概述
HMC8119是一款集成E頻段的砷化鎵(GaAs)、假晶(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)、同相和正交(I/Q)上變頻器芯片，工作頻率范圍為81 GHz至86 GHz。 HMC8119在整個(gè)頻段內(nèi)提供10 dB小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益和22 dBc邊帶抑制性能。 該器件采用由6倍LO倍頻器驅(qū)動(dòng)的圖像抑制混頻器。 提供差分I和Q混頻器輸入。 輸入可由針對(duì)直接變頻應(yīng)用的差分I和Q基帶波形驅(qū)動(dòng)。 或者，輸入可通過(guò)使用針對(duì)單邊帶應(yīng)用的外部90混合型器件和兩個(gè)外部180型器件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。 所有數(shù)據(jù)包括中頻(IF)端口上1 mil金線焊的效應(yīng)。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC8119 81GHz至86GHz，E頻段I Q上變頻器技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• E頻段通信系統(tǒng)
• 高容量無(wú)線回程
• 測(cè)試與測(cè)量

特性

• 轉(zhuǎn)換損耗： 10 dB（典型值）
• 邊帶抑制： 針對(duì)1 dB壓縮(P1dB)的典型輸入功率：22 dBc 16 dBm（典型值）
• 輸入三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3)： 24 dBm（典型值）
• 輸入二階交調(diào)截點(diǎn)(IP2)： -5 dBm（典型值）
• RFOUT上6倍本振(LO)泄漏： -23 dBm（典型值）
• RF回?fù)p： 12 dB（典型值）
• LO回?fù)p： 20 dB（典型值）
• 裸片尺寸： 3.601 mm × 1.609 mm × 0.05 mm

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

工作原理

HMC8119是一款砷化鎵（GaAs）的I/Q上變頻器，集成了本振（LO）緩沖器和6倍頻器。電路架構(gòu)的功能框圖見(jiàn)圖79。6倍頻器可使用頻率范圍較低的本振輸入信號(hào)，通常在11.83 GHz到14.33 GHz之間。該6倍頻器通過(guò)級(jí)聯(lián)一個(gè)3倍頻器和一個(gè)2倍頻器來(lái)實(shí)現(xiàn)。片上集成的本振緩沖放大器可提供典型的2 dBm本振驅(qū)動(dòng)電平，以實(shí)現(xiàn)最佳性能。

本振路徑驅(qū)動(dòng)一個(gè)正交功分器，之后連接片上平衡 - 不平衡轉(zhuǎn)換器（巴倫），用以驅(qū)動(dòng)I和Q混頻器核心。混頻器核心由平衡無(wú)源混頻器組成。I和Q混頻器的射頻輸出隨后通過(guò)片上威爾金森功率合成器進(jìn)行合成，并經(jīng)過(guò)電抗匹配，在RFOUT引腳上提供一個(gè)單端50Ω的輸出信號(hào)。

零中頻直接轉(zhuǎn)換

零中頻直接轉(zhuǎn)換的應(yīng)用電路如圖81所示。對(duì)于需要額外本振泄漏校正的應(yīng)用，會(huì)包含一個(gè)偏置網(wǎng)絡(luò)。

在省略偏置配置的情況下，仍需注意，當(dāng)對(duì)IFIP、IFIN、IFQP和IFQN引腳進(jìn)行耦合時(shí)，要連接到數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）的輸出端。大多數(shù)DAC設(shè)計(jì)為在高于地電位的共模電壓下工作。HMC8119的I/Q輸入以地為參考，將差分信號(hào)的源共模和輸出電壓設(shè)置為非0V，可能會(huì)導(dǎo)致射頻性能下降，并有可能損壞器件。