概述

DS28E04-100是具有7個地址輸入的4096位，1-Wire? EEPROM芯片。地址輸入直接映射到1-Wire 64位器件ID號上，使主機系統能夠在多器件1-Wire網絡環境中直接識別出DS28E04-100的物理地置和功能。4096位EEPROM陣列配置為16頁，每頁32字節，另外還有用來進行寫操作的32字節暫存器。EEPROM存儲器頁可單獨進行寫保護或置為EPROM仿真模式，此時每一位只能由1變為0。除存儲器外，DS28E04-100還具有兩個通用I/O端口，可用于輸入或產生電平和/或脈沖輸出。狀態變化寄存器還用于指示端口狀態變化。DS28E04-100通過單觸點1-Wire總線進行通信。通信符合標準的Dallas Semiconductor 1-Wire協議。
數據表：*附件：DS28E04-100 4096位、可尋址、1-Wire EEPROM，帶有PIO技術手冊.pdf

特性

• 4096位EEPROM存儲器，劃分成16頁，每頁256位
• 7個地址輸入，用于配置物理地置
• 兩個通用PIO引腳，具有脈沖產生功能
• 獨立的存儲器頁面可永久寫保護或進入OTP EPROM仿真模式(寫入0)
• 采用1-Wire協議，通過單線數字信號，以15.3kbps或111kbps速率與主機通信
• 寄生或VCC供電
• 基于PIO狀態或PIO狀態變化的的條件搜索
• 有噪聲時，通過切換點滯回和濾波優化性能
• 2.8V至5.25V寬電壓范圍，-40°C至+85°C溫度范圍進行讀寫操作
• 16引腳，150mil SO封裝

應用

• 接入產品、光網絡單元和PBX
• 配件/PCB識別
• null

典型操作電路

引腳配置

框圖

圖1中的框圖顯示了S28E04-100的主要控制和存儲器部分之間的關系。DS28E04-100有五個主要數據部分:1) 64位器件ID號，2) 32字節緩存，3)16頁32字節EEPROM，4)特殊功能寄存器，5) PIO控制寄存器。單線協議的層次結構如圖2所示。總線主設備必須首先提供八個ROM功能命令中的一個，1)讀取ROM，2)匹配ROM，3)搜索ROM，4)條件搜索ROM，5) SkipROM，6) Resume，7) Overdrive-Skip ROM或8) Overdrive-Match ROM。以標準速度執行完一個過驅ROMcommand字節后，器件進入過驅模式，所有后續通信以更高的速度進行。這些ROM功能命令所需的協議如圖14所示。成功執行ROM功能命令后，存儲/控制功能變得可訪問，主機可以提供九個存儲/控制功能命令中的任何一個。這些命令的協議如圖9所示。所有數據首先從最低有效位讀取和寫入。
圖二單線協議的層次結構