概述
ADRF5025是一款反射式、單刀雙擲(SPDT)開關，采用硅工藝制造。

該開關的工作頻率范圍為9 kHz至44 GHz，提供優于1.6 dB的插入損耗和35 dB隔離性能。ADRF5025的通過路徑和熱切換均具有27 dBm的射頻(RF)輸入功率處理能力。

ADRF5025在+3.3 V正電源電壓和-3.3 V負電源電壓下分別消耗14 μA和120 μA的低電流。該器件采用互補金屬氧化物半導體(CMOS)/低壓晶體管對晶體管邏輯(LVTTL)兼容控制特性。

ADRF5025與[ADRF5024]（低頻截止版本）引腳兼容，工作頻率范圍為100 MHz至44 GHz。

ADRF5025 RF端口設計用于匹配50 Ω的特征阻抗。對于超寬帶產品，RF傳輸線路上的阻抗匹配可以進一步優化高頻插入損耗和回波損耗特性。有關更多詳情，請參考“電氣規格”部分、“典型性能參數”部分和“應用信息”部分。

ADRF5025采用符合RoHS標準的2.25 mm × 2.25 mm、12引腳、基板柵格陣列(LGA)封裝，工作溫度范圍為?40°C至+105°C。
數據表：*附件：ADRF5025 9kHz至44GHz硅SPDT反射式開關技術手冊.pdf

應用

• 工業掃描儀
• 測試和儀器儀表
• 蜂窩基礎設施：5G毫米波
• 軍用無線電、雷達、電子對抗(ECM)
• 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)

特性

• 超寬帶頻率范圍：9 kHz至44 GHz
• 反射式設計
• 具有阻抗匹配的低插入損耗
  • 0.9 dB（典型值）至18 GHz
  • 1.4 dB（典型值）至40 GHz
  • 1.6 dB（典型值）至44 GHz
• 不具有阻抗匹配的低插入損耗
  • 0.9 dB（典型值）至18 GHz
  • 1.7 dB（典型值）至40 GHz
  • 2.2 dB（典型值）至44 GHz
• 高輸入線性度
  • P1dB：27.5 dBm（典型值）
  • IP3：50 dBm（典型值）
• 高RF輸入功率處理
  • 通過路徑：27 dBm
  • 熱切換：27 dBm
• 無低頻雜散
• RF建立時間 (50% VCTL至 0.1 dB 的最終RF輸出): 3.4 μs
• 12引腳、2.25 mm × 2.25 mm LGA封裝
• 與[ADRF5024]快速切換版本引腳兼容

框圖

引腳配置

接口示意圖

ADRF5025-EVALZ是一款4層評估板。外層銅(Cu)層的厚度為0.5盎司(0.7密耳)至1.5盎司(2.2密耳)，并由介電材料隔開。圖17顯示了評估板疊層。

所有RF和dc走線都布設在頂層銅層上，內層和底層是接地層，為RF傳輸線路提供堅實的接地。頂部介電材料為8密耳Rogers RO4003，提供最佳高頻性能。中間和底部介電材料提供機械強度。整個電路板的厚度為62密耳，允許在電路板邊緣連接2.4毫米射頻發射器。