安建半導體(JSAB) 繼年初推出業界領先的150V SGT MOSFET 產品平臺，同年已將中高壓平臺擴充至120V 及200V，平臺沿用先進的技術和設計，提供了卓越的開關特性和低導通電阻，實現了高效的能源轉換和低能耗操作。年初推出的150V平臺已在不同應用及客戶之間取得認可，達到成熟量產階段，新產品能同樣廣泛應用于通信和數據中心服務器電源、叉車和輕型電動車低壓電機驅動器以及電池管理系統(BMS)。

1.產品性能

1. 優化FOM (Figure of Merit)：極低導通及開關損耗，適用于高載頻及高功率工況，提供高效的能量轉換和節能效果。

2. 高可靠性：-55 ~ 175 ℃工作范圍，卓越的可靠性與耐用性，全面滿足工業級標準。

3. 高抗沖擊能力：低熱阻，高雪崩能力，滿足高電流及瞬間關斷時的要求。

4. 良好一致性：支持多管并聯應用。

2.技術特點

JSAB 120V SGT MOSFET優化了元胞尺寸(Pitch) 及基板(Substrate) ，在確保最低120V的擊穿電壓基礎下，大幅降低電阻，優化大電流工作時的可靠性及系統溫度。與當前可用的器件相比，這些新MOSFET的導通電阻RDS(on) 降幅高達26%，非常適合采用大功率或96V電池的工業電機驅動或電池管理系統(BMS) 應用。

JSAB 150V及200V SGT MOSFET同樣采用深溝槽技術，透過優化漂移區(Drift region) 及基板(Substrate) 阻抗，能以相同芯片大小，達到更低的FOM (RDS(on) x Qg)，大幅降低開關損耗及導通損耗。可替換國外一流進口品牌，非常適用于工業電機驅動或可在服務器、電源等高頻開關應用領域。

3.推薦型號

綜上所述，JSAB 中高壓SGT平臺產品能夠完全媲美國際一流進口品牌的性能，非常適用于工業電機驅動或電池管理系統等應用領域。JSAB亦會持續擴充高性能，高質量產品，并完善同平臺產品線。JSAB有能力也有信心接受客戶嚴苛的測試和檢驗，如需樣品，歡迎與我司聯系。

安建半導體致力于為客戶提供國際一流、國內領先的功率半導體器件，如需樣品，歡迎聯系。