LMG3522EVM-042 在半橋中配置了兩個 LMG3522R030 GaN FET，具有逐周期過流保護、鎖存短路保護功能和所有必要的輔助外圍電路。此 EVM 旨在與大型系統配合使用。

*附件：具有集成驅動器子卡的 LMG3522R030-Q1 汽車級 650V 30mΩ GaN FET.pdf

LMG352XEVM-04X作為半橋子卡運行，可以是更大的定制設計系統的一部分，也可以與主板配對。TI提供兩個主板（LMG342X-BB-EVM和LMG34XX-BB-EVM）與LMG352XEVM-04X接口。LMG342X-BB-EVM可支持高達4-kW的功率，LMG34XX-BB-EVM可提供高達1.7kW的功率。主板設計用于在開環同步降壓或升壓轉換器中操作LMG352XROX0。提供探針位置以測量邏輯和功率級電壓。
注：
TI提供了一個定制的插入板，當LMG352XEVM-04X與LMG34XX-BB-EVM配對時必須使用該插入板。LMG342x BB EVM不需要插入板。

LMG352XEVM-04X子卡
LMG352XEVM-04X具有兩個半橋配置的LMG352XROX0 GaN FET。包括所有偏置和電平移位組件，這允許低側參考信號控制兩個FET。高頻去耦電容器以優化的布局包含在功率級上，以最小化寄生電感并減少電壓過沖。

特征

• 輸入電壓高達 650 V
• 用于評估 LMG3522R030-Q1 性能的簡單開環設計
• 板載單/雙 PWM 輸入，用于具有可變死區時間的 PWM 信號
• 逐周期過流保護功能
• 使用帶有短接地彈簧探頭的示波器探頭進行邏輯和功率級測量的便捷探測點

*附件：LMG3522R030-Q1 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 650 V 30 mΩ GaN FET 數據表.pdf