概述

ADRF5032 是一款利用硅工藝制造的反射式單刀雙擲 (SPDT) 開(kāi)關(guān)。ADRF5032 的工作頻率范圍為 1 GHz 至 60 GHz，具有低于 2.0 dB 的插入損耗和高于 32 dB 隔離性能。該套件都具有 RF 輸入功率處理能力，對(duì)于直通路徑，為 24 dBm，對(duì)于 熱切換，則為 21 dBm。

ADRF5032 需要 ±3.3 V 的雙電源電壓。此套件使用兼容 CMOS 和低電壓晶體管邏輯 (LVTTL) 的控件。

ADRF5032 采用 12 端子、2.5 mm × 2.5 mm、符合 RoHS 指令的岸面柵格陣列 (LGA) 封裝。ADRF5032 的工作溫度范圍為 ?40°C 至 +105°C。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADRF5032 1GHz至60GHz硅SPDT反射式開(kāi)關(guān)技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 工業(yè)掃描儀
• 測(cè)試和儀器儀表
• 蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施：5G 毫米波
• 軍用無(wú)線電、雷達(dá)和電子對(duì)抗措施 (ECM)
• 微波射頻和甚小孔徑終端 (VSAT)
  特性
• 超寬帶頻率范圍：1 GHz 至 60 GHz
• 反射式設(shè)計(jì)
• 低插入損耗
  • 1.3 dB 典型值，最高 40 GHz
  • 1.9 dB 典型值，最高 55 GHz
  • 2.0 dB 典型值，最高 60 GHz
• 高隔離
• 43 dB 典型值，最高 40 GHz
• 37 dB 典型值，最高 55 GHz
• 32 dB 典型值，最高 60 GHz
• 高輸入線性度
• P0.1dB：24 dBm（典型值）
• IP3：45 dBm（典型值）
• 高 RF 功率處理能力
  • 直通路徑：24 dBm
  • 熱切換路徑：21 dBm
• 與 CMOS/LVTTL 兼容
• 無(wú)低頻雜散信號(hào)
• RF 開(kāi)關(guān)時(shí)間：15 ns
• RF 建立時(shí)間（50% VCTRL 至 0.1 dB 的 RF 輸出）：35 ns
• 雙電源供電：±3.3 V
• 符合 RoHS 指令的 12 端子 2.5 mm × 2.5 mm LGA 封裝

功能框圖

引腳配置

接口示意圖

典型性能特征

ADRF5032有兩個(gè)電源引腳(VDD和VSS)和一個(gè)控制引腳(CTRL)。圖16顯示了電源引腳的外部元件和連接。VDD和VSS引腳通過(guò)一個(gè)100 pF多層陶瓷電容去耦。器件引腳排列允許去耦電容靠近器件放置。當(dāng)RF線路偏置電壓不為0 V時(shí)，除了RF引腳上的DC隔直電容之外，偏置和操作不需要其他外部元件。

RF端口內(nèi)部匹配50ω，引腳排列設(shè)計(jì)用于匹配PCB上具有50ω特性阻抗的共面波導(dǎo)(CPWG)。圖17顯示了RF基板的referencedCPWG RF走線設(shè)計(jì)，采用8 mi厚RogersRO4003C電介質(zhì)材料。對(duì)于1.7密耳的成品銅厚度，建議使用16密耳寬和13密耳間隙的RF走線。