HMC8119 81 GHz至86 GHz，E頻段I/Q上變頻器

數(shù)據(jù)： HMC8119產(chǎn)品技術(shù)英文資料手冊(cè)

優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

轉(zhuǎn)換損耗： 10 dB（典型值）
邊帶抑制：針對(duì)1 dB壓縮(P1dB)的典型輸入功率：22 dBc 16 dBm（典型值）
輸入三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3)： 24 dBm（典型值）
輸入二階交調(diào)截點(diǎn)(IP2)： -5 dBm（典型值）
RFOUT上6倍本振(LO)泄漏： -23 dBm（典型值）
RF回?fù)p： 12 dB（典型值）
LO回?fù)p： 20 dB（典型值）
裸片尺寸： 3.601 mm × 1.609 mm × 0.05 mm

產(chǎn)品詳情

HMC8119是一款集成E頻段的砷化鎵(GaAs)、假晶(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)、同相和正交(I/Q)上變頻器芯片，工作頻率范圍為81 GHz至86 GHz。 HMC8119在整個(gè)頻段內(nèi)提供10 dB小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益和22 dBc邊帶抑制性能。該器件采用由6倍LO倍頻器驅(qū)動(dòng)的圖像抑制混頻器。提供差分I和Q混頻器輸入。輸入可由針對(duì)直接變頻應(yīng)用的差分I和Q基帶波形驅(qū)動(dòng)。或者，輸入可通過(guò)使用針對(duì)單邊帶應(yīng)用的外部90混合型器件和兩個(gè)外部180型器件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。所有數(shù)據(jù)包括中頻(IF)端口上1 mil金線(xiàn)焊的效應(yīng)。

應(yīng)用