電子發燒友原創 章鷹
近日，調研機構TrendForce集邦咨詢報告顯示，2024年第四季度全球電動汽車逆變器總裝機量達到867萬臺，季度增長26%，中國與歐洲市場的強勁需求成為主要動能，帶動純電動車（BEV）、插電混合式電動車（PHEV）裝機量同比較上季成長 28%，值得關注的是華為已經位列全球五大供貨商之列。

這份報告還披露，2024年全球牽引逆變器市場裝機量達2,721萬臺，SiC（碳化硅）逆變器受惠特斯拉及中國車廠采用，滲透率第四季達16%，成為年度最高。從逆變器供應端的分析看，比亞迪2024年第三季超越日廠Denso，第四季持續穩居全球市占率最高寶座。第四季最大亮點是華為受益新能源車問界系列熱銷，首度成為全球五大供貨商。在全球前五的SiC逆變器供應商陣容中，中國企業在五大中占據三席，打破美歐日廠商主導的市場格局。

近年來主驅碳化硅功率芯片的電壓等級不斷提高，從最早的650V、750V已經發展到了1200V，并且被多家傳統車企及新能源汽車企業采用。

本文重點梳理比亞迪、華為、方正微電子、長安汽車在SiC芯片領域的最新進展，為SiC產業鏈自主化貢獻了哪些主流新產品。

主驅SiC邁入1500V時代，比亞迪實現全產業鏈自產自研

3月17日，比亞迪e平臺技術發布會上，比亞迪董事長兼總裁王傳福發布了“兆瓦閃充”技術，他表示：“這一創新技術可實現最高充電電壓1000V，最大充電電流1000A，最高充電倍率10C，最大充電功率1MW，最高峰值充電速度可實現1秒2公里，5分鐘充電400公里。”

為此，比亞迪升級了電機和電控系統，比亞迪推出全新的高轉速電機，轉速高達每分鐘30511次轉，全球首款量產的3萬轉電機。性能強大的電機，常規的功率芯片無法承載，比亞迪研發全新一代碳化硅功率模塊來匹配它的超高功率。

比亞迪集團執行副總裁廉玉波宣布，比亞迪正式發布1500V車規級SiC功率芯片，這也是行業首次量產應用的、最高電壓等級的車規級SiC功率芯片。首搭車型覆蓋漢L EV、唐L EV、仰望U7、騰勢N9。

比亞迪技術負責人表示，輸出電壓1000V電壓平臺，要求功率模塊半橋耐壓達到1500V，為了攻克這一難題，比亞迪又自主研發了1500V耐壓的SiC功率模塊，采用雙面銀燒結工藝和高耐溫封裝技術，功率模塊可耐受200度高溫。雜散電感降至5nH。與此功率回路，我們采用激光焊接技術，確保了電控系統的高功率輸出。此外，我們基于整車大數據，開發了極致性能的控制策略，功率模塊輸出電流高達1000是高電壓和高電流得到完美結合，使電機的性能得到充分釋放。

廉玉波指出，千伏架構是對比亞迪電動汽車設計體系的權威升級，我們不僅僅突破了1000伏高壓下電、磁、力、熱多個離場耦合的難題，還突破了高電壓下安全EMC等系統設計的難題，更是重構了從材料、部件、系統到整車全層級的千伏架構的設計體系，更難的是千伏高壓架構的供應鏈。據悉，比亞迪公布的1500V碳化硅芯片在其寧波生產基地進行生產。

尊界新SiC車型即將上市，華為800V碳化硅高壓平臺賦能多個車型

2023年11月，華為發布了全新的震撼新品——全新一代DriveONE 800V高壓碳化硅黃金動力平臺，并宣布“上車”旗下首款智選車智界S7。華為首發的SiC電機每分轉速可達22000轉，華為自研的全新SIC模組大幅提升了MCU效率，最高效率達到了98%。

2024年6月11日，華為鴻蒙智行與奇瑞合作推出了智界R7、智界S7等汽車，它們均配備了800V碳化硅高壓平臺，其中有單電機版和雙電機版，前者最大功率215千瓦，雙電機版最大功率365千瓦，CLTC工況最大續航里程855Km。

2025年2月20日，在深圳舉辦的鴻蒙智行尊界技術發布會上，華為常務董事、終端BG董事長、智能汽車解決方案BU董事長余承東表示，尊界品牌的首款車型尊界S800將搭載六大智能化技術，預計將于5月底正式上市。據悉，尊界S800將搭載530KW的雙電機和配備65KWh、6C增程電池，該車純電續航可以達到200公里，配合1.5T增程發動機，綜合續航能力達到860公里。

方正微電子推出1200V SiC器件，應用于主驅逆變器

去年10月，方正微電子在首屆“灣芯展”上重磅發布了車規/工規級SiC MOS 1200V全系產品。其中TPAK FA120T008AA產品采用高耐溫塑封器件，采用芯片燒結和Clip bond技術提升器件性能，可以燒結外形更適合電動車主驅，1200V8mΩ。

圖：方正微電子SiC MOS功率模組 電子發燒友拍攝

方正微電子副總裁、產品總經理彭建華表示，方正微電子車規1200V SiC MOS產品已經規模應用，特別是在新能源汽車主驅控制器上規模上車。

方正微電子在國產供應鏈上具備兩大優勢：一、公司已經實現了車規級碳化硅芯片量產，在芯片的設計與制造上均實現了獨立自主，并且和國產SiC襯底、SiC外延的知名廠商實現強強合作；二、產能規模上也持續上量。公司已經實現6英寸SiC 產能9000片/月，預計2024年底產能將達到1.4萬片/月，2025年將具備16.8萬片/年車規SiC MOS生產能力。

長安汽車車規級SiC芯片流片成功

3月4日，“重慶青山”官微消息，長安汽車與重慶大學聯合研發的SiC功率芯片首輪流片成功下線。該項目在2023年4月啟動，此次流片下線的SiC功率芯片在耐壓和閾值電壓等關鍵參數上均表現出優秀的性能。器件耐壓性能突出，擊穿電壓最高可達1700V以上；閾值電壓一致性表現優異，通過率達到98%，實測值分布集中，具有較強的抗干擾能力，在大批量使用時更易于配對，從而節約成本。

青山公司是長安汽車的子公司，長安汽車是國內非常重視碳化硅產業鏈布局的企業之一。3月17日，斯達半導體重慶車規級模塊生產基地正式封頂，該項目由長安汽車旗下的深藍汽車與斯達半導體聯合打造，總投資4億元，分兩期建設。一期規劃產能50萬片/年，預計2025年6月實現小批量生產；二期擴容至180萬片。

寫在最后

TrendForce表示，短期牽引逆變器市場成長仍靠中國及歐洲帶動，特別是純電動汽車對牽引逆變器的需求較其他動力模式更高，突顯中國市場表現更關鍵。中國車企比亞迪、長安汽車、賽力斯、理想、小米等紛紛推出SiC車型，10萬級車型也用上了SiC，加速了國產車規級SiC芯片和主驅逆變器上車，中國芯片廠商已經在全球供應鏈上構建了自身不俗的實力和強大的生態圈，未來會在全球市場版圖上拿下更多的份額。