本文解說的是關于SIM卡接口功能及其電路設計相關注意事項,我將詳細信息整理如下分享給大家。
一、SIM卡接口功能描述
Air700ECQ/Air700EAQ/Air700EMQ系列模組支持1路USIM接口,符合ETSI和IMT-2000規范,可自適應支持1.8V和3.3V USIM卡。
注意:因為超小超薄系列設計取向為尺寸超小,所以無法在硬件上同時支持移動、電信和聯通,三大運營商分三個不同的版本。
Air700ECQ:支持中國移動;
Air700EAQ:支持中國電信;
Air700EMQ:支持中國聯通。
最新開發資料詳見:
https://docs.openluat.com/
1.SIM卡相關管腳
SIM卡信號相關管腳,詳見下方圖表:



2.SIM卡電氣特性
- 支持SIM卡類型:1.8V/3.3V USIM卡;
- 支持協議:ETSI/IMT-2000;
- SIM卡在位檢測:支持;


3. SIM卡時序
激活時序:
當SIM卡的觸點接通序列結束后(RST處于低電平,VCC穩定供電,ME的I/O處于接收狀態,VPP被置為空閑狀態,CLK提供適當的、穩定的時鐘),SIM卡準備復位。
如下圖所示:

時鐘信號在T0時刻加到CLK觸點,I/O總線在時鐘信號加到CLK觸點200個時鐘周期(T0時刻之后的t2時間段)之內應該處于高阻狀態;
內部復位的SIM卡,在幾個時鐘周期之后開始復位,復位應答應該在400~40000個時鐘周期內開始(T0時刻之后的t1時間段之內);
低電平復位的SIM卡的復位信號至少在40000個時鐘周期內RST觸點維持低電平(T0之后的t3時間段內),如果在40000個時鐘周期內沒有復位應答,則RST觸點被置為高電平;
I/O端的復位應答必須在RST上升沿開始的400~40000個時鐘周期內開始(T1時刻之后的t1時間段之內);
如果復位應答在400~40000個時鐘周期內沒有開始(T1時刻之后的t3時間段之內),則RST觸點的電平將被置為低電平(在T2時刻),觸點也將被ME釋放。
二、SIM卡接口電路設計指導
常用的SIM卡參考設計及注意事項如下,在應用中注意結合實際情況優化調整:
▼ 常用SIM卡參考設計 ▼

設計注意事項:
SIM卡座與模組距離擺件不能太遠,越近越好,盡量保證SIM卡信號線布線不超過20cm。
為了防止可能存在的USIM_CLK信號對USIM_DATA信號的串擾,兩者布線不要太靠近,在兩條走線之間增加地屏蔽。且對USIM_RST_N信號也需要地保護。
為了保證良好的ESD保護,建議加TVS管,并靠近SIM卡座擺放。選擇的ESD器件寄生電容不大于50pF。在模組和SIM卡之間也可以串聯22歐姆的電阻用以抑制雜散EMI,增強ESD防護。SIM卡的外圍電路必須盡量靠近SIM卡座。
三、SIM卡常見問題
在出現SIM卡不識別卡時,測量SIM卡供電VDD_SIM,總是發現VDD_SIM為低電平?
原因解析:
SIM卡在初始化時,系統會嘗試4次與SIM卡交互。此時VDD_SIM也會打開4次,分別在1.8V和3.3V交替檢測,若檢測不到SIM卡,VDD_SIM卡就會關閉,如下圖:

因此在檢測不到SIM卡的情況下,USIM_VDD總是低電平。
設計建議:
VDD_SIM不輸出不是SIM卡不識別的原因,而是結果;SIM卡上任何一個信號異常,均會導致VDD_SIM自動關閉。
今天的內容就分享到這里了
審核編輯 黃宇
-
電路設計
+關注
關注
6741文章
2700瀏覽量
219498 -
Sim
+關注
關注
2文章
258瀏覽量
42177
發布評論請先 登錄
深入解析 NVT4555:SIM 卡接口電平轉換器與電源 LDO
電子工程師必備:MAX1686/MAX1686H SIM卡電荷泵解析
探索TXS02326A:雙電源SIM卡解決方案的技術剖析
雙SIM卡系統設計核心技術:硬件電路與軟件架構解析
TXS02324:雙電源2:1 SIM卡多路復用器/轉換器的技術剖析
探索NVT4558:SIM卡接口電平轉換器的卓越之選
手機進入“無卡時代”,哪些芯片和模組廠商率先受益?
SDIO SD卡電路設計速成攻略:核心步驟+調試技巧 !
【新品發布】艾為推出SIM卡電平轉換AW39103,成功通過高通平臺認證
科普|一文帶你認清SD卡、TF卡、SIM及eSIM卡,高手請忽略!
解說篇:模組雖小,SIM卡電路設計不能少!
評論