HMC435A SPDT非反射式開關技術手冊
概述
HMC435AMS8G(E)是一款非反射式DC-4 GHz GaAs MESFET SPDT開關，采用低成本8引腳MSOP8G表面貼裝封裝，帶有裸露接地焊盤。 該開關非常適合蜂窩/3G和WiMAX/4G應用，實現高達60 dB的隔離、0.8 dB的低插入損耗和+50 dBm的輸入IP3。 在3.8 GHz WiMAX頻段，該開關具有很高的功率處理能力，另外提供+30 dBm的P1dB壓縮性能。 片內電路可在很低的DC電流下實現0/+5伏特的正電壓控制。
數據表：*附件：HMC435A SPDT非反射式開關技術手冊.pdf
應用
- 基站和中繼器
- 蜂窩/3G和WiMAX/4G
- 基礎設施和接入點
- CATV/CMTS
- 測試儀器儀表
特性
- 高隔離度：
62 dB（1 GHz時）
52 dB（2 GHz時） - 正控制： 0/+5V
- 輸入IP3： 54 dBm
- 非反射式設計
- 超小型MSOP-86封裝：
- 14.8 mm2
絕對最大額定值
邏輯圖
外形圖
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