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      HMC-XDB112 x2無源倍頻器芯片，20 - 30 GHz輸出

      數據：

      優勢和特點

      • 轉換損耗： 13 dB
      • 無源： 無需直流偏置
      • 輸入驅動： +13 dBm
      • 高Fo隔離： 30 dB
      • 裸片尺寸： 2.2 x 0.65 x 0.1 mm

      產品詳情

      HMC-XDB112是一款單芯片無源倍頻器，采用GaAs異質結雙極性晶體管(HBT)技術，適用于低頻率倍頻比直接生成高頻率更加經濟的大規模應用。 所有焊盤和芯片背面都經過Ti/Au金屬化，HBT器件已完全鈍化以實現可靠操作。

      HMC-XDB112無源倍頻器MMIC可兼容常規的芯片貼裝方法，以及熱壓縮和熱超聲線焊，非常適合MCM和混合微電路應用。 此處顯示的所有數據均是芯片在50 Ohm環境下使用RF探頭接觸測得。

      應用

      • 點對點無線電
      • VSAT
      • 測試儀器儀表
      • 軍事和太空
      • 時鐘發生

      方框圖



      技術文檔

      數據手冊（1）
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