概述
HMC986A是一款反射式、單刀雙擲(SPDT)開關，采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。該開關在0.1 GHz至50 GHz寬帶頻率范圍內通常提供2.3 dB的低插入損耗和30 dB的高隔離度。

該開關在?5 V至?3 V范圍內采用兩個負邏輯控制電壓工作。這些電氣性能數據均通過HMC986A的RFx焊盤獲取，這些焊盤通過最小長度為3.0 mil × 0.5 mil的焊線和50 Ω傳輸線路連接。
數據表：*附件：HMC986A 0.1GHz至50GHz GaAs MMIC反射式SPDT開關技術手冊.pdf

應用

• 測試儀器儀表
• 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
• 軍用無線電、雷達和電子對抗(ECM)
• 寬帶電信系統
  特性
• 寬帶頻率范圍：0.1 GHz至50 GHz
• 反射式50 Ω設計
• 低插入損耗：2.3 dB (50 GHz)
• 高隔離度：30 dB (50 GHz)
• 高輸入線性度
  • 1 dB功率壓縮(P1dB)：28 dBm（典型值）
  • 三階交調點(IP3)：40 dBm（典型值）
• 高功率處理
  • 27 dBm（通過路徑）
• 13焊盤、0.98 mm × 0.75 mm × 0.1 mm、芯片封裝

框圖

引腳配置

接口示意圖

典型性能特征

HMC986A背面金屬化，必須用金錫(AuSn)共晶預制件或導電環氧樹脂直接附著到接地層。芯片厚度為0.102毫米(4密耳)。推薦使用0.127 mm (5 mil)厚氧化鋁薄膜基板上的50 歐姆微帶傳輸線，用于將RF引入和引出HMC986A(見圖22)。
當使用0.254毫米(10密耳)厚的氧化鋁薄膜基板時，HMC986A必須升高0.150毫米(6密耳)，以便HMC986A的表面與基板表面共面，這可以通過將0.102毫米(4密耳)厚的芯片連接到0.15毫米(6密耳)厚的鉬散熱器(鉬片)來實現。然后將鉬片連接到接地層(見圖23)。