5 mm × 7.5 mm × 4 mm 包覆成型封裝
- –55°C 至 125°C 結溫范圍
- 頻率可在 200 kHz 至 2.2 MHz 范圍內調節
- 負輸出電壓能力
- 在整個負載范圍內具有超高效率
- 峰值效率為 95%+
- 用于提高效率的外部偏置選項
- 外露焊盤可實現低熱阻。EVM θ JA = 18.2 °C/W。
- 關斷靜態電流為 0.6 μA(典型值)
- 超低傳導和輻射 EMI 特征
- 具有雙輸入路徑和集成電容器的低噪聲封裝可減少開關振鈴
- 電阻器可調開關節點轉換速率
- 符合 CISPR 11 和 32 B 類輻射標準
- 專為可擴展電源而設計
- 引腳與 TPSM63608 兼容(36 V,6 A)
- 固有的保護功能,實現穩健的設計
- 精密使能輸入和漏極開路 PGOOD 指示器,用于排序、控制和 UVLO 中的 V
- 過流和熱關斷保護
參數
方框圖
概述
TPSM63610E 是一款高集成度的同步降壓(Buck)電源模塊,適用于寬范圍輸入電壓(3V 至 36V)和輸出電壓(1V 至 20V)的應用。該模塊集成了 MOSFET、電感器和控制器,提供了高效率、低 EMI 和增強的熱性能。
主要特性
- ?功能安全?:提供文檔支持功能安全系統設計。
- ?寬范圍輸入/輸出?:36V 輸入,8A 輸出(峰值可達 10A),輸出電壓可調(1V 至 20V)。
- ?高效率?:峰值效率超過 95%,具有外部偏置選項以進一步提高效率。
- ?低 EMI?:低噪聲封裝和雙輸入路徑設計,滿足 CISPR 11 和 32 Class B 輻射標準。
- ?熱性能?:擴展的溫度范圍(-55°C 至 125°C),具有低熱阻的裸露焊盤。
- ?保護特性?:包括精密使能輸入、開漏 PGOOD 指示器、過流保護和熱關斷保護。
- ?可擴展性?:引腳兼容 TPSM63608(36V, 6A),便于升級。
應用領域
- 測試和測量
- 航空航天和國防
- 工廠自動化和控制
- 降壓和反相降壓-升壓電源供應
封裝與尺寸
- ?封裝?:增強型 HotRod? QFN 封裝(B3QFN, 22 引腳)
- ?尺寸?:6.5mm × 7.5mm × 4mm
電氣特性
- ?開關頻率?:可調范圍 200kHz 至 2.2MHz
- ?啟動電壓?:3.7V
- ?關斷靜態電流?:典型值為 0.6μA
- ?輸出電壓精度?:±1%
- ?保護功能?:包括輸入欠壓鎖定(UVLO)、過流保護和熱關斷
典型應用電路
- ?高效 8A(峰值 10A)同步降壓調節器?:適用于工業應用,如 5V 輸出,輸入電壓范圍 9V 至 36V。
- ?反相降壓-升壓調節器?:提供負輸出電壓,如 -12V 輸出,輸入電壓范圍 9V 至 24V。
設計考慮
- ?輸入/輸出電容?:推薦使用低 ESR 的陶瓷電容,以減小紋波電壓并提高穩定性。
- ?布局建議?:輸入和輸出電容應盡可能靠近 VIN 和 VOUT 引腳,以減少寄生電感。
- ?熱設計?:使用足夠的銅面積和熱過孔來實現低熱阻,確保結溫不超過 150°C。
開發支持
- 提供 WEBENCH? Power Designer 工具,支持自定義設計和仿真。
- 提供詳細的應用筆記、技術文章和參考設計,幫助用戶快速上手。
文檔與支持
- 數據手冊提供了全面的規格、應用信息和設計指南。
- TI 官網提供最新的文檔更新通知和支持資源。
-
電容器
+關注
關注
64文章
6958瀏覽量
107722 -
電源模塊
+關注
關注
33文章
2196瀏覽量
96221 -
QFN封裝
+關注
關注
0文章
193瀏覽量
17679 -
引腳
+關注
關注
16文章
2111瀏覽量
55681 -
無源器件
+關注
關注
5文章
225瀏覽量
24318
發布評論請先 登錄
高度集成的36V、8A 直流/直流解決方案TPSM63610E數據表
高密度、3V至36V輸入、1V至16V輸出、4A同步降壓直流/直流電源模塊采用增強型HotRod? QFN封裝TPSM63604數據表
高密度、3V至36V輸入、1V至6V輸出、2A電源模塊采用增強型HotRod? QFN封裝TLVM13620數據表
高密度、3V 至36V輸入、1V至16V輸出、2A電源模塊采用增強型HotRod? QFN封裝TPSM63602數據表
高密度、3V至36V輸入、1V至16V輸出、3A電源模塊采用增強型HotRod? QFN封裝TPSM63603數據表
高密度、3V至36V輸入、1V至6V輸出、3A電源模塊采用增強型HotRod? QFN 封裝TLVM13630數據表
TPSM63606 高密度、36V 輸入、1V 至 16V 輸出、6A 電源模塊數據手冊
TPSM63603 高密度、3V 至 36V 輸入、1V 至 16V 輸出、3A 電源模塊數據手冊
德州儀器TPSM63610E高密度同步降壓電源模塊技術解析與應用指南
TPSM63610高密度同步降壓DC/DC電源模塊技術解析
TPSM63610評估板技術解析:高密度36V/8A同步降壓電源模塊設計
TPSM63610E 高密度、36V 輸入、1V 至 20V 輸出、8A 電源模塊數據手冊
評論