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CSD18542KCS CSD18542KCS 60V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

數據:

描述

這款60V,3.3mΩ,TO-220 NexFET功率金屬氧化物半導體場效應應晶體管(MOSFET)被設計成在功率轉換應用中最大限度地降低功率損耗。

特性

  • 超低Q g 和Q gd
  • 低熱阻
  • 雪崩額定值
  • 邏輯電平
  • 無鉛引腳鍍層
  • 符合RoHS標準
  • 無鹵素
  • 晶體管(TO)-220塑料封裝

應用范圍

  • 直流 - 直流轉換
  • 次級側同步整流器
  • 電機控制

所有商標均為其各自所有者的財產。

參數 與其它產品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD18542KCS
60 ? ?
Single ? ?
5.1 ? ?
4 ? ?
400 ? ?
44 ? ?
6.9 ? ?
TO-220 ? ?
20 ? ?
1.8 ? ?
170 ? ?
200 ? ?
Yes ? ?

技術文檔

數據手冊(1)
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